公开(公告)号：CN106910786A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710158556.7

申请日：2017-03-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 沈国震 ,  娄正 ,  李禄东

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器，以具有低暗电流和快响应速度的纳米线作为主体，然后在其表面生长具有高光电导增益的半导体材料的量子点，量子点在整个纳米线的表面均匀分布而且彼此分散，从而得到量子点修饰的纳米线一维异质结构，同时量子点与纳米线之间需要满足II型异质结构。紫外线光电探测器包括：量子点修饰的纳米线、衬底和源漏电极，量子点修饰的纳米线的两端连接源漏电极，量子点修饰的纳米线和源漏电极均位于衬底上，形成紫外线光电探测器，本发明可通过量子点修饰纳米线来增大光电探测器的光电导增益而同时又避免器件暗电流和响应时间增大。

公开(公告)号：CN106898627A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710105895.9

申请日：2017-02-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 沈国震 ,  娄正 ,  李禄东

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种柔性紫外图像传感器的制备方法，包括：准备柔性衬底；在柔性衬底上覆盖一维无机半导体纳米线；在覆盖有一维无机半导体纳米线的柔性衬底上进一步加工以形成所述柔性紫外图像传感器。本发明采用一维无机半导体纳米线，具有较强的柔性，具有较好的光学性能，还采用了可弯曲的柔性衬底，保证了较好的弯曲柔性，同时，将源漏电极阵列作为像素点，利于每个像素点的正常工作。本发明还提供了一种柔性紫外图像传感器，包括：覆盖有一维无机半导体纳米线的柔性衬底和在所述柔性衬底上排列的源漏电极阵列。所述柔性紫外图像传感器具有体积小、质量轻、可弯曲、易携带等优点，可以在弯曲的状态下应用于图案显示，具有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN106910786B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201710158556.7

申请日：2017-03-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 沈国震 ,  娄正 ,  李禄东

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种针对紫外光探测的量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器，以具有低暗电流和快响应速度的宽禁带半导体纳米线作为主体，然后在其表面生长具有高光电导增益的宽禁带半导体材料的量子点，量子点在整个纳米线的表面均匀分布而且彼此分散，从而得到量子点修饰的纳米线一维异质结构，同时量子点与纳米线之间需要满足II型异质结构。紫外线光电探测器包括：量子点修饰的纳米线、衬底和源漏电极，量子点修饰的纳米线的两端连接源漏电极，量子点修饰的纳米线和源漏电极均位于衬底上，形成紫外线光电探测器，本发明可通过量子点修饰纳米线来增大光电探测器对紫外光的光电导增益而同时又避免器件暗电流和响应时间增大。