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公开(公告)号：CN107275168B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710420841.1
申请日：2017-06-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 发明公开了一种基于氮化钛材料的新型纳米结构光阴极；所述氮化钛光阴极包括衬底、氮化钛纳米结构层；还涉及了该型氮化钛光阴极的制备方法，及其电场辅助型光阴极测试装置，所述电场辅助型光阴极包括绝缘垫片、金属薄板阳极、上/下电极导线、外加偏压电源。本设计中核心的氮化钛纳米结构具有表面等离激元共振效应，会带来光子吸收增强和局域电场增强，且材料功函数仅约为3.7eV和导电性优良，有助于光致电子的发射；通过设计氮化钛结构的组成纳米图形和结构参数，可获得与入射激励光波相匹配的等离激元共振，实现可光调控的电子发射。因所述氮化钛材料还具有稳定的物化性质，从而本发明提供了一种可作为稳定、高效率的光阴极。
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公开(公告)号：CN105390934B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510978943.6
申请日：2015-12-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元增强的光增强/调制电子发射的装置及方法，其中装置包括：一封装结构，具有阴极和阳极，其中，所述阳极开有通孔，所述阴极设置在一导电衬底上，所述阴极为由阴极基底和在阴极基底表面吸附有金属纳米结构构成的场发射阴极；一电源，在所述阴极与阳极之间形成电场；一光源，发出经所述阳极的通孔入射到所述阴极的金属纳米结构上的激光。本发明光增强/调制电子发射装置，光源发出的入射光引起阴极基底的场发射材料与金属纳米结构复合形成的场发射阴极的电子发射增强，提高电子发射效率。同时通过改变入射激光的强度、波长、偏振态调节场发射材料表面的局域场，实现光调制电子发射。
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公开(公告)号：CN107275168A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710420841.1
申请日：2017-06-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 发明公开了一种基于氮化钛材料的新型纳米结构光阴极；所述氮化钛光阴极包括衬底、氮化钛纳米结构层；还涉及了该型氮化钛光阴极的制备方法，及其电场辅助型光阴极测试装置，所述电场辅助型光阴极包括绝缘垫片、金属薄板阳极、上/下电极导线、外加偏压电源。本设计中核心的氮化钛纳米结构具有表面等离激元共振效应，会带来光子吸收增强和局域电场增强，且材料功函数仅约为3.7eV和导电性优良，有助于光致电子的发射；通过设计氮化钛结构的组成纳米图形和结构参数，可获得与入射激励光波相匹配的等离激元共振，实现可光调控的电子发射。因所述氮化钛材料还具有稳定的物化性质，从而本发明提供了一种可作为稳定、高效率的光阴极。
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公开(公告)号：CN106409938A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610947579.1
申请日：2016-10-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于锥形超表面结构的光伏型光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括自下而上依次设置的表面为三维纳米锥阵列结构的金属衬底、禁带宽度大于入射光子能量的半导体薄膜层、金属薄膜层。本发明提供一种制备这种基于锥形超表面结构的光伏型光电探测器的方法，制备方法包括在铝衬底上制备多孔阳极氧化铝薄膜，然后去除铝衬底表面的阳极氧化铝薄膜，然后再制备半导体薄膜层、金属薄膜层。该三层结构构成超表面结构，通过控制金属薄膜层厚度、半导体层材料厚度或者纳米锥的结构参数可以调控超吸收的吸收频段。此种光电探测器制备工艺简单，便于大面积制备，无需复杂的微纳加工技术，即可实现高效宽波段宽角度光电探测。
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公开(公告)号：CN105390934A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510978943.6
申请日：2015-12-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元增强的光增强/调制电子发射的装置及方法，其中装置包括：一封装结构，具有阴极和阳极，其中，所述阳极开有通孔，所述阴极设置在一导电衬底上，所述阴极为由阴极基底和在阴极基底表面吸附有金属纳米结构构成的场发射阴极；一电源，在所述阴极与阳极之间形成电场；一光源，发出经所述阳极的通孔入射到所述阴极的金属纳米结构上的激光。本发明光增强/调制电子发射装置，光源发出的入射光引起阴极基底的场发射材料与金属纳米结构复合形成的场发射阴极的电子发射增强，提高电子发射效率。同时通过改变入射激光的强度、波长、偏振态调节场发射材料表面的局域场，实现光调制电子发射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103471725B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310449423.7
