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公开(公告)号：CN102376744A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110221741.9
申请日：2011-08-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/5275
Abstract: 本发明涉及有机电致发光显示装置。所述有机电致发光显示装置包含多个像素和布置在其上面的透镜的阵列。各像素包含设置有透镜的发光区域和没有设置透镜的发光区域。各像素的发光区域包含有机电致发光材料。以交错的图案布置透镜。
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公开(公告)号：CN1250945A
公开(公告)日：2000-04-19
申请号：CN99122410.8
申请日：1999-09-03
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 佐藤信彦
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/76259
Abstract: 公开了一种具有非多孔单晶层的多孔硅层的晶体缺陷减少的半导体基片,及形成该基片的方法。该形成方法包括下列步骤:在不包含非多孔单晶层的源气体的气氛中对多孔硅层进行热处理,以及在多孔硅层上生长非多孔单晶层,其中的热处理步骤在一定条件下进行,使得蚀去的硅厚度为2纳米或更小,且由(热处理后的表面孔密度)/(热处理前的表面孔密度)定义的多孔硅层的表面孔密度的变化率r满足关系式(1/10000)≤r≤1。
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公开(公告)号：CN1248788A
公开(公告)日：2000-03-29
申请号：CN99119692.9
申请日：1999-07-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/0203 , H01L21/76251 , H01L21/76259 , Y10S438/964
Abstract: 为了实现多孔层的孔尺寸分布均匀,在硅基底材料的表面上形成包括原子台阶和台面的表面,在不消除该台阶和台面的情况下制成多孔,然后在其上形成非多孔的半导体单晶膜。
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公开(公告)号：CN1241803A
公开(公告)日：2000-01-19
申请号：CN99109898.6
申请日：1999-05-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
Abstract: 半导体衬底制造工艺,包括:准备第1衬底的步骤,该衬底有经过氢退火的表面层部分;分离层的形成步骤,从表面层部分一侧把氢之类的离子注入第1衬底。从而形成分离层;相互键合第1硅衬底与第2硅衬底的键合步骤,使表面层部分位于内部,从而形成多层结构;以及利用分离层分离多层结构的转移步骤,从而把表面层部分的低缺陷层转移到第2衬底上。该低缺陷层是体晶片中减少了COP和FPD等固有缺陷的单晶体硅层。
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公开(公告)号：CN1224924A
公开(公告)日：1999-08-04
申请号：CN98127134.0
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 佐藤信彦
IPC: H01L21/324 , H01L21/00
Abstract: 利用本发明的方法,在含氢还原气氛中热处理其表面上具有在绝缘体上形成的单晶硅膜的SOI衬底,以便平滑该表面,降低硼浓度,而不会损伤单晶片和不同晶片间的膜厚均匀性。该方法的特征在于,热处理时单晶硅膜设置成与非氧化硅部件相对。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1193808A
公开(公告)日：1998-09-23
申请号：CN98105497.8
申请日：1998-03-16
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L33/346 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02521 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/3063 , H01L31/0693 , H01L31/1804 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 半导体衬底,包括具有多孔区的硅衬底,以及在多孔区上提供的半导体层,该半导体层包括单晶化合物,形成在多孔区表面,表面处其孔洞已被密封。该衬底可由以下工艺制造:热处理具有多孔区的硅衬底,在多孔区表面密封孔洞,以及通过异质外延生长在具有被热处理所密封的孔洞的多孔区上形成单晶化合物半导体层。可以以高生产率,高均匀性,高可控性以及可观的经济优势在大面积硅衬底上形成几乎不含晶体缺陷的单晶化合物半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN1149758A
公开(公告)日：1997-05-14
申请号：CN96111711.7
申请日：1996-07-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/0203 , H01L21/76243
Abstract: 半导体衬底的制造方法，包括以下步骤，提供硅制成的第1衬底，对衬底硅多孔化，使第1衬底上有多孔硅层，在多孔硅层上外延生长无孔单晶硅层，将第1衬底层叠在第2衬底上，使第1和第2衬底的至少一层叠面有氧化硅层，并使无孔单晶硅层位于层叠的衬底之间，腐蚀除去多孔硅层，其中用腐蚀无孔单晶硅层和氧化硅层各自的腐蚀速率不大于10/分钟的腐蚀液腐蚀多孔硅层。
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公开(公告)号：CN102760844B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210132278.5
申请日：2012-04-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H05B37/00 , H01L27/3211 , H01L51/0018
Abstract: 本发明提供包括有机电致发光元件的有机电致发光显示装置的制造方法，其具有与以真空原位法形成的有机电致发光元件的那些相当的元件特性，同时利用基于光刻法的图案化方法。有机电致发光显示装置的制造方法包括：至少在第一电极上形成有机化合物层的有机化合物层形成步骤；在该有机化合物层上形成剥离层的剥离层形成步骤；加工该剥离层的剥离层加工步骤；和将没有被在该剥离层加工步骤中已被加工的剥离层覆盖的区域中的有机化合物层除去的有机化合物层加工步骤，并且该剥离层中的至少最下层是由在极性溶剂中可溶的材料形成的沉积膜。
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公开(公告)号：CN103311268A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310069804.2
申请日：2013-03-06
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/32 , H01L27/3258 , H01L51/5056 , H01L51/52 , H01L2251/5392 , H01L2251/558
Abstract: 提供一种发光装置、图像形成装置、显示装置和成像装置，该发光装置在不使用用于分开像素的绝缘膜的情况下抑制相邻的像素之间的泄漏电流并且提供更高的分辨率。通过沿第一电极（2）的边缘在绝缘层（1）中设置沟槽，第一电荷传输层（3）的厚度减小以抑制相邻像素之间的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN103137904A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210498618.6
申请日：2012-11-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/0002 , H01L51/0018 , H01L51/5012
Abstract: 有机电致发光装置的制造方法，包括：在第一有机化合物层上形成掩模层和中间层以使掩模层和中间层具有预定图案的步骤；利用掩模层和中间层将第一有机化合物层进行图案化的步骤；形成第二有机化合物层的步骤；和以使中间层与用于溶解中间层的溶解液接触的方式将中间层和其上形成的第二有机化合物层除去的步骤。该方法中，直至完成第一和第二有机化合物层的图案化，通过用牺牲层覆盖第一和第二有机化合物层来保护第一和第二有机化合物层。
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