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公开(公告)号：CN106967979B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710255042.3
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于半导体薄膜领域，具体涉及一种磷酸钴改性BiFeO3(BFO)薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种磷酸钴(Co‑Pi)改性BFO薄膜光电极及其制备方法，其特点在于，通过光辅助电化学沉积法在溶胶凝胶法制备的BFO薄膜表面上沉积负载一层Co‑Pi助催化剂。通过磷酸钴助催化剂改性后，可以有效降低BFO薄膜光电极的反应过电势，提高表面反应活性，在一定程度上解决目前BFO薄膜光电极存在的光生载流子迁移率较差以及载流子复合率高等问题，从而可以大幅提高BFO薄膜光电极的光电化学性能，促进BFO薄膜光电极在光电化学领域的应用。
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公开(公告)号：CN106939415B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710255044.2
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于半导体薄膜领域，具体涉及一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3(BFO)薄膜光电极及其制备方法，其特点在于，通过光致还原法在溶胶凝胶法制备的Nd掺杂BFO薄膜表面上负载Au纳米颗粒，其中Nd掺杂BFO薄膜是由颗粒尺寸约300～500nm的纳米颗粒堆叠而成，而Au纳米颗粒比较均匀地分布在Nd掺杂BFO薄膜光电极表面。通过Au纳米颗粒修饰和Nd元素掺杂的修饰改性后，能够提高BFO薄膜的光吸收能力、促进光生载流子的迁移和分离效率，大大改善了BFO薄膜光电极的光电化学性能。
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公开(公告)号：CN106939415A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710255044.2
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: C23C18/1254 , B82Y30/00 , C01P2002/72
Abstract: 本发明属于半导体薄膜领域，具体涉及一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3(BFO)薄膜光电极及其制备方法，其特点在于，通过光致还原法在溶胶凝胶法制备的Nd掺杂BFO薄膜表面上负载Au纳米颗粒，其中Nd掺杂BFO薄膜是由颗粒尺寸约300～500nm的纳米颗粒堆叠而成，而Au纳米颗粒比较均匀地分布在Nd掺杂BFO薄膜光电极表面。通过Au纳米颗粒修饰和Nd元素掺杂的修饰改性后，能够提高BFO薄膜的光吸收能力、促进光生载流子的迁移和分离效率，大大改善了BFO薄膜光电极的光电化学性能。
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公开(公告)号：CN106967979A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710255042.3
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: C23C28/048 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C23C18/1204 , C23C18/1254 , C23C18/14 , C25D9/04
Abstract: 本发明属于半导体薄膜领域，具体涉及一种磷酸钴改性BiFeO3(BFO)薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种磷酸钴(Co‑Pi)改性BFO薄膜光电极及其制备方法，其特点在于，通过光辅助电化学沉积法在溶胶凝胶法制备的BFO薄膜表面上沉积负载一层Co‑Pi助催化剂。通过磷酸钴助催化剂改性后，可以有效降低BFO薄膜光电极的反应过电势，提高表面反应活性，在一定程度上解决目前BFO薄膜光电极存在的光生载流子迁移率较差以及载流子复合率高等问题，从而可以大幅提高BFO薄膜光电极的光电化学性能，促进BFO薄膜光电极在光电化学领域的应用。
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