公开(公告)号：CN103887284A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210563690.2

申请日：2012-12-24

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 董浩然 ,  崔葛 ,  沈红伟

IPC: H01L23/58

Abstract: 本发明公开了一种基于深N阱(Deep？Nwell)层垮芯片保护环(Sealring)的连接结构，这种连接结构在芯片垮划片槽传输信号的同时避免破坏本芯片的保护环(Sealring)。该器件包括埋于衬底中的深N阱(Deep？Nwell)，作为电阻两端的N阱(Nwell)、Ndiff(N+注入)、Metal(金属)。条带状的Deep？Nwell通过与之接触的Nwell延伸至衬底表面，Nwell中的Ndi？ff与Metal形成欧姆接触，分别接外部信号线。

公开(公告)号：CN103887284B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201210563690.2

申请日：2012-12-24

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 董浩然 ,  崔葛 ,  沈红伟

IPC: H01L23/58

Abstract: 本发明公开了一种基于深N阱(Deep Nwell)层跨芯片保护环(Sealring)的连接结构，这种连接结构在芯片跨划片槽传输信号的同时避免破坏本芯片的保护环(Sealring)。该器件包括埋于衬底中的深N阱(Deep Nwell)，作为电阻两端的N阱(Nwell)、Ndiff(N+注入)、Metal(金属)。条带状的Deep Nwell通过与之接触的Nwell延伸至衬底表面，Nwell中的Ndiff与Metal形成欧姆接触，分别接外部信号线。