公开(公告)号：CN107123685A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710281354.1

申请日：2016-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑钟基 ,  姜明一 ,  金伦楷 ,  李宽钦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/417

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。

公开(公告)号：CN106057896A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610228211.X

申请日：2016-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  姜明一 ,  郑修然

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种包括第一有源区和第二有源区的半导体器件。每个有源区包括多个鳍突起和布置在各鳍突起之间的凹进区域。多个栅极结构布置在多个鳍突起中的每一个上。半导体层布置在每个凹进区域中。第一有源区的栅极结构之间的距离与第二有源区的栅极结构之间的距离相同，并且第一凹进区域的半导体层的底表面与第一有源区的鳍突起中的每一个的顶表面之间的高度差小于第二有源区的凹进区域的半导体层的底表面与第二有源区的鳍突起中的每一个的顶表面之间的高度差。