-
-
公开(公告)号：CN102978551A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210500528.6
申请日：2012-11-30
Applicant: 东北大学
IPC: C22F1/06
Abstract: 本发明属于金属材料及冶金技术领域，特别涉及一种防止Mg-Li基镁合金表面脱Li及氧化的热处理方法，将Mg-Li基镁合金铸锭用0.1mm厚的铝箔或铜箔双层包覆，并挤出铝箔或铜箔与铸锭之间缝隙内的空气，使铝箔或铜箔与铸锭表面严实贴合，从而令铸锭与空气隔离；将铝箔或铜箔包覆的铸锭放置于一个铁质容器中并用细沙或石墨粉将铸锭完全掩埋，掩埋深度大于等于100mm；将放置铸锭和细沙或铸锭和石墨粉的容器送入电阻炉中进行热处理。本发明提供的热处理方法，可有效的防止Li从铸锭表面脱出，防止合金表面发生氧化，且具有易操作、低成本的优点，是一种可向工业生产中推广的针对Mg-Li基镁合金热处理方法。
-
公开(公告)号：CN102965557A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210500529.0
申请日：2012-11-30
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明属于金属材料及冶金技术领域，特别涉及一种Mg-8Gd-2Y-Li-Zr镁合金及其制备方法。该镁合金以现有Mg-8Gd-2Y为基，加入Li和Zr作为合金化组元，按质量百分比，加入0.5%~4.5%的Li，0.2~0.8%的Zr，7.0~9.0%的Gd，1.0~3.0%的Y，余量为Mg。将合金熔体浇铸至铁制坩埚中，得到铸锭；将铸锭热处理后车削，去除表面氧化部分，加工为Φ46mm的合金棒材；反向挤压得到Φ12mm的镁合金挤压棒材，对合金挤压棒材进行T6热处理。本发明所制得的镁合金的最低挤压温度可低至200℃，可实现温挤压，其在室温下的密度最低可低至1.705g/cm3，低于纯镁密度（1.732g/cm3）；其在400℃挤压加T6时效后的室温力学性能为：抗拉强度Rm=341.58MPa，屈服强度Rp0.2=277.86MPa，延伸率A=12.24%。
-
公开(公告)号：CN114231875A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111560241.8
申请日：2021-12-20
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种热浸镀锡合金镀液及其制法和热镀锡方法，属于材料表面处理领域。该热浸镀锡合金镀液所含成分及其质量百分比为：Zn为15～45％，In为0～8％，Bi为0～2.6％，余量为Sn。其制法通过调整温度和加料顺序，能够有效提高镀液成分的稳定性并避免较大的成分偏差。该热镀锡方法是对预处理的镁合金、铝合金或钢铁材料镀件表面进行热浸镀锡合金层制备，浸镀过程中，浸镀温度260～355℃，浸镀时间0.1～3min。该方法形成的镀层既可以作为镀件表面的耐蚀防护层，镀层结合性好，附着力强，耐蚀性能优异，也可以作为层状结构件的中间层，避免界面处脆性金属间化合物的生成，有效改善界面结合处的结构。
-
公开(公告)号：CN113275528B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110568874.7
申请日：2021-05-25
Applicant: 东北大学
IPC: B22D11/103 , B22D11/18
Abstract: 一种镁合金半连续铸造过程稳定控流的导液装置及方法，属于铸造领域。该镁合金半连续铸造过程稳定控流的导液装置，设置有导液控制执行机构和保护气控制装置；导液控制执行机构包括升降装置和控制分流装置，升降装置和控制分流装置连接，升降装置用于调节控制分流装置升降，控制分流装置用于控制导液管出液端的镁合金熔体流量；盛有镁合金的坩埚和保护气储存罐通过保护气输气管连接，在保护气输气管上设置有保护气控制装置，其用于通过调整保护气输出流程控制坩埚内压力。该装置可在半连铸过程中稳定传输高温熔体，保证结晶器内液位的稳定，提高产品的表面质量和光洁度，降低夹渣的可能性，实现稳定、安全的铸造生产，且适用性广。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109909464B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910288881.4
申请日：2019-04-11
Applicant: 东北大学
IPC: B22D11/059 , C22C9/00
