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公开(公告)号：CN110473927A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910433678.1
申请日：2019-05-23
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电技术领域，具体涉及一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜（Cu2O/CuSCN）异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，其特征在于：通过对电化学沉积制备的CuSCN光电薄膜进行一定时间下的碱液浸泡处理，促使CuSCN原位反应生成Cu2O，实现了原位构建Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜，在较大程度上解决了CuSCN光电薄膜光生载流子迁移率较低和复合率较高等问题，大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN110473927B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910433678.1
申请日：2019-05-23
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电技术领域，具体涉及一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜（Cu2O/CuSCN）异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，其特征在于：通过对电化学沉积制备的CuSCN光电薄膜进行一定时间下的碱液浸泡处理，促使CuSCN原位反应生成Cu2O，实现了原位构建Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜，在较大程度上解决了CuSCN光电薄膜光生载流子迁移率较低和复合率较高等问题，大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN110911509B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201911254550.5
申请日：2019-12-10
Applicant: 中国计量大学
Inventor： 陈达 , 李灵惠 , 梁俊辉 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: H01L31/0336 , H01G9/20 , C25D9/04 , C25D7/12
Abstract: 本发明属于半导体光电技术领域，具体涉及一种硫化铜量子点/硫氰酸亚铜（CuS QDs/CuSCN）异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种CuS QDs/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，其特征在于：通过电化学沉积过程将CuS量子点负载到CuSCN纳米棒薄膜表面，构建制备获得一种CuS量子点/CuSCN异质结光电薄膜；CuS量子点与CuSCN二者形成的异质结有效地促进了光生电荷的分离并降低光生载流子的复合，大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的CuS QDs/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN110911509A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911254550.5
申请日：2019-12-10
Applicant: 中国计量大学
Inventor： 陈达 , 李灵惠 , 梁俊辉 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: H01L31/0336 , H01G9/20 , C25D9/04 , C25D7/12
Abstract: 本发明属于半导体光电技术领域，具体涉及一种硫化铜量子点/硫氰酸亚铜（CuS QDs/CuSCN）异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种CuS QDs/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，其特征在于：通过电化学沉积过程将CuS量子点负载到CuSCN纳米棒薄膜表面，构建制备获得一种CuS量子点/CuSCN异质结光电薄膜；CuS量子点与CuSCN二者形成的异质结有效地促进了光生电荷的分离并降低光生载流子的复合，大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的CuS QDs/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。
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