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公开(公告)号：CN109659061A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811617556.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: G21K1/02
Abstract: 本发明公开了一种发散角连续可调的中子准直器结构及其标定方法，中子准直器结构包括：中子屏蔽和吸收外壳；滑轨，固定于中子屏蔽和吸收外壳内部；第一中子准直器，固定安装于滑轨上；第二中子准直器，安装于滑轨上，沿着滑轨可进行移动，以改变中子入射方向对应的中子吸收层长度，从而实现中子发散角的连续调节；以及驱动结构，用于驱动第二中子准直器沿着滑轨进行移动。该中子准直器结构在实际应用中可以大大减少准直器的更换频率从而节约了宝贵的中子束流时间，同时减少所需准直器的数量从而节约大量的购置经费。
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公开(公告)号：CN105233700A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510587397.3
申请日：2015-09-15
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本发明涉及具有单锥形微孔的核径迹蚀刻膜的制作方法，包括以下步骤：制作双层膜，将规格相同的两张聚合物薄膜复合在一起，得到双层膜；辐照，使用加速器产生的荷能离子辐照双层膜，使辐照产生的潜径迹贯穿双层膜；蚀刻：将经过辐照的双层膜浸没在蚀刻液中进行蚀刻；烘干，将蚀刻后的双层膜烘干；分离双层膜，将烘干的双层膜的两层薄膜分离，得到具有单锥形微孔的核径迹蚀刻膜。本发明提供的制作方法，其工艺简单，易于控制，成本低，采用该方法可制作出具有小口端截面圆直径(D1)为0.1-15微米、大口端截面圆直径(D2)为0.2-20微米的单锥形微孔的重离子微孔膜。
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公开(公告)号：CN105169963A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510586666.4
申请日：2015-09-15
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本发明涉及核径迹蚀刻膜的制作方法，包括以下步骤：辐照，用加速器产生的荷能离子或反应堆产生的裂变碎片辐照聚合物薄膜；涂抗蚀刻涂层，在聚合物薄膜的一面涂敷抗蚀刻涂层；蚀刻，将经过辐照的聚合物薄膜浸没在蚀刻液Ⅰ中进行蚀刻；除抗蚀刻涂层，将在蚀刻液Ⅰ中蚀刻后的聚合物薄膜表面的抗蚀刻材料去除；烘干，将蚀刻完毕的薄膜聚合物烘干。本发明提供的制作方法，其工艺简单，易于实施，成本低，采用该方法可制作出具有小口端截面圆直径(D1)为0.1-15微米、大口端截面圆直径(D2)为0.2-20微米的单锥形微孔的核径迹蚀刻膜。
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公开(公告)号：CN104323425A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410557365.4
申请日：2014-10-20
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: A24F13/04
CPC classification number: A24F13/06
Abstract: 本发明提供一种香烟滤嘴，其包括：一滤嘴胶壁、一滤嘴胶口、一香烟插入口和一核孔膜；所述滤嘴胶壁为一腔体，两端各有一开口，一端开口用于插入香烟，为所述香烟插入口，另一端为所述滤嘴胶口；所述滤嘴胶壁的腔体中部固定着所述核孔膜，以过滤香烟烟雾中的有害物质；所述核孔膜为一层。采用核微孔膜进行对香烟烟雾过滤，能有效阻止过滤香烟脱落的纤维再次吸入肺部；有效解决香烟滤嘴烟油过滤效率低的问题；滤除香烟气体中的PM2.5颗粒，减少香烟对人体的危害。
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公开(公告)号：CN102253405B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201110179496.X
申请日：2011-06-28
Applicant: 中国原子能科学研究院
Inventor： 高建波 , 李峻宏 , 刘晓龙 , 李际周 , 陈东风 , 刘蕴韬 , 王洪立 , 孙凯 , 肖红文 , 韩松柏 , 李眉娟 , 张莉 , 吴展华 , 李天富 , 焦学胜 , 梁峰 , 杨浩智 , 王子军 , 胡瑞
Abstract: 本发明属于中子散射技术，具体涉及一种多轴中子单色器姿态调整装置。该调整装置包括机械台体以及通过电缆与机械台体相连接的控制系统，其中，所述的机械台体包括设置在底盘上的旋转台，旋转台上设有平移调节器，在平移调节器上方设有倾斜调节器，倾斜调节器上设置单色器转位转台，机械台体的各运动机构带动单色器进行多自由度的位置组合调节；所述的控制系统包括设有控制软件的工控计算机以及通过驱动器对步进电机实现控制的电机控制单元。本发明集光机电和计算机控制技术为一体，可以对中子单色器进行五自由度的运动调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101599307B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910119503.X
申请日：2009-03-12
Applicant: 中国原子能科学研究院
