公开(公告)号：CN105531229B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201480050755.0

申请日：2014-10-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 石田昌彦 ,  祢津茂义 ,  齐藤弘 ,  长谷川正幸

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/03 ,  B01D3/143 ,  B01D53/002 ,  B01D53/0423 ,  B01D53/0438 ,  B01D2253/102 ,  B01D2256/26 ,  B01D2259/4009 ,  C01B33/035 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10784

Abstract: 本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时，在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下，在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中，采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处理氯硅烷的D工序以及将该D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至作为多晶硅的析出工序的A工序的构成。通过该采用，在制造半导体级的高纯度多晶硅的工艺中，在析出反应体系内循环的回收氯硅烷中所蓄积的杂质化合物被除去，从而能够得到稳定品质的多晶硅。

公开(公告)号：CN105143104A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480020915.7

申请日：2014-01-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 石田昌彦 ,  齐藤弘 ,  吉田敦

IPC: C01B33/107 ,  B01J20/26 ,  B01J20/34

CPC classification number: B01J49/57 ,  B01J41/07 ,  B01J41/09 ,  C01B33/046 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10778 ,  C01B33/10784

Abstract: 本发明提供能够在硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化工序中长期稳定地使用于除去硼杂质的离子交换树脂的技术。本发明中，将硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化中使用的弱碱性离子交换树脂利用含有氯化氢的气体进行清洗处理。在将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的初始活化的情况下，能够得到更高的杂质吸附能力。另外，通过将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的再生，能够长时间稳定地使用离子交换树脂。因此，能够削减长期运转中的树脂使用量，能够削减使用后的树脂废弃费用。

公开(公告)号：CN105073638A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480008798.2

申请日：2014-01-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 石田昌彦 ,  齐藤弘 ,  长谷川正幸

IPC: C01B33/107 ,  B01J31/08

CPC classification number: C01B33/1071 ,  B01J31/0237 ,  B01J31/08 ,  C01B33/10773 ,  C01B33/10778

Abstract: 在本发明所涉及的三氯硅烷的制造方法中，采用下述操作：在随着从含有甲基二氯硅烷(CH3HSiCl2)、四氯硅烷(SiCl4)和三氯硅烷(HSiCl3)的混合物(S)中除去甲基二氯硅烷而得到高纯度的三氯硅烷时，通过催化处理，在甲基二氯硅烷与四氯硅烷之间进行氯原子的重分配而转变为三氯硅烷和甲基三氯硅烷(CH3SiCl3)。与作为精制对象的三氯硅烷(沸点32℃)沸点接近的甲基二氯硅烷(沸点41℃)通过与四氯硅烷之间进行氯原子的重分配而转变为沸点更高的甲基三氯硅烷(沸点66℃)，杂质除去变容易。