一种氧化镁蒸镀装置
    31.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102051575B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201110002523.6

    申请日:2011-01-07

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供一种超薄基板玻璃在蒸镀过程中不会发生破裂和偏移,以保证产品合格率,且操作简单、成本低廉的氧化镁蒸镀装置。它包括一块衬底玻璃,衬底玻璃的上部放置有一对超薄基板玻璃;带有两个方孔的铝箔覆盖衬底玻璃,方孔中心对准超薄基板玻璃;使用衬底玻璃固定夹子将铝箔和衬底玻璃固定在衬底玻璃下部的铝板上,由垫有铝片的超薄基板玻璃固定夹子将超薄基板玻璃固定在衬底玻璃上,铝板固定在其下部的铝架上。

    封接固定装置及采用封接固定装置的封接方法

    公开(公告)号:CN102142344A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN201110044206.0

    申请日:2011-02-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种封接固定装置,包括衬底基板、压紧件和连接件,使用时,压紧件水平间隔设置在衬底基板上方,两者之间通过连接件定位,连接件个数为偶数,且对称设置。本发明在传统的等离子体显示屏封接方法基础上,通过采用方框型压板或两条压条来减小超薄等离子体显示屏表面上所受的压力,能有效地保护和固定超薄等离子体显示屏,提高封接效率。

    一种真空紫外平板光源
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101540262B

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN200910031217.8

    申请日:2009-04-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种真空紫外平板光源,包括前基板和后基板,前后基板由石英玻璃制成,在前基板与后基板之间设有放电腔体,在前基板上设置成对的平行电极,采用表面放电,或在前后基板设置电极,采用对向式放电方式,在电极表面上还设有介质层,在介质层上设有保护膜,放电腔体充入一定气压的工作气体,可以由Ne和Xe气的混合气体构成,在电极间施加交流脉冲,工作气体放电,在维持电流脉冲的作用下,持续产生147nm和172nm的真空紫外光,通过石英基板出射到光源外面需要处理的表面上。本发明可以产生真空紫外光的面光源,对大面积处理表面具有优越性。可以实现单面和双面真空紫外平板光源,适合不同的应用场合。

    一种高发光效率的荫罩式等离子体显示板

    公开(公告)号:CN100595863C

    公开(公告)日:2010-03-24

    申请号:CN200810156181.1

    申请日:2008-09-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种高发光效率的荫罩式等离子体显示板,涉及在后基板制备立体寻址电极的荫罩式等离子体显示板。它主要包括前、后基板及夹在前、后基板中用于支撑前、后基板的包含网格孔阵寻址的导电荫罩,荫罩为包含面孔阵列和底孔阵列的导电板,面孔与底孔属于同一个放电单元的上下表面,在后基板制备立体扫描电极,填堵了底孔空间,同时降低对向电极作用距离,以提高发光效率。

    一种测量MgO外逸电子发射电流的方法及其装置

    公开(公告)号:CN101373196A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200810155907.X

    申请日:2008-10-10

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种测量MgO外逸电子发射电流的方法及其装置,涉及一种利用金属网板构成的GEM装置测量MgO外逸电子发射电流的技术领域。本发明在真空腔体下底板的上方设置放大电流读出板,放大电流读出板上分别设置信号读出机构和读出板引出电极,下金属带孔板上连接下金属板引出电极,上金属带孔板上连接上金属带孔板引出电极,上下金属带孔板之间设置双锥形通孔的绝缘带孔板与金属孔匹配贴合,成为电子放大区,控制电子漂移间距支撑的上方设置前基板,前基板的下表面涂覆MgO膜层。本发明提供一种以将微小的MgO外逸电子发射电流在电场作用下放大,同时抑制MgO的二次电子发射,使检测到的电流能够比较准确地反映MgO的外逸电子发射电流。

    一种低饱和电流的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管

    公开(公告)号:CN111430454B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202010323101.8