Inventor： 李际周 , 李峻宏 , 高建波 , 陈东风 , 刘蕴韬 , 孙凯 , 王洪立 , 韩松柏 , 李天富 , 焦学胜 , 余周香 , 租勇 , 刘荣灯 , 刘晓龙 , 杨建立 , 林永明
IPC: G21F7/00
Abstract: 本发明属于中子散射技术领域，公开了一种中子单色器的屏蔽装置。该装置为封闭的圆柱形鼓状结构，中间旋转部分是由一个带有齿圈并设置N+1个防旋电磁铁的旋转托盘，安装于其上的一个大楔块，N个分度小楔块，以及下部转盘轴承组成，大楔块与旋转托盘相互固定在一起，N个分度小楔块依次置于大楔块的缺口部位。在小楔形块的上方设置一个固定电磁铁，防旋电磁铁、固定电磁铁在通电时吸住小楔块。本发明所提供的技术方案通过软硬件配合来完成复杂的运动，结构简单，加工方便。
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公开(公告)号：CN102288626A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110200084.X
申请日：2011-07-18
Applicant: 中国原子能科学研究院
Inventor： 陈东风 , 李眉娟 , 刘晓龙 , 吴展华 , 田庚方 , 杨浩智 , 李峻宏 , 高建波 , 焦学胜 , 李天富 , 韩文泽 , 肖红文 , 余周香 , 胡瑞 , 孙凯 , 王洪立 , 刘蕴韬
IPC: G01N23/20
Abstract: 本发明公开了一种中子织构测试设备，涉及中子辐射技术领域，解决了现有技术中配备一个限制水平方向发散的准直器，而竖直方向的发散度得不到有效的限制的问题。本发明实施例提供的方案为：包括第一准直器、单色器、样品台、探测器和第三准直器，所述第三准直器包括两个相互垂直的限制中子束发散度方向的水平准直器和竖直准直器。本发明实施例适用于中子测量仪器等。
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公开(公告)号：CN102269520A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110179475.8
申请日：2011-06-28
Applicant: 中国原子能科学研究院
Inventor： 高建波 , 李峻宏 , 陈东风 , 刘蕴韬 , 王洪立 , 孙凯 , 肖红文 , 韩松柏 , 李眉娟 , 张莉 , 吴展华 , 李天富 , 焦学胜 , 梁峰 , 杨浩智 , 王子军 , 胡瑞
Abstract: 本发明涉及中子衍射样品原位实验技术，具体涉及一种用于中子衍射样品原位实验的镜面高温炉装置。其结构包括上、下两个椭球反射保温装置，椭球反射保温装置中设有椭球镜面，其中，所述的上、下两个椭球反射保温装置之间通过若干根支撑杆连接，用于放置样品的坩埚通过水平支架设置在若干根支撑杆所围成的空间中，坩埚设有加热装置。本发明所提供的镜面高温炉装置的中间部分采用支撑杆支撑连接，保证了中子束流进入和穿出样品的路径通透，减少了中子束流的吸收衰减。
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公开(公告)号：CN119852385A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411874227.9
申请日：2024-12-18
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: H01M4/505 , H01M10/054 , H01M4/131 , C01G45/1228
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属和氧同时变价的层状氧化物材料、制备方法及用途，该层状氧化物材料的化学式为：NaxMgaMnbMcNdO2，M为Ni、Cu或Fe，N为Ti；0.6≤x≤0.74,0.2≤a≤0.29，0.48≤b≤0.6，0.1≤c≤0.15，0.1≤d≤0.15，a+b+c+d＝1；所述层状氧化物材料用于钠离子电池的正极材料时，充放电过程中具有电化学活性的过渡金属离子和氧离子同时得失电子，实现过渡金属离子和氧离子的协同变价。本发明一方面实现了高的比容量，另一方面提升了氧变价的稳定性，从而有效提升层状氧化物正极的综合性能，其制备方法简单，在钠离子电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117963998A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410010741.1
申请日：2024-01-02
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: C01G53/00 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/485 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及正极材料NaxNiaCubFecMndTieMfO2中P2相和O3相比例的调控方法，该调控方法包括：按照NaxNiaCubFecMndTieMfO2的元素组成将钠源、镍源、锰源、钛源、可选的铜源、可选的铁源和其它掺杂金属M源进行混合得到原料混合物，其中0.74≤x≤0.84、0.15≤a≤0.42、0≤b≤0.15、0≤c≤0.15、0.3≤d≤0.42、0.15≤e≤0.27、0≤f≤0.1，M选自Li、Mg、Zn、Al、Co、Sn、V、Zr、La、Nb中的一种或多种；然后，在850℃‑950℃的烧结温度下，对原料混合物进行烧结，其中通过调控所述烧结温度来调控该正极材料中P2相和O3相比例。本发明的调控方法简单方便，易于实现，适合工业大规模生产，并且调控后得到的正极材料在应用于钠离子电池时综合性能优异。
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