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公开(公告)号：CN109233283B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201810863857.4
申请日：2018-08-01
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种可用作应变传感器的三维石墨烯复合材料及其制备方法。一种三维石墨烯/PDMS复合材料的制备方法，包括：将石墨烯和分散剂分散在溶剂中，得到石墨烯悬浮液；在石墨烯悬浮液中加入聚二甲基硅氧烷PDMS和固化剂，混合后并干燥，得到打印浆料；利用3D打印工艺，将打印浆料逐层叠加打印，得到三维结构的样品；将所得样品经固化后，得到所述三维石墨烯/PDMS复合材料。
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公开(公告)号：CN110894164A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811068099.3
申请日：2018-09-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/50 , C04B35/16
Abstract: 本发明涉及一种稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，所述稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料包括纤维预制体、用于填充纤维预制体的SiC基体、环状分布在纤维预制体中纤维表面和SiC基体之间的至少2层稀土硅酸盐层、以及位于相邻稀土硅酸盐层之间的SiC层；优选地，所述稀土硅酸盐层的层数为2～3层。
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公开(公告)号：CN110304931A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910585220.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种高体积分数碳化硅纳米线增强陶瓷基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）将碳化硅纳米线和分散剂分散于溶剂中，得到碳化硅纳米线悬浮液；（2）将所得碳化硅纳米线悬浮液经抽滤后，得到碳化硅纳米线预制体；（3）采用化学气相沉积工艺或化学气相渗透工艺对所得碳化硅纳米线预制体进行界面修饰；（4）采用化学气相渗透工艺和有机前驱体浸渍裂解工艺中至少一种对所得碳化硅纳米线预制体进行致密化处理，得到所述高体积分数碳化硅纳米线增强陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN106588060B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610990055.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573
Abstract: 本发明涉及一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，包括：采用含有高产碳率树脂、低残碳率有机聚合物的前驱体液浸渍纤维预制体中，裂解后获得纤维/C熔渗预制体；以及将熔融的Si或熔融的Si与金属的合金渗入所述纤维/C熔渗预制体中进行熔渗反应，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。本发明通过添加低残碳率聚合物改变熔渗预制体中树脂裂解形成的碳的结构，促进反应熔渗时硅和碳的接触和反应，熔渗后金属在基体中呈弥散状分布并且有效避免了块状残余碳和块状残余金属的产生，从而显著提高复合材料的力学性能和热导率。
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公开(公告)号：CN108585906A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810368778.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/84 , C04B35/622 , C04B35/56 , C04B35/565
CPC classification number: C04B35/806 , C04B35/5622 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/5248 , C04B2235/96
Abstract: 本发明提供一种Cf/ZrC-SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，所述方法包括：（1）将造孔剂、碳源和ZrC陶瓷前驱体混合，得到改性后的ZrC-C陶瓷前驱体；（2）将改性后的ZrC-C陶瓷前驱体引入碳纤维预制体中，再经固化-裂解-碳热还原后，得到纳米多孔Cf/ZrC-C预成型体；（3）将熔融硅或熔融硅锆合金渗入Cf/ZrC-C多孔预成型体中进行熔渗反应，得到所述Cf/ZrC-SiC超高温陶瓷基复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107686351A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710586749.2
申请日：2017-07-18
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/5622 , C04B35/62277 , C04B2235/6562
