公开(公告)号：CN103367572B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201310085493.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 斋藤义树 ,  牛田泰久 ,  青木真登

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明提供了在薄GaN衬底上形成第III族氮化物化合物半导体层的过程中抑制应变松弛层中位错的发生的第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法。发光器件(100)包括支承衬底(10)、GaN衬底(20)、n型接触层(30)、应变松弛层(40)(n型InGaN层)、发光层(50)、p型覆层(60)以及p型接触层(70)。GaN衬底(20)具有在10nm至10μm的范围内的厚度。应变松弛层(40)(n型InGaN层)具有在大于0％至3％的范围内的In组成比率X。

公开(公告)号：CN105938863A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610121617.8

申请日：2016-03-03

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 斋藤义树 ,  坊山美乡

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025

Abstract: 提供了一种III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，在该III族氮化物半导体发光器件中，抑制了穿透位错对电子和空穴的俘获。该发光器件包括n型半导体层、在n型半导体层上的发光层、在发光层上的p型半导体层。发光器件具有从n型半导体层延伸至p型半导体层的多个凹坑。n型半导体层包括n侧防静电击穿层。n侧防静电击穿层包括：n型GaN层，该n型GaN层包括凹坑的起始点；以及ud-GaN层，该ud-GaN层被设置成与n型GaN层相邻并包括凹坑的一部分。n型GaN层和ud-GaN层中的至少之一具有In掺杂层。In掺杂层的In组成比大于0且不大于0.0035。

公开(公告)号：CN103367572A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310085493.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 斋藤义树 ,  牛田泰久 ,  青木真登

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明提供了在薄GaN衬底上形成第III族氮化物化合物半导体层的过程中抑制应变松弛层中位错的发生的第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法。发光器件(100)包括支承衬底(10)、GaN衬底(20)、n型接触层(30)、应变松弛层(40)(n型InGaN层)、发光层(50)、p型覆层(60)以及p型接触层(70)。GaN衬底(20)具有在10nm至10μm的范围内的厚度。应变松弛层(40)(n型InGaN层)具有在大于0％至3％的范围内的In组成比率X。

公开(公告)号：CN101883881B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980101248.4

申请日：2009-01-27

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  新田州吾 ,  斋藤义树 ,  牛田泰久 ,  中田尚幸 ,  坊山晋也

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/20 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

Abstract: 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。

公开(公告)号：CN101355131B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200810134757.4

申请日：2008-07-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 斋藤义树 ,  牛田泰久

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382

Abstract: 一种第III族氮化物基化合物半导体器件，其中在除了Ga-极性C-面的表面上形成负电极。在第III族氮化物基化合物半导体发光器件中，在R-面蓝宝石衬底上形成n-接触层、用于改善静电击穿电压的层、由具有十个堆叠的未掺杂In0.1Ga0.9N层、未掺杂GaN层以及硅(Si)掺杂GaN层的组的多层结构制成的n-覆盖层、由交替堆叠的In0.25Ga0.75N阱层和GaN势垒层的组合制成的多量子阱(MQW)发光层、由包括p-型Al0.3Ga0.7N层和p-In0.08Ga0.92N层的多层结构制成的p-覆盖层、和由包括具有不同镁浓度的两个p-GaN层的堆叠结构制成的p-接触层(厚度：约80nm)。通过蚀刻，为具有沿c-轴的厚度方向的n-接触层提供条纹图案化微沟，每个微沟具有表现C-面的侧壁，由此在负电极和每个C-面侧壁之间建立欧姆接触。