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公开(公告)号：CN104401964A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410633383.6
申请日：2014-11-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种制备富勒烯纳米结构的方法，具体步骤如下：在洁净的衬底材料表面制备非晶碳层，碳层的厚度为2-6纳米；将制备有非晶碳层的衬底放入真空室，抽真空至体系真空度达到2*10-3Pa以下；开启电子枪，将电子束汇聚至衬底表面，电子束的束流强度为103-105e*s^(-1)*nm^(-2)，经过10-200分钟的电子束辐照后即在电子束辐照点位置制备得到富勒烯材料。可以定点在特定位置制备单个的富勒烯颗粒；可以获得不同层数的富勒烯材料；所获得的富勒烯材料结构状态良好。
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公开(公告)号：CN103943852A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410079521.0
申请日：2014-03-05
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01M4/582 , B22F1/02 , B22F9/30 , B22F2301/05 , B22F2302/45 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种快速包裹和释放锂元素的方法，在真空环境内，使用电子束辐照锂化合物结晶，具体为锂纳米结构的锂化合物晶体。本发明提供的快速包裹和释放锂元素的方法，能够快速实现锂元素的包裹与释放，能够用于改进锂离子电池的快速充电特性和高效率的放电过程，具有重复性好、快速、可控、适合大面积使用等优点。
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公开(公告)号：CN102515148B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110380703.8
申请日：2011-11-25
Applicant: 东南大学
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C04B35/522 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/182 , C04B2235/61
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯铸体的铸造方法，其特征在于，该铸造方法包括以下步骤：101.将浓度为0.5mg/ml-7mg/ml的氧化石墨烯分散液，倒入水热反应釜内杯中，并加入氨水或氢氧化钠，形成pH值范围为5.5-11.6的混合溶液；102.将步骤101中的水热反应釜升温至150℃-350℃，并持续3h-48h，混合溶液形成湿石墨烯凝胶；103.从步骤102的水热反应釜中取出湿石墨烯凝胶，在20℃-70℃的环境下干燥，得到石墨烯铸体。该铸造方法过程简单，可以调控石墨烯铸体的力学性能，并且使得石墨烯铸体具有良好的力学性能。
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公开(公告)号：CN102166844B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010607319.2
申请日：2010-12-28
Applicant: 东南大学
IPC: B32B9/00
Abstract: 一种石墨烯/氧化石墨烯复合膜，由石墨烯层和氧化石墨烯层组成，每层厚度在50纳米-1毫米之间；制备方法为：将氧化石墨烯溶液置于容器中过滤或蒸发获得成氧化石墨烯膜，将石墨烯溶液置于装有氧化石墨烯膜的容器中，经过过滤或蒸发获得石墨烯/氧化石墨烯复合膜。该膜具有很好的机械性能，同时对于温度或湿度具有很强的响应特性，该特性使得石墨烯/氧化石墨烯的复合膜可以应用在微执行器或传感器上。
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公开(公告)号：CN101811696A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010158087.7
申请日：2010-04-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种石墨烯负载四氧化三钴纳米复合材料及其制备方法，由石墨烯和四氧化三钴组成，四氧化三钴负载在石墨烯纳米片上，石墨烯纳米片的质量分数为2％-95％wt，石墨烯纳米片的厚度为0.3～50纳米，四氧化三钴的粒径为1～200纳米，四氧化三钴为球状或片状。制备方法为：取氧化石墨烯溶液和二价钴盐、高分子表面活性剂混合。然后和加入氧化剂的碱溶液混合后搅拌或者超声0.2～5小时，转移到高温反应釜中，在100～250℃下退火3～30小时得到产物，经洗涤、干燥，即得石墨烯负载四氧化三钴纳米复合材料。四氧化三钴的尺寸可控。氧化石墨烯的还原与四氧化三钴的生成同时完成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116488614A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310425066.4
