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公开(公告)号：CN101809748B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880108322.0
申请日：2008-09-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种制造场效应晶体管的方法。场效应晶体管在基板上包括源电极、漏电极、氧化物半导体层、绝缘层和栅电极。所述方法包括在氧化物半导体层上形成绝缘层之后，通过在包含水分的气氛中退火增大氧化物半导体层的电导率的退火步骤。退火步骤的蒸汽压高于退火温度下大气中的饱和蒸汽压。
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公开(公告)号：CN101669208B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880013223.4
申请日：2008-04-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 一种非晶氧化物半导体，含有按InxGayZnz的原子比从In、Ga和Zn中选择的至少一种元素，其中，所述非晶氧化物半导体的密度M由以下关系式(1)表示：M≥0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z≠0。
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公开(公告)号：CN101809748A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108322.0
申请日：2008-09-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种制造场效应晶体管的方法。场效应晶体管在基板上包括源电极、漏电极、氧化物半导体层、绝缘层和栅电极。所述方法包括在氧化物半导体层上形成绝缘层之后，通过在包含水分的气氛中退火增大氧化物半导体层的电导率的退火步骤。退火步骤的蒸汽压高于退火温度下大气中的饱和蒸汽压。
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公开(公告)号：CN113526952A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110413349.8
申请日：2021-04-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/468 , C04B35/64 , H01L41/29 , H01L41/43 , H01L41/187 , H02N2/12 , B08B7/02 , G01N29/24
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷及其制造方法。提供了压电陶瓷的制造方法、压电陶瓷、压电元件、超声波马达、光学装置、除尘设备、摄像装置、超声波探头、超声波诊断装置和电子装置。提供了不含铅的压电陶瓷及该压电陶瓷的制造方法，该压电陶瓷在工作温度范围内压电常数的温度依赖性低、密度高、机械品质因数高、具有令人满意的压电常数且表面粗糙度小。该压电陶瓷的制造方法的特征在于，包括以1000℃或更高温度对含原材料的成型体进行烧结以获得烧结体；对烧结体进行研磨；以及以800℃或更高且低于1000℃的温度对研磨烧结体进行退火。
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公开(公告)号：CN104276821B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410328614.2
申请日：2014-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/49 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1871 , B06B1/06 , B06B1/0644 , B41J2/045 , B41J2/14 , B41J2/14233 , B41J2/1607 , B41J2/164 , B41J2202/03 , C04B35/4682 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/365 , C04B2235/449 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , G02B27/0006 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/183 , H01L41/277 , H02N2/10 , H02N2/106 , H02N2/16 , H02N2/163 , H02N2/22 , H04N5/2171 , H04N5/2253
Abstract: 本发明涉及压电材料、压电元件和电子设备。提供了一种压电材料，其不包含任何铅组分，具有操作温度范围中的稳定压电特性、高机械品质因数和令人满意的压电特性。根据本发明的压电材料包括含有能够利用以下一般式(1)表达的钙钛矿型金属氧化物的主组分，以及包含Mn、Li和Bi的副组分。当金属氧化物为100重量份时，Mn的含量按金属换算不小于0.04重量份并且不大于0.36重量份，Li的含量α按金属换算等于或小于0.0012重量份且包括0重量份，并且Bi的含量β按金属换算不小于0.042重量份并且不大于0.850重量份，(Ba1-xCax)a(Ti1-y-zZrySnz)O3 (1)在式(1)中，0.09≤x≤0.30，0.025≤y≤0.085，0≤z≤0.02并且0.986≤a≤1.02。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105829265A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480068921.X
申请日：2014-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/49 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1871 , B08B7/02 , B41J2/14233 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3249 , C04B2235/3262 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/81 , G02B27/0006 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H02N2/163
