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公开(公告)号：CN119153290A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411249225.0
申请日：2024-09-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种集成石墨烯超材料吸波器的平面慢波结构，属于微波器件领域。利用石墨烯超材料的完美吸波特性和良好的导热系数，设计一种新型加载石墨烯超材料吸波器的平面慢波结构，电磁波在该结构的微带线中传播，下方有与电磁波传输方向平行的具有频率选择性的吸波器。所设计的集成石墨烯超材料吸波器的平面慢波结构符合行波管小型化、集成化发展趋势，具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN119108248A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411249222.7
申请日：2024-09-06
Applicant: 东南大学
IPC: H01J23/24
Abstract: 本发明公开了一种基于高电导率石墨烯薄膜的曲折微带线慢波结构，属于微波电真空领域。曲折微带线慢波结构由曲折微带线和微带探针过渡结构、介质基板、金属波导腔、输入波导、输出波导组成，曲折微带线为采用高电导率石墨烯薄膜转移至介质基板上并经过激光刻蚀成的曲折微带线，放置于金属波导腔内，曲折微带线的两端分别通过微带探针过渡结构与输入波导和输出波导连接。本发明通过对石墨烯微带线的合理设计及对过渡波导和微带探针的优化设计，获得了良好的传输特性，并且曲折微带线慢波结构具有结构简单、尺寸小等优点，能够有效缩小行波管的体积、降低平面型行波管加工成本且具有较高的可重复性，可以适用于小型化平面型行波管的慢波结构。
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公开(公告)号：CN118572384A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410630658.4
申请日：2024-05-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑ITO复合超表面的宽带可调幅吸波器，属于微波器件领域，石墨烯‑ITO复合超表面从上而下分别为：石墨烯三明治结构、聚对苯二甲酸乙二醇酯介质层、图案化的氧化铟锡贴片、聚对苯二甲酸乙二醇酯介质层和氧化铟锡背板；石墨烯三明治结构包括将化学气相沉积法生长的单层石墨烯转移至聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上，再将两张石墨烯薄膜相对放置后填满离子液体，通过对石墨烯三明治结构由直流电源施加不同的偏压进行实时动态调控吸波幅度；图案化的氧化铟锡贴片在吸波频段内产生多个谐振频点实现宽带效果。本发明可用于预防电磁波干扰、解决电磁辐射污染和新一代电磁隐身与对抗。
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公开(公告)号：CN110310873A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910553385.7
申请日：2019-06-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种扩展栅极结构的垂直型纳米间隙真空晶体管及其制备方法，所述纳米间隙真空晶体管，包括发射极、收集极、栅极以及氧化物绝缘层；所述纳米间隙，指代收集极与发射极、栅极与发射极之间的距离保持在亚100nm尺度。本发明将真空器件的尺度压缩至亚100纳米尺度，器件加工工艺要求与传统的半导体工艺相近，改进了传统电真空器件需要复杂的机械加工和装配。更为重要的是，为未来实现小型化和集成化的真空元器件、集成电路以及真空电子系统提供可能。
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公开(公告)号：CN109449069A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811124318.5
申请日：2018-09-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基极调制的真空沟道纳米三极管及其制备方法，该纳米三极管包括发射极、集电极、基极、绝缘衬底以及电场产生装置；集电极与发射极间的电子输运距离保持在纳米尺度，因其小于/接近电子与气体分子碰撞的平均自由程，使得器件工作驱动电压小于分子的第一离子化势；所述电场产生装置在集电极和发射极之间以及基极上产生均匀可调的电场，用于电子发射和电场调控。该结构拟结合真空电子器件和半导体固态器件各自的优点，制备真空纳米沟道将电子器件的尺寸压缩到纳米尺度的范围内，以期实现获得低工作电压，高电流密度，并可在非严格真空气氛下工作的真空三极管器件。在新型纳米材料制备技术、纳米加工技术和大规模集成电路工艺高集成化中有极强的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104319215B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410615905.X