申请日：2023-04-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种脉冲电子束产生电路，包括：低压输出电源电路，用于对输入低电平进行升压以获得设定电压大小的输出；方波输出电路，用于对低压输出电源电路的输出进行处理以获得方波电压；单管自激振荡电路，用于对所述方波电压进行处理以获得设定频率、设定电压大小的高频振荡交流电；倍压整流电路，用于对所述高频振荡交流电进行升压处理以获得设定电压大小的输出。该脉冲电子束产生电路只消耗电能，所需能量较低，有较好的可控性和可操作性，稳定性高，可以长时间重复使用。
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公开(公告)号：CN115261978A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211037683.9
申请日：2022-08-29
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种通过化学气相沉积法制备具有铁电性的AB/ABC堆垛的多层氮化硼薄膜的方法，通过磁控溅射制备出（111）晶面的镍单晶薄膜，再沉积一层铁，获得（111）晶面的铁镍合金薄膜；将该薄膜作为催化衬底，置于石英舟中，放在管式炉中的恒温区域；以氨硼烷作为前驱体，置于钽舟中，再将钽舟放在所述石英舟上风口位置；对铁镍合金薄膜衬底进行退火处理；将钽舟放在石英管内，加热带裹在钽舟位置处的石英管管壁外，加热至100‑120℃，铁镍合金薄膜衬底上开始生长多层氮化硼；待管式炉降至室温后，取出具有铁电性的AB/ABC堆垛的多层氮化硼薄膜。通过此方法，最终能够实现大面积连续、单晶的、AB堆垛的、具有铁电性的氮化硼薄膜。
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公开(公告)号：CN113417002B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110702453.9
申请日：2021-06-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法，所述制备方法具体过程如下：在氮气流中，将一定配比的三元合金放在六方氮化硼粉末上，先高温加热使合金熔融，保持一段时间，后以极低速度降温，在保持高温与缓慢降温的过程中，晶体会在金属合金表面生长，最终生长出大面积高质量的六方氮化硼单晶。目前阻碍二维材料六方氮化硼研究的主要问题就是高质量高产量的体单晶难以制备，成本高，而该方法结构简单，其关键工艺为合金成分以及比例，本方法使用的合金成分主要为铁、镍、铬三种，稳定配比情况下，生长效果显著，成本较低，对于推进六方氮化硼的广泛应用具有很大积极意义，同时对其他半导体材料或二维材料的研究与发展也有一定的启发。
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公开(公告)号：CN113652744A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110916531.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种原子尺度精度调控硒化锗单晶原子层厚度的方法，即金表面辅助剥离少层或单层GeSe，然后金表面诱导少层GeSe退化调控层数的方法。这种方法的特点是：1.通过金薄膜辅助获得大面积的少层或者单层GeSe薄片，依托于现有的GeSe单晶制备或CVT法GeSe薄膜制备，其产率接近于GeSe制备工艺水平；2.通过控制退化时间来精确调控需要的GeSe层数，对剩下的少层或单层GeSe无结构性破坏；3.调控获得的GeSe样品同样可通过刻蚀衬底然后转移，实现进一步的器件应用。通过这种方法可以精确获得所需的GeSe原子层厚度，克服了传统减薄方法的随机性和原子层厚度不均匀性，方便后续的器件应用。
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公开(公告)号：CN109292723B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201811018589.2
申请日：2018-09-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料制备三维结构的方法。该方法先选取洁净的衬底，并在衬底上制备二维材料；利用光刻技术在步骤1中制备的二维材料上刻蚀图形；对衬底上的二维材料进行固定；利用二维材料转移的方法对二维材料进行局部拾取，之后使其部分脱离衬底，并进行拉伸或者压缩；将处理后的二维材料重新固定在衬底上，拾取臂释放处理后的二维材料，即得二维材料的三维结构的半成品；对半成品进行定形处理，最终得到成品。本发明结合现有成熟的材料加工技术，形成各种复杂平面图形，且这些平面图形具有很好的灵活性适合用于制备不同的三维结构，成本低廉，方法简单，可大面积、大通量的制备，便于产业化，尤其适合用于制备微米尺寸的结构。
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