一种双石墨电极的钾基双离子电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN115312834A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202211118928.0

    申请日:2022-09-13

    Abstract: 本发明属于电化学技术领域,具体涉及一种双石墨电极的钾基双离子电池及其制备方法。该钾基双离子电池,包括石墨电极、电解液以及两者的兼容性,电极中所用粘结剂为羧甲基纤维素钠,所述电解液为磷酸酯基浓盐电解液,其特征在于阻燃性、较宽电化学稳定窗口,相比于传统有机碳酸酯基电解液有效提升了电池安全性、比容量和循环寿命。本发明提供的由双石墨电极组成的钾基双离子电池为高安全性、低成本的双离子电池的商业化提供了可行性。

    硅胶/碱金属溴铜化合物闪烁体复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN111620364A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN202010557675.1

    申请日:2020-06-18

    Abstract: 本发明涉及光功能材料技术领域,具体公开了一种硅胶/碱金属溴铜化合物闪烁体复合材料及制备方法,包括碱金属溴铜化合物闪烁体纳米粉体和硅胶,所述碱金属溴铜化合物闪烁体纳米粉体和硅胶的重量比为(1:10)~(8:10)。本发明制备的硅胶/碱金属溴铜化合物闪烁体复合材料不仅具有不容易潮解、透明度高、发光性能好的优势,而且制备方法简单,成本低,适合工业化生产,具有实用性,可满足闪烁领域的应用要求。

    一种氢化改性钒酸铋/类石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN110479341A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910494553.X

    申请日:2019-06-10

    Abstract: 本发明属于半导体光催化技术领域,具体涉及一种氢化改性钒酸铋/类石墨相氮化碳(BiVO4/g-C3N4)复合光催化剂及其制备方法。本发明提供了一种氢化改性BiVO4/g-C3N4复合光催化剂及其制备方法,其特征在于:经过高温高压氢化处理后,g-C3N4和BiVO4二者结合形成的BiVO4/g-C3N4复合光催化剂表面诱导产生了大量的缺陷态结构,实现了对BiVO4/g-C3N4复合光催化剂表面结构的改性,在很大程度上解决了BiVO4光催化剂光生载流子复合率较高的问题,提高了BiVO4光催化剂的光谱吸收性能,大大改善了BiVO4光催化剂的光催化活性。本发明提供的氢化改性钒酸铋/类石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法,为设计开发新型高效的可见光催化剂提供了新思路和新途径。

    一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN110473927A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201910433678.1

    申请日:2019-05-23

    Abstract: 本发明属于半导体光电技术领域,具体涉及一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜(Cu2O/CuSCN)异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法,其特征在于:通过对电化学沉积制备的CuSCN光电薄膜进行一定时间下的碱液浸泡处理,促使CuSCN原位反应生成Cu2O,实现了原位构建Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜,在较大程度上解决了CuSCN光电薄膜光生载流子迁移率较低和复合率较高等问题,大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法,具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。

    一种银碘阴离子高聚螺旋链基有机无机杂化半导体材料

    公开(公告)号:CN105837834B

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201610307140.2

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化的银碘阴离子高聚螺旋链基宽禁带半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化宽禁带半导体材料,其分子结构式为(MV)n(Ag2I4)n,式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,n为高聚物结构的重复单元数,该材料中的(Ag2I4)n高聚阴离子呈独特的螺旋链结构。通过硝酸银、碱金属碘化物与甲基紫精碘化物的溶液发生配位聚合反应和杂化置换反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化宽禁带半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

    一种磷酸钴助催化剂改性BiFeO3薄膜光电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN106967979B

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201710255042.3

    申请日:2017-04-14

    Abstract: 本发明属于半导体薄膜领域,具体涉及一种磷酸钴改性BiFeO3(BFO)薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种磷酸钴(Co‑Pi)改性BFO薄膜光电极及其制备方法,其特点在于,通过光辅助电化学沉积法在溶胶凝胶法制备的BFO薄膜表面上沉积负载一层Co‑Pi助催化剂。通过磷酸钴助催化剂改性后,可以有效降低BFO薄膜光电极的反应过电势,提高表面反应活性,在一定程度上解决目前BFO薄膜光电极存在的光生载流子迁移率较差以及载流子复合率高等问题,从而可以大幅提高BFO薄膜光电极的光电化学性能,促进BFO薄膜光电极在光电化学领域的应用。

    一种碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN106847951B

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201710055622.8

    申请日:2017-01-20

    Abstract: 本发明属于半导体光电薄膜领域,具体涉及一种碳量子点负载硫氰酸亚铜(CuSCN)光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种碳量子点负载CuSCN光电薄膜及其制备方法,其特点在于,该复合薄膜是通过电化学沉积法同时实现CuSCN纳米棒阵列结构的形成和碳量子点的负载,其中纳米棒直径约80~90nm,负载的碳量子点颗粒尺寸约3~5nm;相对于CuSCN光电薄膜,该复合薄膜具有更大的光电流强度和更小的电化学阻抗值,这是由于碳量子点负载后,促进了CuSCN薄膜光生载流子的有效分离和迁移,从而表现出更好的光电特性。本发明得到的碳量子点负载CuSCN光电薄膜具有良好的光电特性,制备方法简单,工艺条件易调控,有利于CuSCN光电薄膜的结构、性能调制和光伏领域的应用。

    一种储氢合金颗粒及其制备方法

    公开(公告)号:CN106944614A

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201710163610.7

    申请日:2017-03-16

    CPC classification number: B22F1/02 H01M4/383

    Abstract: 本发明涉及一种储氢合金颗粒及其制备方法。本发明属于氢气储存技术领域。一种储氢合金颗粒,其特点是:储氢合金颗粒表面包覆有抗板结剂;抗板结剂为甲基硅油。一种储氢合金颗粒的制备方法,其特点是:储氢合金块体材料与抗板结剂置于密闭反应器中,通入氢气后储氢合金块体材料发生氢化粉碎,获得的储氢合金颗粒表面包覆有抗板结剂。本发明具有颗粒流动性好,吸放氢过程中不会产生颗粒板结,在空气环境中稳定,制备工艺简单,制造成本低,产品性能稳定等优点,可广泛应用于金属氢化物储氢器储存氢气。

    一种碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN106847951A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710055622.8

    申请日:2017-01-20

    CPC classification number: H01L31/0264 C25D9/04 H01L31/18

    Abstract: 本发明属于半导体光电薄膜领域,具体涉及一种碳量子点负载硫氰酸亚铜(CuSCN)光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种碳量子点负载CuSCN光电薄膜及其制备方法,其特点在于,该复合薄膜是通过电化学沉积法同时实现CuSCN纳米棒阵列结构的形成和碳量子点的负载,其中纳米棒直径约80~90nm,负载的碳量子点颗粒尺寸约3~5nm;相对于CuSCN光电薄膜,该复合薄膜具有更大的光电流强度和更小的电化学阻抗值,这是由于碳量子点负载后,促进了CuSCN薄膜光生载流子的有效分离和迁移,从而表现出更好的光电特性。本发明得到的碳量子点负载CuSCN光电薄膜具有良好的光电特性,制备方法简单,工艺条件易调控,有利于CuSCN光电薄膜的结构、性能调制和光伏领域的应用。

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