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公开(公告)号：CN110676169B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910837111.0
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/16
Abstract: 本发明适用于石墨烯晶体管制备技术领域，提供了一种石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，包括：在第一预设衬底上生长h‑BN薄膜并利用第一光刻胶制备h‑BN台面样品；将h‑BN台面样品去除第一预设衬底后通过热释放胶带转移到石墨烯上，并去除热释放胶带以及第一光刻胶，获得石墨烯样品；其中石墨烯样品包括h‑BN台面；对石墨烯样品进行第一次刻蚀，获得较h‑BN台面大的石墨烯台面；在石墨烯台面以及h‑BN台面上分别制备源极、漏极以及栅极，获得石墨烯胶囊封装晶体管。本发明的石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，可以使源极和漏极与石墨烯台面形成水平面内电极接触，从而降低接触电阻，降低石墨烯胶囊封装晶体管的制备难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN112309846B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011032709.1
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体晶体管技术领域，具体公开一种二维材料场效应晶体管的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在绝缘衬底上生长或转移二维材料层；在所述二维材料层表面依次蒸镀第一金属层和第二金属层；旋涂台面胶，光刻显影，腐蚀台面外金属；去除台面胶，旋涂电极光刻胶，光刻显影，蒸镀源漏电极并剥离；旋涂电子束光刻胶，曝光并显影，得到沟道图形，腐蚀第二金属层得栅槽，并清洗；使栅槽处第一金属层自氧化得到栅介质，蒸发栅金属并剥离。本发明提供的制备方法只腐蚀沟道处的第二金属层，使第一金属层自氧化形成栅介质，沟道处的二维材料不接触任何溶液避免污染问题出现，得到超洁净的二维材料场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN114686971A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210213400.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C30B25/00 , C30B29/04 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供了一种MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法，属于气相沉积技术领域，包括：钼托底座以及分体的钼环，钼环层叠置于钼托底座上，且其外表面不凸出于钼托底座的外表面，钼环具有外接于金刚石衬底的通孔。本发明提供的MPCVD单晶金刚石生长钼托，能够解决金刚石衬底与卡槽侧壁的面面接触导致散热不均、结碳层难于清理、及金刚石衬底移动的问题。钼托结构简单，便于操作，在金刚石生长过程中，散热均匀，成本低廉，便于清洁，解决了在单晶金刚石生长时存在的一系列问题，对于研究高质量单晶金刚石的生长具有重大意义。
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公开(公告)号：CN114114095A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111274174.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明适用于传感器技术领域，提供了一种基于金刚石NV色心的磁力测量系统，包括：激光器、金刚石NV色心、光纤、光纤准直器、滤光片、光电探测器、微波天线及微波源；微波天线设置在金刚石NV色心的正上方，与微波源连接，用于扫频；激光器发射的激光光束由入射位进入金刚石NV色心内部；金刚石NV色心在在微波天线的影响下激发产生荧光，荧光由出射位通过光纤形成出射光束；出射光束经光纤准直器形成平行光，并通过滤光片滤光后入射到光电探测器。本发明采用光纤集成金刚石NV色心光学腔体有效提高了荧光的激发效率，同时金刚石NV色心表面镀反射膜，提高了荧光的收集率，从而提高了磁力测量系统的测量精度。
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公开(公告)号：CN113871465A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110994689.4
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种金刚石场效应晶体管及制备方法，属于金刚石场效应晶体管器件技术领域，金刚石场效应晶体管包括金刚石衬底、氢终端、欧姆接触金属层、介质层、h‑BN介质层和栅金属层，晶体管制备方法包括在金刚石衬底上形成氢终端‑在氢终端金刚石上形成欧姆接触金属层‑在欧姆接触金属层上和氢终端上形成介质层‑在介质层上形成刻蚀槽‑在介质层上和刻蚀槽内形成h‑BN介质层‑在h‑BN介质层与刻蚀槽对应的区域设置有栅金属槽‑在栅金属槽内和与栅金属槽相邻的h‑BN介质层上形成栅金属层。本发明提供的金刚石场效应晶体管及制备方法，具有降低金刚石场效应晶体管的界面态密度，提升器件的直流和射频性能的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111547711B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010343552.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基扭曲多层石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在碳化硅基底上进行石墨烯材料的生长，以氢气作为载气，通入气态碳源，在1500‑1700℃和910‑990mbar下生长10‑45min，得碳化硅基扭曲多层石墨烯材料，其中，相邻两层石墨烯之间形成了30°的扭曲夹角。本发明提供的在SiC衬底上生长石墨烯材料的方法，有助于制备表面均匀平坦、晶体质量高、电学特性优良的碳化硅基扭曲多层石墨烯材料，且具有无需衬底转移、易与Si基半导体工艺相结合的优点。
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公开(公告)号：CN112309846A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011032709.1
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体晶体管技术领域，具体公开一种二维材料场效应晶体管的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在绝缘衬底上生长或转移二维材料层；在所述二维材料层表面依次蒸镀第一金属层和第二金属层；旋涂台面胶，光刻显影，腐蚀台面外金属；去除台面胶，旋涂电极光刻胶，光刻显影，蒸镀源漏电极并剥离；旋涂电子束光刻胶，曝光并显影，得到沟道图形，腐蚀第二金属层得栅槽，并清洗；使栅槽处第一金属层自氧化得到栅介质，蒸发栅金属并剥离。本发明提供的制备方法只腐蚀沟道处的第二金属层，使第一金属层自氧化形成栅介质，沟道处的二维材料不接触任何溶液避免污染问题出现，得到超洁净的二维材料场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN109273354B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811045165.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/04 , H01L29/417 , H01L29/45
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石器件及其制备方法。所述制备方法包括：在金刚石的源电极区和漏电极区沉积石墨烯催化层；将沉积石墨烯催化层的金刚石进行退火处理，在所述金刚石中的源电极区和漏电极区形成石墨烯层；在所述石墨烯层与源电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触源电极，在所述石墨烯层与漏电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触漏电极。本发明能够降低金刚石器件的源极和漏极的欧姆接触电阻，提高金刚石器件的频率性能，进而也提高了金刚石器件的性能。
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公开(公告)号：CN112174121A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011034039.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在金属衬底表面生长石墨烯层；采用电子束蒸发法在石墨烯层上形成可与石墨烯形成低范德华力结合的金属层；在所述金属层上形成光刻胶层；将含胶软膜粘附在所述光刻胶层表面，剥离所述金属层和光刻胶层。本发明提供的制备大尺寸清洁石墨烯的方法，无需特殊控制操作环境的，独创性地利用材料界面间的范德华力的差异，实现了大尺寸石墨烯表面无定形碳的剥离，将石墨烯表面处理至原子级的洁净，对于扩大石墨烯在光电领域的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110395727B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910695721.1
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于色心金刚石制备技术领域，提供了一种色心金刚石制备方法及色心金刚石，该方法包括：沿长方体状的金刚石的最短边的长度方向对长方体状的金刚石的任意一个最短边进行切削，形成凹弧形切削面；对切削后的金刚石进行处理产生色心；在产生色心的金刚石除凹弧形切削面外的其他面上均镀上复合膜；其中，复合膜包括高反射率镀层。激光由凹弧形切削面入射，提高了激光的光程。同时复合膜具有高反射率，可以避免激光和荧光被折射出金刚石，提高了荧光的收集率及激光的激发效率。
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