    申请日:2020-04-22

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种低饱和电流的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管,该半导体具备:在P型衬底上设有有埋氧层,在埋氧层上方设有N型漂移区,其上有P型体区、场氧层和集电极区,在P型体区内设有相连的P阱,在P阱内设有P型发射极区,在P型发射极区上设有N型发射极区,在P型体区、P阱、P型发射极区、场氧层和集电极区上方设有氧化层,在场氧层与氧化层之间设有多晶硅栅且延伸至P阱的上方,在P阱、P型体区与多晶硅栅之间设有栅氧化层,所述集电极区包括设在N型漂移区内且被N型漂移区隔离的重掺杂的N型集电极区和轻掺杂的N型集电极区,在重掺杂的N型集电极区内设有轻掺杂的P型集电极区,在轻掺杂的N型集电极区内设有重掺杂的P型集电极区。

    一种窄带超表面器件
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111610649A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010417638.0

    申请日:2020-05-19

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种窄带超表面器件,包括由上至下依次设置的凹槽天线超表面层、缓冲介质层、可调介质层组和基底层,可调介质层组包括可调介质层和设于其上下表面的透明电极层;凹槽天线超表面层包括凹槽天线超表面结构,该结构包括呈周期分布的超表面天线单元,超表面天线单元中设有凹槽,使超表面天线单元的开口率大于0.7;缓冲介质层和基底层的折射率均低于可调介质层的折射率。本发明器件的反射率曲线具有极窄的带宽,反射峰半高宽在2nm以内,同时该结构中可调介质层的变化可以改变反射率曲线的共振波长,使其在可见光范围或更大范围内变化,并保持超高的效率与极窄的带宽,可应用于光谱探测与光谱检查等领域。

    一种高亮度全息波导显示装置

    公开(公告)号:CN107167920B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201710462322.1

    申请日:2017-06-19

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高亮度全息波导显示装置,包括微显示器、准直镜、波导、入耦合器和出耦合体全息光栅;所述入耦合器包括顶层体全息光栅和底层体全息光栅,顶层体全息光栅与出耦合体全息光栅密接于波导的第一表面两端;底层体全息光栅密接于波导的第二表面,且位于顶层体全息光栅的下方;所述顶层体全息光栅和底层体全息光栅均对入射光束发生布拉格衍射并进入波导,在波导内以全反射的形式传播,直到被出耦合体全息光栅衍射输出。相比现有技术,本发明可保证在不降低体全息光栅峰值衍射效率的前提下,增大光谱带宽,提高全息波导显示装置的显示亮度。

    一种高衍射效率的全息波导显示装置及其光栅耦合方法

    公开(公告)号:CN108254925A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201810014309.4

    申请日:2018-01-08

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高衍射效率的全息波导显示装置及光栅耦合方法,包括微显示器(201)、准直透镜(202)、光阑(203)、波导(204)、入耦合光栅组(C201)和出耦合光栅组(C202);所述微显示器(201)位于所述波导(204)下表面的下方;所述入耦合光栅组(C201)和所述出耦合光栅组(C202)分别密接与所述波导(204)上表面的右端和左端。该全息波导显示装置,通过一维亚波长二元光栅和反射型体全息光栅的耦合,在保证波矢匹配和位置匹配的条件下,可使衍射能级再分配,从而使得主衍射方向的衍射效率达到最大值,使得衍射进人眼的光束能量最高,从而实现高效率全息波导显示。

    一种高亮度全息波导显示装置

    公开(公告)号:CN107167920A

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201710462322.1

    申请日:2017-06-19

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高亮度全息波导显示装置,包括微显示器、准直镜、波导、入耦合器和出耦合体全息光栅;所述入耦合器包括顶层体全息光栅和底层体全息光栅,顶层体全息光栅与出耦合体全息光栅密接于波导的第一表面两端;底层体全息光栅密接于波导的第二表面,且位于顶层体全息光栅的下方;所述顶层体全息光栅和底层体全息光栅均对入射光束发生布拉格衍射并进入波导,在波导内以全反射的形式传播,直到被出耦合体全息光栅衍射输出。相比现有技术,本发明可保证在不降低体全息光栅峰值衍射效率的前提下,增大光谱带宽,提高全息波导显示装置的显示亮度。

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