公开(公告)号：CN107437517B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201710375222.5

申请日：2017-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 关口贤治 ,  菅野至 ,  相原明德 ,  立花康三

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供一种基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质。不会对由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成的基板的表面产生影响地将附着于基板的异物去除。实施方式所涉及的基板清洗方法包括以下工序：成膜处理液供给工序，向基板供给含有挥发成分且用于在基板上形成膜的成膜处理液；剥离处理液供给工序，对成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上发生固化或硬化所形成的处理膜供给使处理膜从基板剥离的剥离处理液；以及溶解处理液供给工序，在剥离处理液供给工序之后，对处理膜供给使处理膜溶解的溶解处理液。在此，成膜处理液含有极性有机物，剥离处理液是不含水分的非极性溶剂，溶解处理液是不含水分的极性溶剂。

公开(公告)号：CN105321804B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201510463686.2

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。

公开(公告)号：CN103515220B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310230866.7

申请日：2013-06-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野央 ,  伊藤规宏 ,  八谷洋介 ,  野上淳 ,  大石幸太郎 ,  菅野至

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02057 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明中，基板处理装置（1）用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板（3）供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，包括：基板处理室（16），用于处理基板；基板保持部件（12），设于基板处理室内，用于保持基板；混合液供给部件（13），用于以不会对基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；OH基供给部件（14），用于向基板供给含有OH基的流体，OH基供给部件供给含有在混合液与OH基在基板上混合时不会对基底层造成损伤的量的OH基的流体。

公开(公告)号：CN209747470U

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201920574963.0

申请日：2019-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  金子都 ,  折居武彦 ,  菅野至

IPC: H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供一种基板清洗系统，其能够抑制图案的坍塌以及基底膜的侵蚀，并且能够除去附着于基板的微粒，具有：第1处理部，其包括保持基板的第1保持部和第1供给部，第1供给部设置于第1保持部的上方，向基板供给包含挥发成分的用来在基板的主面整体形成膜的处理液；以及第2处理部，其包括保持基板的第2保持部以及第2供给部，第2供给部设置于第2保持部的上方，向基板供给溶解全部的膜的除去液并向基板供给冲洗液，膜是第1供给部向基板供给的处理液在挥发成分挥发后而在基板上固化或硬化所形成的，冲洗液从基板上除去残留在基板上的溶解后的膜以及除去液；以及背面清洗部，其向第2保持部所保持的所述基板的背面中心供给清洗液。