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公开(公告)号：CN103715461A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310722472.3
申请日：2013-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01M10/058 , H01M4/1391
CPC classification number: H01M10/058 , H01M4/1391
Abstract: 本发明公开了一种柔性锂离子电池及网络状钛酸锂电极结构的制备方法。所述柔性锂离子电池的制备方法包括：在钛片上生长网络状钛酸锂作为负极材料；制作涂覆锰酸锂纳米棒，作为正极材料；将所述负极材料、锂电池隔膜和正极材料以三明治状叠加在一起，并置于两层聚二甲基硅氧烷PDMS薄膜中间进行封装，完成柔性锂离子电池的制备。本发明公开的柔性锂离子电池中采用网络结构状的钛酸锂，可以充分利用一维结构和三维网络结构的优势，增大活性物质与电解质的接触面积。本发明公开的柔性锂离子电池在弯折状态下能够保持很高的稳定性，实现几十次的充放电循环。
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公开(公告)号：CN114864745B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210504734.8
申请日：2022-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器的制备方法，包括：形成衬底；在衬底上制备电极层；在电极层上制备钙钛矿薄膜；在钙钛矿薄膜上制备Ti3C2TXMXene量子点层。通过引入Ti3C2TX MXene量子点修饰二维钙钛矿薄膜，以Ti3C2TX MXene量子点‑二维钙钛矿纳米片薄膜作为紫外光电探测器的敏感材料，基于局域表面等离子体共振(LSPR)效应，有效提高敏感材料对光的吸收，从而提高了紫外光电探测器的光谱响应度和光谱选择性。
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公开(公告)号：CN114689164B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210348311.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01H11/06
Abstract: 本发明公开了一种复合薄膜声音传感器及其制备方法和应用，本发明提供的声音传感器，包括：柔性衬底；导电敏感层，用于感知外界声音信号，通过与所述声音信号产生共振改变所述导电敏感层的电阻和导电状态，形成电信号；电极，用于给所述导电敏感层通电，并传输所述电信号；其中，所述导电敏感层通过导电膜以及二硫化钼膜形成周期性交叠多层结构。采用添加具有二维层状结构的柔性敏感表层，使传感器可与不同的声音产生共振，从而感知外界声音信号，表现为自身电学性能的变化，进而应用于振动检测和声音检测，能够应用于声控电子系统等小型电子器件，解决了传统声学设备不适用于便携的传感器设备的问题。
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公开(公告)号：CN115574942A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211224131.9
申请日：2022-10-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J4/04
Abstract: 本发明提供一种偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法，涉及半导体光电探测器及其制备技术领域。该偏振放大系统包括偏振探测器、参考电阻和晶体管，其中：偏振探测器包括第一硅片基底，以及从左至右依次位于第一硅片基底上的第一有源层、第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极均为金属材料；晶体管包括第二硅片基底，以及从左至右依次位于第二硅片基底上的第二有源层、第二源电极、第二漏电极、介电层和栅电极，第二源电极、第二漏电极和栅电极均为金属材料；偏振探测器的第一漏电极与参考电阻电连接，并共同连接至晶体管的栅电极；其中，第一有源层和第二有源层均为二维半导体材料，偏振探测器的探测波段为可见光至近红外波段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114597268A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210217955.7
申请日：2022-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 一种光电探测器，包括：衬底；电极层，形成在衬底上，包括两个叉指单元，两个叉指单元的多个叉指相向延伸并互相绝缘；以及微米层，覆盖多个叉指单元的多个叉指，叉指单元的叉指与微米层之间基于范德华力结合。范德华力消除了金属电极层和纳米层界面处化学无序、高缺陷态的缺点，避免了费米能级钉扎效应，降低了暗电流，改善了光提取和光电流的收集。
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公开(公告)号：CN110257916A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910519508.5
申请日：2019-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/46 , C30B25/00 , H01L29/24 , H01L31/032
Abstract: 一种锰铟硒晶体、其制备方法、二维磁性半导体材料、光探测器及场效应晶体管，该锰铟硒晶体的制备方法，包括将锰粉、铟粒、硒粉混合，得到混合物；将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到锰铟硒晶体。本发明的二维磁性半导体材料具有对于可见光的优异光响应性质，同时在温度为2K时表现出铁磁性；锰铟硒晶体采用高温管式炉制备，晶体结晶质量高，可实现大规模制备，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN106910786A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710158556.7
申请日：2017-03-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035218 , H01L31/035272 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器，以具有低暗电流和快响应速度的纳米线作为主体，然后在其表面生长具有高光电导增益的半导体材料的量子点，量子点在整个纳米线的表面均匀分布而且彼此分散，从而得到量子点修饰的纳米线一维异质结构，同时量子点与纳米线之间需要满足II型异质结构。紫外线光电探测器包括：量子点修饰的纳米线、衬底和源漏电极，量子点修饰的纳米线的两端连接源漏电极，量子点修饰的纳米线和源漏电极均位于衬底上，形成紫外线光电探测器，本发明可通过量子点修饰纳米线来增大光电探测器的光电导增益而同时又避免器件暗电流和响应时间增大。
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公开(公告)号：CN106898627A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710105895.9
申请日：2017-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种柔性紫外图像传感器的制备方法，包括：准备柔性衬底；在柔性衬底上覆盖一维无机半导体纳米线；在覆盖有一维无机半导体纳米线的柔性衬底上进一步加工以形成所述柔性紫外图像传感器。本发明采用一维无机半导体纳米线，具有较强的柔性，具有较好的光学性能，还采用了可弯曲的柔性衬底，保证了较好的弯曲柔性，同时，将源漏电极阵列作为像素点，利于每个像素点的正常工作。本发明还提供了一种柔性紫外图像传感器，包括：覆盖有一维无机半导体纳米线的柔性衬底和在所述柔性衬底上排列的源漏电极阵列。所述柔性紫外图像传感器具有体积小、质量轻、可弯曲、易携带等优点，可以在弯曲的状态下应用于图案显示，具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN103646790A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310716914.3
申请日：2013-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种线状的柔性非对称超级电容器及制作方法。所述电容器包括非对称电容器的正极材料、负极材料和电解质，其中正极材料生长在线状导电基底，负极材料涂覆在纤维后均匀缠绕在线状导电基底。所述制作方法包括：用水热法在镍丝或钛丝上生长四氧化三钴纳米线阵列用作正极，涂覆在碳纤维上的石墨烯用作负极，用PVA-KOH溶胶作为电解质；将正负电极在PVA-KOH溶胶中浸渍五分钟；将涂有石墨烯的碳纤维缠绕在生长有四氧化三钴的镍丝或钛丝上；在空气中自然干燥，去除电解质中的水分，完成电容器的制备。本发明制备的线状柔性非对称超级电容器电压范围由原来的0.0-0.5V提高到0.0-1.5V，其所储存的能量提高了1860％倍。
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