公开(公告)号：CN102254927A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010177777.7

申请日：2010-05-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴良才 ,  倪鹤南 ,  宋志棠 ,  周夕淋 ,  饶峰

IPC: H01L27/24 ,  H01L29/861 ,  H01L29/12 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明涉及一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器，包括选通管和与之连接的阻变存储单元，所述阻变存储单元至少包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变存储介质，其中所述选通管为宽带隙半导体二极管，所述宽带隙半导体二极管为采用宽带隙半导体材料的p-n结二极管或肖特基二极管。本发明利用宽带隙半导体二极管作为选通管，由于宽带隙半导体二极管不仅具有高速开关、低热导率、耐高压等特性，而且具有很强的抗辐照能力，因此可制备出高速、高密度、抗辐射的RRAM芯片。

公开(公告)号：CN102134698A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010619496.2

申请日：2010-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 彭程 ,  吴良才 ,  饶峰 ,  宋志棠 ,  刘波 ,  周夕淋 ,  朱敏

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C11/56 ,  C01B19/007 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法。该相变材料是一种由铝、锑、碲三种元素组成的混合物，其通式为Alx(SbyTe1)1-x，其中0＜x≤0.85，0.67≤y≤7，可采用磁控溅射的方法制备。所述的材料在外部作用下为电驱动。通过调节化合物中三种元素的含量可以得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。由于铝、锑、碲三种元素之间可以两两成键，因而可调性非常强，使得其在相当大的范围内都具有相变特性。适当调节中元素比例，得到的材料比传统的材料有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力和较低的熔点，而且继承了的快速相变能力。另外Al元素是微电子应用中的常用元素，工艺成熟，与COMS兼容性好。