Abstract: 一种具有骨架结构的高透磁高导热结晶器内套，所述结晶器内套由内套基体Ⅰ和导磁骨架Ⅰ组成，且内套基体Ⅰ呈上下两端开口的圆筒状，所述内套基体Ⅰ两端分别与上封板和下封板固定，导磁骨架Ⅰ的网孔中穿插有内套基体Ⅰ的第三内套基体，第三内套基体外圆处设置有电磁线圈。一种具有骨架结构的高透磁高导热结晶器内套，所述结晶器内套由内套基体Ⅱ和导磁骨架Ⅱ组成，且内套基体Ⅰ呈上下两端开口的圆筒状，内套基体Ⅱ的网孔内穿插有导磁骨架Ⅱ，所述内套基体Ⅱ两端分别与上封板和下封板固定，内套基体Ⅱ外圆设置有导磁线圈。本发明在相同电磁场作用下，相比传统结晶器内套，结晶器中心部位的磁场强度提高到原来的4倍。
-
公开(公告)号：CN109909464A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910288881.4
申请日：2019-04-11
Applicant: 东北大学
IPC: B22D11/059 , C22C9/00
Abstract: 一种具有骨架结构的高透磁高导热结晶器内套，所述结晶器内套由内套基体Ⅰ和导磁骨架Ⅰ组成，且内套基体Ⅰ呈上下两端开口的圆筒状，所述内套基体Ⅰ两端分别与上封板和下封板固定，导磁骨架Ⅰ的网孔中穿插有内套基体Ⅰ的第三内套基体，第三内套基体外圆处设置有电磁线圈。一种具有骨架结构的高透磁高导热结晶器内套，所述结晶器内套由内套基体Ⅱ和导磁骨架Ⅱ组成，且内套基体Ⅰ呈上下两端开口的圆筒状，内套基体Ⅱ的网孔内穿插有导磁骨架Ⅱ，所述内套基体Ⅱ两端分别与上封板和下封板固定，内套基体Ⅱ外圆设置有导磁线圈。本发明在相同电磁场作用下，相比传统结晶器内套，结晶器中心部位的磁场强度提高到原来的4倍。
-
公开(公告)号：CN106925736B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201710214267.4
申请日：2017-04-01
Applicant: 东北大学
IPC: B22D11/115 , B22D11/16
Abstract: 本发明公开了一种半连续铸造液穴熔体电磁处理装置及其工作方法，所述的装置包括可控硅控制器、可控硅组件、电解电容组、IGBT控制器、IGBT组件、霍尔传感器、负载线圈、PLC核心组件和触摸屏主令元件；负载线圈置于结晶器冷却水腔中。结晶器包括加工有润滑油道的内套、水箱介板、排气孔、线圈定位上下夹板、负载线圈、外套、封水板和出水孔。本发明通过调节频率、占空比和平均电流强度大小等负载线圈参数，可以在负载线圈上获得具有不同波形特点的电流，进而获得相应感应电磁场，并在液穴熔体中形成相应形式的强制对流。本发明完全可解决轻合金半连续铸造坯料不能完全满足塑性变形工艺对铸造坯料晶粒尺寸和成分均匀性要求的问题。
-
公开(公告)号：CN108465792A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810270280.6
申请日：2018-03-29
Applicant: 东北大学
IPC: B22D11/115
Abstract: 一种差相位脉冲磁场电磁连铸方法，在水平连续铸造、立式连续铸造或半连续铸造过程中，在结晶器内沿铸锭轴向设置2n个励磁线圈；各励磁线圈分为两组；采用差相位脉冲磁场电源系统，输出两组方波脉冲电压和锯齿状脉冲电流分别作用于两组励磁线圈，作用于金属熔体和金属的糊状区域，产生两组电磁脉冲信号的相位角差为90°，在金属熔体和金属的糊状区域中构成差相位行波磁场。本发明的方法能够适应不同形状和几何尺寸的铸锭制备；使生产的产品合金元素偏析大大降低，晶粒尺寸大幅减小，力学性能和成品率显著提高。
-
公开(公告)号：CN108405821A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810303658.8
申请日：2018-04-03
Applicant: 东北大学
IPC: B22D11/055 , B22D11/20 , B22D11/22
CPC classification number: B22D11/001 , B22D11/055 , B22D11/207 , B22D11/22
Abstract: 一种无裂纹大规格镁合金扁锭的铸造装置及方法，装置包括结晶器；结晶器的一冷水箱下方固定连接一个三冷水箱，三冷水箱环绕在结晶器内套周围，三冷水箱的侧壁上设有三冷水孔朝向结晶器内套方向；方法为：(1)镁合金熔体准备铸造；(2)设置结晶器的预热温度Tm；(3)设置一冷水箱进水口的冷却水流量Fc；(4)通入保护气体；(5)启动连续供液装置，开始铸造，设置开拉时间t以及铸造时的最大铸造速度VP；(6)完成铸造获得无裂纹大规格镁合金扁锭。本发明的装置及方法能够定量化制备出无裂纹的大规格扁锭；适用于大部分镁合金。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
95
records
(took 0.017 seconds)
