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公开(公告)号：CN101996680B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010260550.9
申请日：2010-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3418 , G11C2211/5648
Abstract: 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：使用递增步长脉冲编程(ISPP)方法执行第一至第(N-1)页编程操作，以将第一至第(N-1)数据页编程在该MLC存储单元中，其中第一至第(N-1)页编程操作的每一个包括该MLC存储单元当中的擦除单元的擦除编程。该方法还包括使用该ISPP方法执行第N页编程操作，以将第N数据页编程在该MLC存储单元中。
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公开(公告)号：CN101751994B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200910222874.0
申请日：2006-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C8/08 , G11C16/08
Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括：系列连接的一串第一至第N非易失性存储单元，连接在第一和第二选择晶体管之间；第一和第二伪单元，分别介于第一选择晶体管与第一非易失性存储单元之间、以及第二选择晶体管与第N非易失性存储单元之间；其中每个非易失性存储单元由相应的普通字线选通，而且第一和第二伪单元中的每一个由相应的伪字线选通；以及驱动器块，包括普通字线驱动器和伪字线驱动器，伪字线驱动器能够相对于普通字线驱动器独立地与接收的地址相关地工作。
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公开(公告)号：CN101000803B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200710001671.X
申请日：2007-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/12 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
Abstract: 公开了一种闪速存储器件的编程方法，所述闪速存储器件包括用于存储表示状态之一的多比特数据的多个存储单元。所述编程方法包括：通过使用多比特数据对选择为要具有多个状态之一的存储单元进行编程；在具有各个状态的已编程的存储单元分布于其中的、阈值电压分布的预定区域之内，检测已编程的存储单元，其中，通过第一验证电压和读取电压之一以及第二验证电压来选择各个状态的预定区域，第一验证电压比第二验证电压低而比读取电压高；以及对已检测的存储单元进行编程，以具有与各个状态相对应的第二验证电压相等或比所述第二验证电压高的阈值电压。
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公开(公告)号：CN101154463B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200710004056.4
申请日：2007-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体存储器件，所述器件包括第一泵时钟产生器，配置用于基于第一电源电压产生第一泵时钟信号。所述器件还包括第一电荷泵，配置用于响应于第一泵时钟信号产生第一泵输出电压。所述器件还包括第二泵时钟产生器，配置用于基于第一泵输出电压产生第二泵时钟信号。所述器件还包括第二电荷泵，配置用于响应于第二泵时钟信号产生第二泵输出电压。所述器件还包括第三泵时钟产生器，配置用于基于第一电源电压产生第三泵时钟信号。所述器件还包括第三电荷泵，配置用于响应于第三泵时钟信号产生第三泵输出电压。
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公开(公告)号：CN101009137B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200710003744.9
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3454 , G11C16/3459
Abstract: 存储系统包括：闪存；以及存储控制器，被配置为控制闪存。所述存储控制器确定在编程操作期间从主机提供的编程数据是否都被存储在闪存中。当确定结果是该编程数据都被存储在所述闪存中时，所述存储控制器控制所述闪存，以便对其中存储了编程数据的最终字线的下一个字线执行伪编程操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101067971B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200710126635.6
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/12 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C2211/5621
Abstract: 一种闪存装置的编程方法，该闪存装置具有多个存储单元，存储单元用于存储表示多个状态之一的多比特数据。该编程方法包括：用多比特数据将被选的存储单元编程为具有状态之一；检测被安排在分别与至少两个状态相对应的阈值电压分布的预定区域内的已编程存储单元，其中，至少两个状态各自的预定区域由第一校验电压和读电压之一以及第二校验电压来选择，第一校验电压低于第二校验电压并高于读电压；以及同时将检测到的至少两个状态的存储单元编程为具有等于或高于与每个状态相对应的第二校验电压的阈值电压。
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公开(公告)号：CN101996680A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010260550.9
申请日：2010-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3418 , G11C2211/5648
Abstract: 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：使用递增步长脉冲编程(ISPP)方法执行第一至第(N-1)页编程操作，以将第一至第(N-1)数据页编程在该MLC存储单元中，其中第一至第(N-1)页编程操作的每一个包括该MLC存储单元当中的擦除单元的擦除编程。该方法还包括使用该ISPP方法执行第N页编程操作，以将第N数据页编程在该MLC存储单元中。
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公开(公告)号：CN101246744A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810085641.6
申请日：2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C2211/5634
Abstract: 公开了一种非易失性存储器设备和驱动数据的相关方法。该非易失性存储器设备包括多电平单元阵列和监视存储器单元。该驱动方法包括使用第一读取电压对监视存储器单元执行初始读取操作，确定初始存储在监视存储器单元中的数据与在初始读取操作中从监视存储器单元读取的数据是否相同，并且当初始存储在监视存储器单元中的数据与使用第一读取电压从监视存储器单元中读取的数据不相同时，将主读取电压设置为与第一读取电压电平不同的电平。
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公开(公告)号：CN101009138A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710003748.7
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/3459
Abstract: 本发明提供了一种用于快闪存储器件的编程方法，所述快闪存储器件包括与用于存储指示多个状态中的一个的多位数据的多个存储单元连接的第一和第二位线。该编程方法可以包括：用多位数据将与所选行和第二位线连接的存储单元编程；确定所选行是否是最后行；以及当确定结果为所选行是最后行时，将与作为最后行的所选行和第一位线连接的已编程的存储单元重新编程。
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公开(公告)号：CN1495799A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03147064.5
申请日：2003-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C29/82 , G11C29/846 , G11C2216/22
Abstract: 一个闪存装置能够包括一个第一冗余电路，用来向所述闪存提供用于读操作的读修正信息。闪存装置还能够包括一个与第一冗余电路分开的第二冗余电路，用来向闪存提供用于写操作的写修正信息。闪存装置能够包括一个专用的读操作冗余电路，用来提供读修正信息；以及一个专用的写操作冗余电路，用来提供写修正信息。闪存装置还能够包括一个第一冗余电路，用来存储闪存中一个有缺陷的存储单元的地址；以及一个与第一冗余电路分开的第二冗余电路，用来存储一个有缺陷的存储单元的地址。
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