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公开(公告)号：CN113114158A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110512905.7
申请日：2021-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种兰姆波谐振器及弹性波装置，所述兰姆波谐振器包括：支撑衬底；压电薄膜，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电薄膜的上表面；高热导率薄膜，至少形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面，及/或，形成于所述支撑衬底和所述压电薄膜之间；空气腔，形成于所述支撑衬底中，并使叉指电极所在区域的压电薄膜和高热导率薄膜悬空于所述支撑衬底上方。通过本发明提供的兰姆波谐振器及弹性波装置，解决了现有器件功率容量低的问题。
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公开(公告)号：CN110601674A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910925098.4
申请日：2019-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/10
Abstract: 本发明提供一种高频声波谐振器及其制备方法，高频声波谐振器至少包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上表面的图案化介质层；位于所述图案化介质层表面的压电膜；位于所述压电膜表面的图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法，通过在压电膜下方形成图案化介质层，可极大减少压电膜中传播的高频声波能量向衬底泄露，从而形成高频谐振，并使高频声波谐振器保持较高的Q值，并且由于图案与介质材料的可调整性，使得高频声波谐振器综合性能可以根据实际情况进行参数选择。
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公开(公告)号：CN110138356A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910576571.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高频声表面波谐振器及其制备方法，所述高频声表面波谐振器包括：高波速支撑衬底，位于所述高波速支撑衬底上表面的压电膜，及位于所述压电膜上表面的顶电极；其中，所述高波速支撑衬底中传播的体波波速大于所述压电膜中传播的目标弹性波波速。通过本发明提供的高频声表面波谐振器及其制备方法，解决了现有声表面波谐振器的工作频率较低的问题。
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公开(公告)号：CN116837463B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202310739417.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及信息功能材料技术领域，尤其涉及一种基于碳化硅的调制器件制备方法及调制器件。方法包括：在碳化硅外延基底上制备外延碳化硅薄膜层；对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域中制备调制器件结构；制备第一器件保护层，并将第一支撑衬底与第一器件保护层进行键合；去除碳化硅外延基底；将第二支撑衬底与调制器件结构键合，去除第一支撑衬底和第一器件保护层，得到基于碳化硅的调制器件。通过对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域进行调制器件结构制备，从而可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅在集成光系统中的高效、高速光调制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118131391A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410057156.7
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种模式交叉抑制的集成光子芯片、制备方法器件及设备。该模式交叉抑制的集成光子芯片，包括：支撑衬底和设置在支撑衬底上的钽酸锂器件层；钽酸锂器件层的材质为X切型的钽酸锂；钽酸锂器件层中形成有光传输波导，光传输波导中至少部分波导为弯曲波导。通过采用X切型的钽酸锂在支撑衬底形成钽酸锂器件层，由于X切型的钽酸锂具有较小的双折射效应，从而不会在弯曲波导中出现的模式交叉效应，因此可以实现高品质因子的集成光子芯片。而且由于钽酸锂的制备成本较为低廉，因此还能够降低集成光子芯片的生产成本。
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公开(公告)号：CN118039727A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410057181.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本申请实施例涉及一种钽酸锂‑氮化硅光电芯片的制备方法及光电芯片，制备方法包括：提供绝缘体上钽酸锂材料；绝缘体上钽酸锂材料包括上下分布的钽酸锂薄膜层和衬底层；采用晶圆键合法在钽酸锂薄膜层上制备氮化硅薄膜层；去除部分氮化硅薄膜层，形成图案化氮化硅薄膜层；在钽酸锂薄膜层上制备金属电极，形成钽酸锂‑氮化硅光电芯片；金属电极和图案化氮化硅薄膜层的位置分离。本申请实施例中，通过采用晶圆键合法形成钽酸锂‑氮化硅异质结构，避开高温沉积氮化硅工艺，确保钽酸锂的极化完整性；通过刻蚀氮化硅形成钽酸锂‑氮化硅异质波导，避开刻蚀钽酸锂这一复杂工艺，充分利用钽酸锂低成本、微波特性和电光属性优良的优势，满足了光电芯片需求。
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公开(公告)号：CN116837463A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310739417.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及信息功能材料技术领域，尤其涉及一种基于碳化硅的调制器件制备方法及调制器件。方法包括：在碳化硅外延基底上制备外延碳化硅薄膜层；对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域中制备调制器件结构；制备第一器件保护层，并将第一支撑衬底与第一器件保护层进行键合；去除碳化硅外延基底；将第二支撑衬底与调制器件结构键合，去除第一支撑衬底和第一器件保护层，得到基于碳化硅的调制器件。通过对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域进行调制器件结构制备，从而可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅在集成光系统中的高效、高速光调制。
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公开(公告)号：CN116736600A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310641469.2
申请日：2023-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微环型声光调制器及制备方法，所述调制器包括：衬底、异质集成薄膜，其中异质集成薄膜包括键合的SiC薄膜与LN压电薄膜；所述异质集成薄膜与衬底键合；所述声光调制器还设有光波导结构和声学组件。本发明利用两种便利的绝缘体上薄膜制备工艺使LN和SiC二者的优良特性相结合，将高质量SiC薄膜、LN薄膜转移到绝缘衬底上，极大地优化了多层薄膜结构的集成难度，同时在SiC/LN/绝缘层结构上得到可适配光学微环谐振腔的弯曲对称叉指电极结构。所述设计可以有效地兼容传统加工工艺，实现单一、高效的声光耦合调制，预计可为实现片上光频梳、光孤子等非线性效应的多维调控提供新的解决途径。
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公开(公告)号：CN115356806A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210926873.X
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种能够控制铌酸锂波导侧壁倾角的刻蚀方法，包括：提供预先制备的LNOI片作为衬底；在LNOI片的表面沉积SiO2层，作为刻蚀波导层的SiO2硬掩模；在SiO2层的表面旋涂双层电子束胶，并在LNOI片上限定出波导图案；在双层电子束胶的表面以及曝光出波导图案的区域沉积金属层，并将波导图案转移至金属层，作为刻蚀SiO2层的金属硬掩模；使用SF6和O2的混合气体对SiO2层进行刻蚀，并去除剩余的金属硬掩模；使用氯基气体和氩气的混合气体对波导层进行刻蚀，并调节氯基气体和氩气的比例，以对铌酸锂波导的侧壁倾角进行控制；去除剩余的SiO2硬掩模，并使用RCA标准清洗法进行清洗，获取最终的基于LNOI的铌酸锂波导。
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