申请日：2013-09-27
Applicant: 东南大学
IPC: G01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种基于调制光源及正负衍射级分开探测结构的波前检测装置，包括光源模块、透镜、正负衍射级分离光路、接收及数据处理模块；光源模块包括氦-氖激光光源、针孔、光纤自准直器、一维周期振幅光栅和圆形窗口；正负衍射级分离光路中，在一维周期相位光栅下面放置分离反射镜；波前经过一维周期相位光栅产生的正负衍射级光线经过分离反射镜和四象限偏振片分别进入正负衍射级图像传感器；图像传感器通过数据线将这些数据送到电脑中，再经过软件分析，可获得任意正负衍射级之间的干涉条纹，从而得到波前的相位分布。本发明所提出的检测方法和检测系统操作简单，对检测环境和待检测光学系统要求低，且检测精度过度不依赖于干涉图样的清晰度。
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公开(公告)号：CN103258895A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310181408.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种带有底栅控电极的平面电子发射光探测器，利用光的场特性和隧穿电子发射来实现光电转换和光信号探测，其包括衬底（1）、平面型电子发射体（2）、底栅控电极（3）、电子收集极（4）、SiO2绝缘隔离层（5）、真空封装套件（6）和入射窗（7）。入射光由入射窗（7）进入，在入射光的电场分量作用下，具有低逸出功的平面型电子发射体（2）内的费米能级电子发生隧穿效应，在其外表面形成电子云，并在施加在底栅控电极（3）和电子收集极（4）上的偏置电压的作用下向收集极运动，隧穿电流大小与入射光电场分量大小有关,而入射光强与电场分量模的平方成正比,因此实现了有效的光探测。
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公开(公告)号：CN100546185C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200710132254.9
申请日：2007-09-14
Applicant: 东南大学
IPC: H03K3/287 , H03K17/08 , H03K17/605
Abstract: 本发明公开了一种高压脉冲电路，涉及脉冲电路，尤其涉及高压开关电路。主要包括两组串联开关，及电压平衡电路，两组开关交替导通完成对负载的脉冲输出和放电。输出脉冲电压幅值可达10kV以上，脉冲最优上升时间为1μs，最优下降时间为100ns。本发明具有可驱动多种负载，成本低，脉冲上升和下降时间短，重复频率高，体积小，脉冲宽度和频率均可调等特点。
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公开(公告)号：CN101127516A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710132254.9
申请日：2007-09-14
Applicant: 东南大学
IPC: H03K3/287 , H03K17/08 , H03K17/605
Abstract: 本发明公开了一种高压脉冲电路，涉及脉冲电路，尤其涉及高压开关电路。主要包括两组串联开关，及电压平衡电路，两组开关交替导通完成对负载的脉冲输出和放电。输出脉冲电压幅值可达10kV以上，脉冲最优上升时间为1μs，最优下降时间为100ns。本发明具有可驱动多种负载，成本低，脉冲上升和下降时间短，重复频率高，体积小，脉冲宽度和频率均可调等特点。
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公开(公告)号：CN101101848A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710025641.2
申请日：2007-08-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 场致发射阴极X射线管涉及X射线管电子源(阴极)的结构设计，该X射线管的电子源为无需加热装置的场致发射阴极。本发明包含场致发射阴极片(6)、调制栅极片(7)、聚焦电极片(8)、高电压阳极靶极片(9)，连接各极片的电极，其特征在于还包括附在场致发射阴极片(6)上的碳纳米管电子发射层(11)；本发明中，X射线源的开启切换由栅极上的调制电压控制，强度由阳极电压和栅极电压控制，聚焦极电压控制发射电子束型。在本发明中公开的场致发射阴极X射线管尺寸较小，射线束直径较小，制造工艺技术简单，费用低廉。本发明提出了一种小型化，强度可调和高分辨率的X射线管。
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