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公开(公告)号：CN115020582A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210604281.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种多阻型磁性器件及其制备方法和应用，对磁性器件的自由层进行特殊化处理：(1)拼接式生长自由层，拼接部分由不同的铁磁材料构成，在拼接处设置上述磁性器件；(2)自由层由单一铁磁材料构成，但在自由层表面且远离势垒层或空间层一侧均匀增添杂质，利用杂质使自由层磁畴自主分畴。两种处理方式可实现器件的多阻态特性，代表一个该器件可以存储超过一比特的信息，多个该器件可实现更多的随机数组合。本发明可通过全电学操控，具有多阻值、随机性、强拓展性、低能耗、与CMOS制程兼容等优点，只需在现有器件制备工艺基础上稍作改进，有效降低器件、阵列及其组成的芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN114629478A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011454590.7
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/284
Abstract: 本发明提供一种多级信号选择电路、时序调整系统及方法，包括：多级信号选择模块，对输入信号进行多级延迟，输出多级延迟信号；选通模块，基于控制信号选择对应的延迟信号输出；时序调整电路，基于多级信号选择电路输出的时钟信号对超导控制信号进行采样，以得到用于CMOS电路的控制信号。本发明的多级信号选择电路、时序调整系统及方法解决了超导电路与CMOS电路信号交换及同步的时序调节问题，针对时钟信号等需要延迟的信号进行时序上的选择和延迟调节，更加有效地满足CMOS电路及SRAM的工作需求。
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公开(公告)号：CN111220820B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010061077.5
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明公开了一种精确定位鳍式场效应晶体管的原子探针针尖样品制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管进行预处理，根据预处理后两个相邻切割面的表面电路布局图得到的第一沉积保护层和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的栅极位置，对其位置进行定位标记，对第一截面的表面进行保护层沉积，并根据未被覆盖的第一定位标记位置找到原被覆盖的第一定位标记的位置得到第二定位标记，并根据此第二定位标记进行切割处理，从而形成含有鳍式场效应晶体管针尖样品。本发明提出的制备方法能对所需分析结构进行精准定位，实现了两种截面方向精准定位制样，分别为沿着穿过Fin的方向制样或沿着穿过Gate的方向制样，制样时间缩短且制备流程高效可靠。
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公开(公告)号：CN113764459A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111045202.4
申请日：2021-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温磁性超导混合存储单元及存储器，存储单元包括：串联设置或并联设置的电压调控磁各向异性磁隧道结及超导纳米线低温管；电压调控磁各向异性磁隧道结包括依次叠置的参考层、势垒层及自由层；超导纳米线低温管为三端器件，包括沟道端、源端及漏端，于沟道端施加栅电流用于控制沟道端电阻的变化，以使超导纳米线低温管实现具有门控功能的逻辑开关。通过将电压调控磁各向异性磁隧道结及超导纳米线低温管结合形成存储单元，充分结合了两者的优势，同时考虑两者工艺上的兼容性，可显著提高现有存储单元的读写速度(具有亚纳秒写入速度)、有效降低功耗、增加单元集成密度，尤其适用于大规模低温存储器领域。
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