碳化硅场效应晶体管的体二极管退化试验电路及其控制方法

    公开(公告)号:CN118209832A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202410387700.4

    申请日:2024-04-01

    Inventor: 陈义强 侯波 陈媛

    Abstract: 本申请涉及一种碳化硅场效应晶体管的体二极管退化试验电路及其控制方法,该体二极管退化试验电路包括:待试验组件、驱动模块、开关模块、储能模块和电源模块;其中,待试验组件包括至少一碳化硅场效应晶体管,开关模块的控制端与驱动模块连接,开关模块的第一端与电源模块的正极连接,开关模块的第二端与待试验组件的第一端连接;储能模块分别与开关模块的第二端、待试验组件的第一端、电源模块的负极、待试验组件的第二端连接;其中,驱动模块用于提供周期性的脉冲驱动电压至开关模块,控制开关模块周期性导通和关断,以产生施加在碳化硅场效应晶体管的体二极管的脉冲电流,能够有效地对SiC MOSFET体二极管的双极退化进行可靠性试验。

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