公开(公告)号：CN101747383A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910225874.6

申请日：2009-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨惠渊 ,  孙准模 ,  周原提

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: C07D413/14 ,  C07D265/38 ,  C08G61/122 ,  C08G2261/1526 ,  C08G2261/344 ,  C08K5/0091 ,  C08K5/56 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1466 ,  C09K2211/1475 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5036 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明提供含磷光单元的化合物、含其的发光聚合物及有机发光器件(OLED)。该OLED可用在其中期望低功耗和低驱动电压的便携式电子设备中。

公开(公告)号：CN1933172A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610105951.0

申请日：2006-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 周原提 ,  李光熙 ,  李相均 ,  崔太林

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L51/0021 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0579 ,  H01L2251/105

Abstract: 本发明提供了一种具有由压纹结构形成的存储有源区的有机存储器，包括：衬底；第一电极，形成在所述衬底上；有机存储层，形成在所述第一电极上；第二电极，形成在所述有机存储层上；和压纹结构，设置于所述有机存储层，以形成存储有源区。

公开(公告)号：CN1819298A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510121569.4

申请日：2005-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相均 ,  周原提 ,  金喆熙 ,  姜润锡

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/54

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/80

Abstract: 一种存储装置，包括在上电极和下电极之间的有机材料层。该有机材料层包括树枝状化合物，该树枝状化合物包括至少一个供电子基和至少一个受电子基。所公开的存储装置优点在于：它显示出非易失性能、具有高集成密度和低功耗特性并能用简单方法廉价地制造。

公开(公告)号：CN1819204A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510127061.5

申请日：2005-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 周原提 ,  林珍亨 ,  李光熙 ,  李相均

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L51/0595 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/685 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1625 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052

Abstract: 一种使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件。特别地，一种由能够形成纳米沟道的介孔材料组成的存储器件，其中具有填充入纳米沟道的金属纳米颗粒或金属离子的存储层配置在上电极和下电极之间。因而，该存储器件具有高的加工性，并显示了优异的重现性和均一的性能。