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公开(公告)号：CN101154436A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710109190.0
申请日：2007-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金庸洙
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11B5/255 , G11C11/14 , G11C19/0841 , Y10S977/933 , Y10S977/935
Abstract: 提供一种使用磁畴壁运动的数据存储装置以及操作该数据存储装置的方法。所述数据存储装置包括：磁层，具有多个磁畴；写头，设置在磁层的一端部；读头，读取写入磁层的数据；以及电流控制器，连接到写头和读头。操作该数据存储装置的方法包括：使用在磁层的一端部设置的读头读取磁层的所述端部的数据，在所述磁层的另一端部设置写头；将磁层的磁畴壁向所述端部移动与一个磁畴的长度相应的距离；以及使用写头和在写头和读头之间设置的电流控制器将读取的数据写入到磁层的所述另一端部。
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公开(公告)号：CN101118750A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710008044.9
申请日：2007-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B9/02 , Y10T29/49032
Abstract: 本发明提供一种电场读/写头及其制造方法、以及包括该电场读/写头的数据读/写装置。该数据读/写装置包括用于写数据在记录介质上且从其读数据的电场读/写头。该电场读/写头包括半导体基板、电阻区域、源极和漏极区域、以及写电极。该半导体基板包括具有邻接边缘的第一表面和第二表面。该电阻区域形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸。该源极区域和该漏极区域形成在该电阻区域两侧并与该第一表面分隔开。该写电极形成在该电阻区域上，绝缘层置于该写电极与该电阻区域之间。该数据读/写装置通过硬盘驱动器(HDD)驱动系统进行驱动。
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公开(公告)号：CN101025999A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610121657.9
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种利用磁畴牵引的磁存储器件。该磁存储器件包括：存储区域、输入部件和检测部件。所述存储区域包括具有毗邻的分区和磁畴壁的自由层、形成为与所述分区对应且具有固定的磁化方向的被钉扎层、以及形成在所述自由层与所述被钉扎层之间的非磁层。所述存储区域包括用于使所述磁畴壁停止的磁畴壁截止器，其形成在所述分区的各边界处。所述输入部件电连接到所述自由层的一端从而输入用于磁畴牵引的牵引信号。所述检测部件测量流过所述存储区域的电流。
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公开(公告)号：CN1838241A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610001962.4
申请日：2006-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/1278
Abstract: 本发明提供了一种磁记录头及制造该磁记录头的方法。所述方法包括：在第一绝缘层上依次形成第一磁层和绝缘帽层；在绝缘帽层上形成期望宽度的掩模图案，蚀刻第一磁层和绝缘帽层，直到暴露第一绝缘层，从而形成梯形分层部分；在第一绝缘层上沉积绝缘材料形成第二绝缘层以掩盖梯形分层部分的外围；在所述第二绝缘层上形成第二磁层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1835081A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610057582.2
申请日：2006-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/66 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录头和一种使用该垂直磁记录头来记录数据的记录介质。该垂直磁记录头包括：主极，其下端具有预定的宽度t1；返回极，其上端与主极连接，而其下端与主极的下端隔开预定的间隙g1；子轭，其下端从主极的下端在向上的方向上凹进预定的深度d1；线圈，缠绕在主极和子轭的周围；磁屏蔽层；读取器件，位于磁屏蔽层之间，其中，凹进深度d1与宽度t1之比(d1/t1)小于或等于6。
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公开(公告)号：CN1822154A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510117761.6
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1409 , B82Y10/00 , G11B5/3106 , G11B5/3116
Abstract: 本发明提供了一种探针头和制造该探针头的方法。该探针头包括传感器单元，该传感器单元具有：传感器，其在预定的记录介质上记录数据或从预定的记录介质读取数据；第一屏蔽和第二屏蔽，以相互间预定的距离置于传感器的两侧；第一中间层和第二中间层，分别位于传感器和第一屏蔽之间以及传感器和第二屏蔽之间。该方法包括：提供基板；在基板上形成绝缘层；在绝缘层上形成第一屏蔽；在第一屏蔽上形成第一中间层；在第一中间层上形成传感器；在传感器上形成第二中间层；在第二中间层上形成第二屏蔽；在第二屏蔽上形成保护层。因此，可同时改进探针头的分辨能力和灵敏度，且可易于制造该探针头。
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公开(公告)号：CN1763847A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200410104730.2
申请日：2004-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质包括下层和上层之间的垂直磁记录层，其中垂直磁记录层的厚度在K＞105erg/cm3且的情况下由等式7确定，在K＞105erg/cm3，且的情况下由等式9确定。该垂直磁记录介质包括甚至在K值大和能垒不遵循KV时仍具有热稳定厚度的垂直磁记录层。这样，记录在该垂直磁记录介质上的数据能保存超过十年。
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公开(公告)号：CN101154436B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200710109190.0
申请日：2007-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金庸洙
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11B5/255 , G11C11/14 , G11C19/0841 , Y10S977/933 , Y10S977/935
Abstract: 提供一种使用磁畴壁运动的数据存储装置以及操作该数据存储装置的方法。所述数据存储装置包括：磁层，具有多个磁畴；写头，设置在磁层的一端部；读头，读取写入磁层的数据；以及电流控制器，连接到写头和读头。操作该数据存储装置的方法包括：使用在磁层的一端部设置的读头读取磁层的所述端部的数据，在所述磁层的另一端部设置写头；将磁层的磁畴壁向所述端部移动与一个磁畴的长度相应的距离；以及使用写头和在写头和读头之间设置的电流控制器将读取的数据写入到磁层的所述另一端部。
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