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公开(公告)号:CN114913908A
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202111333481.4
申请日:2021-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储设备包括非易失性存储器件和控制非易失性存储器件的存储器控制器。非易失性存储器件包括存储单元阵列。存储单元阵列包括正常单元区域、奇偶校验单元区域和冗余单元区域。第一位线连接到正常单元区域和奇偶校验单元区域,第二位线连接到冗余单元区域。存储器控制器包括用于产生奇偶校验数据的纠错码(ECC)引擎。存储器控制器将用户数据存储在正常单元区域中,控制非易失性存储器件对第一位线中的第一缺陷位线执行列修复,将附加列地址分配给第一缺陷位线和第二位线,以及将奇偶校验数据的至少一部分存储在与附加地分配的列地址相对应的区域中。
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公开(公告)号:CN114823706A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202111412771.8
申请日:2021-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L23/38
Abstract: 提供了能够以芯片级稳定地维持工作温度的垂直非易失性存储器件、包括该存储器件的半导体封装件以及该存储器件的散热方法。该垂直非易失性存储器件包括:衬底,所述衬底上限定有单元阵列区域和扩展区域;垂直沟道结构,所述垂直沟道结构形成在所述衬底上;热电器件,所述热电器件包括形成在所述衬底上的至少两个半导体柱;以及堆叠结构,所述堆叠结构位于所述衬底上。所述堆叠结构包括沿着垂直沟道结构的侧壁和所述至少两个半导体柱的侧壁交替堆叠的栅电极层和层间绝缘层。所述至少两个半导体柱包括通过所述衬底上的导电层彼此电连接的n型半导体柱和p型半导体柱。
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公开(公告)号:CN114822643A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202111170351.3
申请日:2021-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置及其操作方法和存储器系统。所述非易失性存储器装置包括:存储器单元阵列,包括存储芯片级信息的元数据区域;控制逻辑,响应于命令识别目标单元;机器学习(ML)逻辑,基于作为输入被施加到人工神经网络模型的芯片级信息和与目标单元相关联的物理信息来推断最佳参数;以及缓冲存储器,被配置为存储人工神经网络模型的权重参数。
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