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公开(公告)号：CN113643949A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110920178.8
申请日：2021-08-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维绝缘材料的多层真空纳米沟道晶体管，该多层真空纳米沟道晶体管自下而上依次包括绝缘衬底、栅极、二维绝缘体、发射极以及收集极；所述真空纳米沟道，所述二维绝缘材料，指代以六方氮化硼（h‑BN）为代表的二维纳米材料，具有优异的稳定性、平坦的表面和理想的绝缘性能；所述真空纳米沟道晶体管，载流子在栅极的偏置电压调控下，以场致电子发射或隧穿的形式在真空纳米沟道内部弹道输运；所述真空纳米沟道晶体管，仍保留传统电真空器件的固有优势，具有高稳定性和抗辐照特性，所述器件可以在高温、辐射等极端环境下正常工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109461772A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811123546.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L27/082 , H01L21/8222 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨的隧穿晶体管的反相器及其制备方法，石墨烯隧穿晶体管包括源极、栅极、漏极、石墨烯薄膜、半导体或金属衬底、隧穿层、漏极绝缘层、栅极绝缘层、石墨烯钝化层以及直流偏置电压源；源电极和硅衬底相连，漏电极与石墨烯薄膜相连，石墨烯和衬底之间有一层隧穿层，栅极在电子隧穿部分的顶部。若半导体或金属衬底的功函数较小，漏极选择功函数较大的金属，器件为n型，反之漏极则采用功函数较大的金属，器件为p型。p型管漏极连接高电位，n型管源极连接低电位，两根管的共有栅极作为电路的输入端，p型管源极和n型管漏极相连，作为电路的输出端。新型石墨烯隧穿晶体管结构实现高响应速率、低静态功耗的数字逻辑反相器。
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公开(公告)号：CN113643949B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202110920178.8
申请日：2021-08-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维绝缘材料的多层真空纳米沟道晶体管，该多层真空纳米沟道晶体管自下而上依次包括绝缘衬底、栅极、二维绝缘体、发射极以及收集极；所述真空纳米沟道，所述二维绝缘材料，指代以六方氮化硼（h‑BN）为代表的二维纳米材料，具有优异的稳定性、平坦的表面和理想的绝缘性能；所述真空纳米沟道晶体管，载流子在栅极的偏置电压调控下，以场致电子发射或隧穿的形式在真空纳米沟道内部弹道输运；所述真空纳米沟道晶体管，仍保留传统电真空器件的固有优势，具有高稳定性和抗辐照特性，所述器件可以在高温、辐射等极端环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN109461772B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201811123546.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L27/082 , H01L21/8222 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的隧穿晶体管、反相器及其制备方法，石墨烯隧穿晶体管包括源极、栅极、漏极、石墨烯薄膜、半导体或金属衬底、隧穿层、漏极绝缘层、栅极绝缘层、石墨烯钝化层以及直流偏置电压源；源电极和硅衬底相连，漏电极与石墨烯薄膜相连，石墨烯和衬底之间有一层隧穿层，栅极在电子隧穿部分的顶部。若半导体或金属衬底的功函数较小，漏极选择功函数较大的金属，器件为n型，反之漏极则采用功函数较大的金属，器件为p型。p型管漏极连接高电位，n型管源极连接低电位，两根管的共有栅极作为电路的输入端，p型管源极和n型管漏极相连，作为电路的输出端。新型石墨烯隧穿晶体管结构实现高响应速率、低静态功耗的数字逻辑反相器。
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公开(公告)号：CN110310873A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910553385.7
申请日：2019-06-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种扩展栅极结构的垂直型纳米间隙真空晶体管及其制备方法，所述纳米间隙真空晶体管，包括发射极、收集极、栅极以及氧化物绝缘层；所述纳米间隙，指代收集极与发射极、栅极与发射极之间的距离保持在亚100nm尺度。本发明将真空器件的尺度压缩至亚100纳米尺度，器件加工工艺要求与传统的半导体工艺相近，改进了传统电真空器件需要复杂的机械加工和装配。更为重要的是，为未来实现小型化和集成化的真空元器件、集成电路以及真空电子系统提供可能。
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公开(公告)号：CN109449069A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811124318.5
申请日：2018-09-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基极调制的真空沟道纳米三极管及其制备方法，该纳米三极管包括发射极、集电极、基极、绝缘衬底以及电场产生装置；集电极与发射极间的电子输运距离保持在纳米尺度，因其小于/接近电子与气体分子碰撞的平均自由程，使得器件工作驱动电压小于分子的第一离子化势；所述电场产生装置在集电极和发射极之间以及基极上产生均匀可调的电场，用于电子发射和电场调控。该结构拟结合真空电子器件和半导体固态器件各自的优点，制备真空纳米沟道将电子器件的尺寸压缩到纳米尺度的范围内，以期实现获得低工作电压，高电流密度，并可在非严格真空气氛下工作的真空三极管器件。在新型纳米材料制备技术、纳米加工技术和大规模集成电路工艺高集成化中有极强的应用潜力。
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