-
公开(公告)号：CN101751543A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810227992.6
申请日：2008-12-04
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明用于超高频无源电子标签密集型阅读器访问时，防止标签被同一阅读器重复读取。当密集型阅读器读取无源标签时，无源电子标签间歇性断电，标签标志位状态必须在断电的情况下依旧保持其状态信息时间大于2秒。本电路由对称状态信息保持电路、差分放大器和上电复位控制电路组成。在标签断电的情况下，状态信息保持在状态信息保持电路的电容上面，当标签下次上电时，首先上电复位信号有效，输出复位；当上电复位信号无效时，状态信息经过差分放大器放大输出，保持上一次的信息。
-
公开(公告)号：CN105575948A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510753093.X
申请日：2015-11-09
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/58
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/58
Abstract: 本发明公开了一种芯片保护方法，包括：检测芯片中氧化物半导体(MOS)管的衬底电流或衬底电压；将获得的所述衬底电流或衬底电压与预设的电流或电压阈值进行比较，在所述衬底电流或衬底电压超过预设的电流或电压阈值时，产生报警信号。
-
公开(公告)号：CN103647146B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310636667.6
申请日：2013-12-03
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种RFID超高频标签天线的匹配方法。本发明的特点是将传统的三电感T型匹配扩展为三传输线T型匹配。三传输线T型匹配获得的提高包括，一是解决了参考面后移的问题，只需要在一个固定的参考面上观察阻抗，二是可以控制某个频段内的阻抗图形，而不是只考虑单频率点，所以有利于宽带匹配。三是将环形结构之外的天线部分也考虑进阻抗匹配方法中来。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887284A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210563690.2
申请日：2012-12-24
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H01L23/58
Abstract: 本发明公开了一种基于深N阱(Deep？Nwell)层垮芯片保护环(Sealring)的连接结构，这种连接结构在芯片垮划片槽传输信号的同时避免破坏本芯片的保护环(Sealring)。该器件包括埋于衬底中的深N阱(Deep？Nwell)，作为电阻两端的N阱(Nwell)、Ndiff(N+注入)、Metal(金属)。条带状的Deep？Nwell通过与之接触的Nwell延伸至衬底表面，Nwell中的Ndi？ff与Metal形成欧姆接触，分别接外部信号线。
-
公开(公告)号：CN103679078A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210351418.8
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 通常的编码电路使用数字电路进行解码，这就要求数字电路的时钟具有足够高的频率。在芯片电路设计中，高的时钟频率就意味着较高的电路功耗。本发明公开了一种超高频脉冲间隔编码的模拟解码电路，利用多种模拟采样电路，实现了无时钟的脉冲间隔编码的模拟电路解码方法。
-
公开(公告)号：CN103679077A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210351412.0
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 通常的编码电路使用数字电路进行解码，这就要求数字电路的时钟具有足够高的频率。在芯片电路设计中，高的时钟频率就意味着较高的电路功耗。本发明公开了一种脉冲间隔编码的解码电路，利用模拟时钟采样电路，实现了无外输时钟的脉冲间隔编码的模拟电路解码方法。
-
公开(公告)号：CN102110221B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200910243489.4
申请日：2009-12-23
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明是一种用于实现超高频无源电子标签“块写”功能的方法。目前超高频无源电子标签18000-6C(EPC G2)协议规定了标签的“块写”命令，但没有具体的实现方法和流程，基于标准CMOS工艺的可擦写存储器也无法实现本功能。本发明在基于标准CMOS工艺的可擦写存储器性能基础上，结合18000-6C(EPC G2)协议，提出了“块写”命令的实现过程及标签和阅读器的交互过程，保证“块写”命令的可实现性，并给出相应的实现方法。
-
公开(公告)号：CN203085759U
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201220720052.2
申请日：2012-12-25
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H01Q1/38
Abstract: 本实用新型公开的一种完全平面抗金属RFID超高频标签天线。通常的抗金属天线采用双层或者多层电路板，价格较高，所以发展了完全平面抗金属标签。普通的完全平面抗金属标签不采用偶极子方式，所以对尺寸限制严格。本实用新型的特色是在普通变形偶极子天线基础上作了改进，使得变形偶极子标签天线在靠近金属的时候也能发挥不错的性能。所以，很好的继承了普通空气标签的低成本、使用灵活等特征。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.057 seconds)