Abstract: 本发明提供在宽操作温度区域之上具有高压电常数的无铅的压电材料。因此，本发明涉及一种压电材料，其包括由下面的通式(1)表示的钙钛矿型金属氧化物作为主要成分，其中通式(1)中包含的Sn的平均化合价位于2与4之间：通式(1)(BavCawSnxTiyZrz)O3(其中0.620≤v≤0.970,0.010≤w≤0.200,0.030≤x≤0.230,0.865≤y≤0.990,0≤z≤0.085,并且1.986≤v+w+x+y+z≤2.100)。
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公开(公告)号：CN104810471A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510044924.6
申请日：2015-01-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/49
CPC classification number: H01L41/1871 , B06B1/0644 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , G02B27/0006 , H01L41/0973 , H01L41/1878 , H02N2/001 , H02N2/163 , H04N5/2171
Abstract: 本公开内容涉及压电元件、用于制造压电元件的方法和电子装置。一种压电元件包括压电材料部分。压电材料部分由包括钙钛矿型金属氧化物和Mn并且具有残留分极的压电陶瓷制成，所述钙钛矿型金属氧化物包括钛酸钡。压电材料部分具有在与压电陶瓷的残留分极方向交叉的方向上延伸的测量表面，并且，在测量表面被抛光到具有200nm或更小的表面粗糙度之后，测量表面在室温下具有1.0或更大的(002)/(200)X射线衍射强度比。压电陶瓷在室温下的c轴晶格常数c与a轴晶格常数a的比c/a满足1.004≤c/a≤1.010。测量表面在室温下的(002)衍射峰的半宽为1.2°或更小。
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公开(公告)号：CN102623344B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210074536.9
申请日：2007-11-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及底栅型薄膜晶体管、其制造方法及显示装置。提供一种底栅型薄膜晶体管的制造方法，其包括：在衬底上形成栅电极；形成第一绝缘膜和氧化物半导体层；对所述第一绝缘膜和所述氧化物半导体层进行构图；在包含氧化气体的气氛中形成第二绝缘膜；以及对所述第二绝缘膜进行构图，以覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的至少一部分。
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公开(公告)号：CN104276821A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410328614.2
申请日：2014-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/49 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1871 , B06B1/06 , B06B1/0644 , B41J2/045 , B41J2/14 , B41J2/14233 , B41J2/1607 , B41J2/164 , B41J2202/03 , C04B35/4682 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/365 , C04B2235/449 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , G02B27/0006 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/183 , H01L41/277 , H02N2/10 , H02N2/106 , H02N2/16 , H02N2/163 , H02N2/22 , H04N5/2171 , H04N5/2253
Abstract: 本发明涉及压电材料、压电元件和电子设备。提供了一种压电材料，其不包含任何铅组分，具有操作温度范围中的稳定压电特性、高机械品质因数和令人满意的压电特性。根据本发明的压电材料包括含有能够利用以下一般式(1)表达的钙钛矿型金属氧化物的主组分，以及包含Mn、Li和Bi的副组分。当金属氧化物为100重量份时，Mn的含量按金属换算不小于0.04重量份并且不大于0.36重量份，Li的含量α按金属换算等于或小于0.0012重量份且包括0重量份，并且Bi的含量β按金属换算不小于0.042重量份并且不大于0.850重量份，(Ba1-xCax)a(Ti1-y-zZrySnz)O3(1)在式(1)中，0.09≤x≤0.30，0.025≤y≤0.085，0≤z≤0.02并且0.986≤a≤1.02。
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公开(公告)号：CN104276819A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410328412.8
申请日：2014-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/622
CPC classification number: H01L41/183 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C04B35/4682 , G02B7/04 , G02B15/02 , G02B27/0006 , G03B3/10 , H01L41/083 , H01L41/0973 , H01L41/1871 , H02N2/106 , H02N2/163 , H04N5/23209 , C04B35/49 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208
Abstract: 提供一种压电材料、压电元件和电子设备。该压电材料不含任何铅成分，具有在操作温度范围中的稳定压电特性、高机械品质因数以及令人满意的压电特性。该压电材料包括：主成分，含有可以使用以下通式(1)表示的钙钛矿类型金属氧化物；子成分，含有Mn、Li和Bi。当金属氧化物是100重量份时，以金属换算的Mn的含量不小于0.04重量份并且不大于0.36重量份，以金属换算的Li的含量α不小于0.0013重量份并且不大于0.0280重量份，以及以金属换算的Bi的含量β不小于0.042重量份并且不大于0.850重量份：(Ba1-xCax)a(Ti1-y-zZrySnz)O3(1)。在式(1)中，0.09≤x≤0.30，0.074
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