公开(公告)号：CN104736479B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201380055154.4

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张东圭 ,  李柱明 ,  沈揆恩 ,  梁祐荣

IPC: C01B33/02 ,  C01D15/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01M4/366 ,  C01B33/02 ,  C01D15/02 ,  H01M4/13 ,  H01M4/386 ,  H01M4/485 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M2220/20 ,  H01M2220/30 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明提供了一种硅纳米粒子，该硅纳米粒子在硅纳米粒子的制造或后处理的过程中添加锂源和碳源来进行表面改性以使在表面包括LixSiyOz相的被膜和碳(C)覆盖层。根据本发明，能够防止在粉碎过程中非常容易氧化的硅纳米粒子的表面氧化。通过将防止了氧化的硅纳米粒子用作阴极材料，能够消除因氧化被膜而导致的容量减少、电解液枯竭等问题，由此能够防止锂二次电池特性劣化的现象。

公开(公告)号：CN116891221A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310376723.0

申请日：2023-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成河俊 ,  康永宰 ,  具本原 ,  朴用永 ,  安东浩 ,  梁基延 ,  梁祐荣 ,  李昌承 ,  崔旻雨

IPC: C01B19/00 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％。

公开(公告)号：CN110034335A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910018638.0

申请日：2019-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任成镇 ,  郑熙树 ,  金敬焕 ,  朴辉烈 ,  孙精国 ,  梁祐荣 ,  李在洺 ,  李俊亨 ,  许晋硕

IPC: H01M10/058 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/136

Abstract: 一种电化学装置包括正电极集流体、设置在正电极集流体上的多个正电极、设置在所述多个正电极上的电解质层、设置在电解质层上的负电极以及设置在负电极上的负电极集流体，其中电解质层包括第一电解质层和第二电解质层，以及其中第二电解质层在第一电解质层与负电极之间。