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公开(公告)号：CN113707640A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110992019.9
申请日：2021-08-27
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种功率模块与家电设备，其中，功率模块包括支撑基体、第一导电层、第二导电层、芯片和引脚组件，其中，第一导电层和第二导电层都设置在支撑基体上，芯片则设置在第一导电层和/或第二导电层上，引脚组件中可以包括多个引脚，并且多个引脚相互平行设置，引脚组件可以设置在第一导电层和/或第二导电层上，并且该引脚组件与芯片之间电连接。由此，本实施例中的功率模块能够降低电路寄生电感，提升引脚通流能力，同时简化生产工序，提高产品良率，降低成本。
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公开(公告)号：CN114005793B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202111376330.7
申请日：2021-11-19
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种功率模块，包括：基板，所述基板的表层具有导电线路；至少两个插针座，与所述导电线路电连接；引流基座，固定在所述基板上；以及胶层，所述胶层铺设在所述基板的表层并覆盖所述导电线路、所述引流基座以及所述插针座；相邻两个所述插针座处于第一距离阈值，两个所述插针座之间设置有至少一个所述引流基座。本申请实施例的一种功率模块，具有成本低和电气绝缘性能好的优点。
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公开(公告)号：CN119834639A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410683192.4
申请日：2023-10-12
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
IPC: H02M7/5387 , H02M7/5395 , H02M1/32 , H02M1/08 , H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种高压集成电路、智能功率模块和电器设备。其中，高压集成电路包括：高压驱动子电路、电阻子电路和与电阻子电路并联的开关子电路，开关子电路的第一端与高压集成电路的高压区地端连接，开关子电路的第二端与高压集成电路的高压逆变半桥浮动节点连接，开关子电路的控制端用以输入目标控制信号，其中，目标控制信号根据高压驱动子电路的输入信号和/或中间过程信号和/或输出信号进行确定，高压驱动子电路的输出信号由输入信号确定，且在高压逆变半桥浮动节点处于负压过冲状态时，输入信号为关断信号。该高压集成电路，可提升高压逆变半桥浮动节点抗负压过冲能力，且不受限于等效自举电阻，不会导致电路启动时直通，对自举电容充放电速度的影响小。
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公开(公告)号：CN119834163A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410684219.1
申请日：2023-10-12
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种欠压保护电路和高压集成电路芯片，包括：分压子电路、开关子电路和输出子电路，开关子电路包括第一开关单元和第二开关单元，分压子电路的第一端、第一开关单元的第一端和输出子电路的第一端连接第一工作电源，分压子电路的第二端、第二开关单元的第二端和输出子电路的第二端连接第二工作电源，第一开关单元的第二端与第二开关单元的第一端连接，形成第一节点，第一开关单元的控制端与分压子电路的第三端连接，第二开关单元的控制端与分压子电路的第四端连接，输出子电路的控制端与第一节点连接，输出子电路的第三端作为欠压保护电路的输出端。该欠压保护电路占用面积小，可降低HVIC成本，减小电压变化率过大造成的风险。
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公开(公告)号：CN119787789A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202410642453.8
申请日：2023-10-07
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块及其保护电路、电器设备。其中，智能功率模块的保护电路，智能功率模块包括驱动芯片和功率开关管，保护电路包括：静电释放子电路，连接在驱动芯片的地端与功率开关管的发射极之间，被配置为对由智能功率模块发生静电引起的瞬时电压进行电荷释放，静电释放子电路的数量至少为一个。该保护电路，可提升智能功率模块的抗静电能力，且成本低，不会造成智能功率模块其他性能的下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114695276B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202011644547.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开一种智能功率模块、变频器及空调器，该智能功率模块包括：金属基板；电路布线层，设置于金属基板的一侧表面，电路布线层设置有多个安装位；功率模块，设置于电路布线层对应的安装位；以及，多层绝缘层，多层绝缘层夹设于金属基板与电路布线层之间。本发明有利于提高智能功率模块的良品率，同时有利于提高智能功率模块的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN114079266B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010831989.6
申请日：2020-08-18
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高压集成模块、智能功率模块及其控制方法及空调器，包括逻辑控制电路，设置有驱动信号输入端、故障输入端与驱动信号输出端，所述驱动信号输出端与所述开关管控制端连接；故障保护电路，设置有故障检测输入端与第一故障信号输出端，所述第一故障信号输出端与所述故障输入端连接，所述故障检测输入端与所述故障检测端连接；所述故障保护电路用于根据来自所述故障检测端的电信号触发所述逻辑控制电路执行故障保护；在故障保护结束后，所述逻辑控制电路根据来自所述驱动信号输入端的第一驱动信号对所述开关管进行控制，在故障保护结束后，不需要复位驱动信号即可实现对功率开关管的控制。
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公开(公告)号：CN114389553B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110935357.9
申请日：2021-08-16
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种放大器电路、芯片、家电设备，其中，放大器电路包括一级放大模块、二级放大模块和电源提供模块，电源提供模块可以向一级放大模块中的第一差分输入管和第二差分输入管提供恒流源，还可以向二级放大模块中的第一PMOS管和第二PMOS管提供偏置电压和恒流源，以使得一级放大模块可以对输入的差分信号进行一级放大，再由二级放大模块进行二级放大。由此，本实施例中的放大器电路能够在增大电路增益的同时，兼顾电路的共模抑制范围。
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公开(公告)号：CN115528912A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110710781.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 魏调兴
IPC: H02M3/156 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02M1/32
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块及变频设备，其中智能功率模块包括集成设置的第一开关电源、第二开关电源、微控制器、高压驱动芯片和逆变电路，第一开关电源用于将直流母线电压降低转换成第一直流电压，以给第二开关电源和高压驱动芯片供电，第二开关电源用于将第一直流电压降低转换成第二直流电压，以给微控制器供电，微控制器用于根据电机目标转速输出控制信号给高压驱动芯片，高压驱动芯片用于根据控制信号输出驱动信号给逆变电路，以驱动逆变电路中的功率开关元件进行开通或关断。由此，能够有效简化模块外围电路的设计，使得电控的体积得到大幅减小，从而节省了电控所占空间，并有助于降低成本。
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公开(公告)号：CN114709203A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202111528391.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 西安交通大学 , 美垦半导体技术有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/495
Abstract: 一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块，包括驱动板、功率板、模块外壳和散热器；驱动板和功率板均设置在模块外壳内，且驱动板设置在功率板上，功率板和驱动板通过键合线连接；散热器设置在模块外壳底部；功率板包括两个氮化镓芯片和两个硅芯片，两个氮化镓芯片和两个硅芯片组成全桥电路；驱动板包括四个用于驱动功率板上四个芯片的驱动芯片；本发明基于氮化镓芯片设计单相全桥智能功率模块，氮化镓器件相比传统的硅器件拥有更高的开关速度，因而在开关过程中相比传统硅器件对寄生参数更加敏感。本模块设计出一种基于氮化镓功率芯片的全桥布局，并实现驱动芯片在模块内的集成。
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