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公开(公告)号：CN102386239A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010271246.4
申请日：2010-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/868 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法，其结构包括：半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层；P型高掺杂层上沉积低介电常数材料保护层，二极管的阳极和阴极处于保护层之上的同一平面，通过开窗口分别与P型和N型高掺杂层形成欧姆接触；阳极的接触电极和引出电极之间连接区域的下方刻蚀有沟槽可实现平面的空气桥结构。利用本发明，在不影响器件关断电容的情况下能有效降低导通电阻，同时，平面结构有效降低了工艺难度，提高了工艺成品率，更有利于实现开关二极管的互联集成以及开关单片电路的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101591811B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910054392.9
申请日：2009-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B29/40 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种GSMBE制备III-V化合物半导体纳米管结构材料的方法，包括：在GSMBE系统中，对衬底进行预处理；将砷烷裂解得到As2用作As源，调节气源炉AsH3压力Pv为450～700Torr，并控制各分子束流强度；然后将衬底传递至GSMBE的生长室进行外延生长；通过半导体刻蚀工艺制作图形，经腐蚀后制作成III-V族化合物半导体纳米管结构材料。该III-V族化合物半导体材料体系选择余地大，来源方便，并且可以对纳米管内外壁材料进行掺杂；制备方法操作简单，成本低，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN101591811A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910054392.9
申请日：2009-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B29/40 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种GSMBE制备III－V化合物半导体纳米管结构材料的方法，包括：在GSMBE系统中，对衬底进行预处理；将砷烷裂解得到As2用作As源，调节气源炉AsH3压力PV为450～700Torr，并控制各分子束流强度；然后将衬底传递至GSMBE的生长室进行外延生长；通过半导体刻蚀工艺制作图形，经腐蚀后制作成III－V族化合物半导体纳米管结构材料。该III－V族化合物半导体材料体系选择余地大，来源方便，并且可以对纳米管内外壁材料进行掺杂；制备方法操作简单，成本低，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN206922490U
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201621373646.5
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种微型化、低功耗、长寿命资产追踪终端，包括三维定位装置、远程传输装置、MCU、能量储存装置、能量捕获装置及充电控制电路；MCU设置为控制三维定位装置采集待追踪资产的三维位置信息，并控制远程传输装置将三维位置信息上传至一远程上位机；能量储存装置与MCU连接，设置为给MCU供电；能量捕获装置与能量储存装置连接，设置采集光能并将采集到的光能转换成电能以给能量储存装置充电；充电控制电路与能量储存装置和充电装置连接，设置为采集外部环境光强和能量储存装置电量，并根据外部环境光强和能量储存装置电量控制能量捕获装置进行充电操作。本实用新型的资产追踪终端体积小、功耗低、寿命长，能够实现对资产的远程实时追踪。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN202949024U
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201220438872.2
申请日：2012-08-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及可用于实现太赫兹特异介质的电磁谐振单元结构。其特征在于所述的第一种电磁谐振单元结构由一个“工”字形封闭的金属环组成；第二种电磁谐振单元结构是在两个嵌套的闭合金属环之间加两个“T”形金属条组成；第三种电磁谐振单元结构是将两个开口金属环用金属条相连，内环与相邻单元的外环相连。当太赫兹电磁波垂直入射时，介质表现出负的介电常数或磁导率，从而得到三种电磁谐振单元结构可实现太赫兹波段的特异介质，具有结构简单，制作成本低，并且具有宽频带的优点，可以有效地应用于太赫兹功能器件的设计。
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公开(公告)号：CN202004155U
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201120046588.6
申请日：2011-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种毫米波全息成像系统前端收发阵列天线与开关的集成结构，包括M个第一射频PCB、第二射频PCB、第一板体、第二板体、封装盖体和开关逻辑控制接口，每个第一射频PCB上集成有N个平面微带缝隙天线和一个第一级开关；第一级开关的输出端数目为N个，分别与N个平面微带缝隙天线相连；M个第一射频PCB固定在第一板体上；第二射频PCB上集成有一个第二级开关；第二开关的输出端数目为M个，分别与M个第一级开关的输入端相连；第二射频PCB固定在第二板体上；第一板体和第二板体的一侧均设有开关逻辑控制接口；第一板体和第二板体封装在封装盖体内；其中，M，N≥2。本实用新型结构紧凑，易于装配和拆卸，降低了成本。
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