申请日：2014-11-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01J29/48
Abstract: 本发明公开了一种圆台和柱形组合栅孔结构的圆形平面冷阴极的电子枪，包括阴极、栅极、第一阳极和第二阳极，所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板上表面的场发射阴极，所述场发射阴极覆盖住所述圆台状突起结构的上表面圆面部位，形成圆形平面阴极。本发明与传统场发射阴极电子枪技术相比，不仅具有发射面电场均匀分布且容易控制、发射均匀性好，能够有效的避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤；在栅极和第一阳极的组合控制下，还能够使得发射电子束的运动轨迹的汇聚的趋势更加明显。
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公开(公告)号：CN102331403A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110258822.6
申请日：2011-09-02
Applicant: 东南大学
Inventor： 王琦龙
Abstract: 一种近场太赫兹THz时域光谱表征方法及其测试装置，首先将飞秒激光光源辐射的近红外飞秒脉冲激光光束由光学分束器分为泵浦光路和检测光路；泵浦光经光学斩波器调制后激励固体太赫兹发射源或纳米尺度的准一维结构的测试样品，以产生谱分析所需的太赫兹波信号；检测光经光学延迟线和必要的传输光路与泵浦光路在太赫兹探测晶体处重合，并实现对太赫兹信号的采样；经检测光采样的太赫兹信号经过四分之一波片和沃拉斯顿棱镜，分为P光和S光，分别送入差分光电二极管的输入端，其小信号输出端输出差分信号并由锁相信号放大器处理(放大与模数转换)，锁相放大器的同步频率信号来自光学斩波器；处理后的信号数据送往计算机进行下一步处理和运算分析。
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公开(公告)号：CN102280330A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110191195.9
申请日：2011-07-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种光辅助/脉冲调制用大电流密度的电子源，应用于大功率超高频真空电子器件领域。电子源包括衬底（1）、N个大小相同的同心环电极（3）、电极引线（2）、衬底外缘电极（4）；其中，所述N个同心环电极（3）均匀分布在衬底（1）上，所述同心环电极具有亚波长周期电极结构，通过电极引线与衬底外缘电极（4）连接，在同心环电极（3）表面制备有冷阴极电子发射材料。本发明还公开了该电子源的电子发射方法，在直流电场作用下，利用连续输出或飞秒脉冲激光束辐射其上或下表面，实现发射电流的光辅助/脉冲调制。本发明将电子源设计为亚波长周期结构，提高了光-场发射中的光子吸收效率，增强光脉冲对电子发射的调制效果。
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公开(公告)号：CN100528811C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710132091.4
申请日：2007-09-11
Applicant: 东南大学
IPC: C04B41/53
Abstract: 一种去除蓝光发光芯片蓝宝石衬底的方法采用氢氧化钠溶液或其它碱性溶液与蓝宝石反应，腐蚀蓝宝石衬底，然后用去离子水清洗后即可获得没有蓝宝石衬底或蓝宝石衬底厚度显著减小的发光芯片；具体工艺步骤如下：1)在一个底部平整的容器中倒入氢氧化钠溶液或其它碱性溶液，溶液高度控制在100微米以下，溶液的质量百分浓度在1%-40%范围内；2)将含有蓝宝石衬底的芯片放入以上氢氧化钠溶液或其它碱性溶液中，使得蓝宝石衬底的一部分浸入到溶液中，静置12至24小时，使蓝宝石衬底全部或大部分腐蚀掉；3)用去离子水将芯片冲洗干净，放入烘箱中，在100摄氏度下烘烤1至2小时。
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公开(公告)号：CN115060365A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210643556.7
申请日：2022-06-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种介质超表面型集成式光谱图像传感器，包括：探测端口和数据处理单元；探测端口包括一体化的光电探测器、存储器及信号处理电路组成；本发明通过利用分光探测一体化的光电探测器结构，使得每个图像传感单元具有不同的光谱响应特性，进而能够摒弃传统的滤波结构，进一步缩减器件的固有尺寸，实现高度集成化的光谱探测与成像一体化器件；本发明利用包括一体化的光电探测器、存储器及信号处理组件的堆叠结构，获得入射光的光谱数据，并结合数据处理单元，进一步实现高光谱图像的呈现；本发明利用分光探测一体化的光电探测器制备高灵敏的图像传感器，结合光谱重构算法处理，获得光谱图像。
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