Abstract: 本发明涉及一种碳化锆陶瓷纤维及其制备方法，所述制备方法包括：将水溶性锆源和碳源溶于水中，得到碳化锆前驱体溶液；将纺丝助剂加入所得碳化锆前驱体溶液中，再经浓缩、脱泡后，得到碳化锆陶瓷纤维原丝纺丝液；采用离心纺丝将所得碳化锆陶瓷纤维原丝纺丝液在30～70℃下制成碳化锆陶瓷纤维原丝，所述离心纺丝的转速为1000～20000 r/分钟；将所得碳化锆陶瓷纤维原丝进行热处理，得到所述碳化锆陶瓷纤维。本发明通过配制水溶性前驱体及纺丝温度的调控，解决了室温下离心纺丝效率低的问题，工艺操作简单，对设备的要求较低，成本低廉。
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公开(公告)号：CN105272262B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510638187.2
申请日：2015-09-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/565
Abstract: 本发明涉及一种提高SiC/SiC陶瓷基复合材料致密度的方法，包括以下步骤：（1）将具有一定致密化程度的SiC/SiC陶瓷基复合材料浸没于均匀分散有有机前驱体和SiC粉体的浆料中，在真空度为5～10KPa的环境中浸渍20～50分钟；（2）将真空浸渍后的材料干燥后进行交联固化；（3）将交联固化后的材料进行裂解处理；（4）将裂解处理后的材料在含有Si和C元素的气态前体的氛围中采用化学气相渗透工艺进行进一步的致密化处理，其中渗透温度为850℃～1100℃，压强为10～20KPa，渗透时间为4～30小时。该方法具备操作简单，致密化时间较短，具有很好的可重复性，致密化效率高，在填充材料孔隙方面具有明显的优势，是一种极具操作性和发展前途的方法。
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公开(公告)号：CN106507851B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201318009074.8
申请日：2013-12-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C23C16/32 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明公开了一种低热膨胀系数的纤维增强陶瓷基复合材料的制备方法，包括：首先、进行纤维预制体结构编织，所述纤维预制体的材料为碳纤维或碳化硅纤维，或二者的组合；其次、在纤维预制体表面制备界面相；第三、先采用化学气相沉积工艺，再采用有机前驱体浸渍裂解工艺对纤维预制体进行致密化处理。通过本发明可以得到热膨胀系数低的纤维增强陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN102945950B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210489224.4
申请日：2012-11-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01M4/38
Abstract: 本发明公开了一种在金属集流器上原位生长碳纳米管阵列的方法，所述方法包括制备具有催化剂层/缓冲层/金属箔三层结构的基底及采用热CVD法在上述基底上原位生长碳纳米管阵列步骤。由本发明方法生长的碳纳米管阵列的高度可达80～300μm，直径达6～20nm，少壁且每根碳纳米管均与集流器直接牢固结合。经实验得知：所制备的碳纳米管阵列负极材料在低速和高速充放电条件下均具有高比容量，循环稳定性好。且本发明方法具有工艺简单、设备要求低等优点，所制备的碳纳米管阵列具有作为支架加载其它活性材料制备高性能复合电极材料的巨大潜力，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103086731B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110335174.X
申请日：2011-10-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/584 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/62868 , B82Y30/00 , C04B35/571 , C04B35/573 , C04B35/62863 , C04B35/62873 , C04B35/62894 , C04B35/62897 , C04B35/806 , C04B2235/3813 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/386 , C04B2235/3873 , C04B2235/483 , C04B2235/524 , C04B2235/5244 , C04B2235/5248 , C04B2235/5252 , C04B2235/5256 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B2235/80 , C04B2235/96
Abstract: 本发明涉及高强度纤维增强陶瓷基复合材料的微区原位反应制备方法，提供了一种高强度纤维增强陶瓷基复合材料的微区原位反应制备方法，该方法包括以下步骤：(i)在复合材料纤维预制体表面沉积界面层以对纤维增强体进行保护，其中，所述界面层包括PyC界面、BN界面、SiC界面、以及它们的复合界面；所述界面层的厚度为10-2000nm；(ii)向所述复合材料纤维预制体的孔隙中引入Si3N4陶瓷相，以获得复合材料预成型体；(iii)将所述复合材料预成型体进行致密化处理，获得高强度纤维增强陶瓷基复合材料，其中，所述致密化处理包括高温处理，使得Si3N4与复合材料中的含碳相之间通过相互扩散而发生微区原位反应形成SiC相，其中，所述高温处理的温度为1200-2300℃。
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