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公开(公告)号：CN111403614A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201911379866.7
申请日：2019-12-27
Abstract: 本公开提供了一种有机发光二极管和包括其的有机发光显示装置。该有机发光二极管包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及包括p型基质、n型基质和磷光掺杂剂并且位于第一电极和第二电极之间的发光材料层，其中，p型基质的第一HOMO能级等于或低于n型基质的第二HOMO能级，并且n型基质的单线态能级与n型基质的三线态能级之间的差大于0.3eV且小于0.5eV。
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公开(公告)号：CN111377936A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911293769.6
申请日：2019-12-16
IPC: C07D491/107 , C07D495/10 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本公开提供了下式的延迟荧光化合物、以及包含所述有机发光化合物的有机发光二极管和有机发光显示装置，所述有机发光二极管包括第一电极、第二电极和在第一电极与第二电极之间的有机发光层，其中所述延迟荧光化合物包含在有机发光层中。
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公开(公告)号：CN111349079A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911293576.0
申请日：2019-12-16
IPC: C07D401/10 , C07D401/14 , C07D405/14 , C07D471/10 , C07D491/107 , C07D495/10 , C07F7/10 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 本公开涉及有机化合物、OLED和有机发光装置，所述有机化合物包含作为电子供体的螺环结构的稠合杂芳族部分和通过取代有至少一个吸电子基团的亚芳基连接基团与所述电子供体连接的作为电子受体的三嗪部分，所述OLED和所述有机发光装置各自将所述有机化合物应用于至少一个发光单元。所述有机化合物能够使得所述有机发光二极管提高其发光效率并改善其颜色纯度。
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公开(公告)号：CN107106996A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070499.6
申请日：2015-08-12
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: B01D71/02 , B01D67/00 , C01B32/182 , C01B32/184
Abstract: 本发明涉及溶剂纯化用石墨烯薄膜及其制造方法、溶剂纯化系统。本发明的溶剂纯化用石墨烯薄膜由多个石墨烯板状薄片层叠而成，层叠的多个成对石墨烯板状薄片中的至少一对石墨烯板状薄片包含连接层与层之间的物理键或者化学键，其制造方法包括：分散液形成步骤，将氧化石墨烯分散于蒸馏水，形成氧化石墨烯分散液；分散液约束步骤，将氧化石墨烯分散液约束在一对基板之间；水热反应及热还原步骤，向基板之间的所述氧化石墨烯分散液施加热和压力，进行水热反应，以使氧化石墨烯热还原并使石墨烯与石墨烯相互粘接。根据本发明，通过亲油性的表面特性和微细孔，能够实现根据极性的亲水‑亲油成分分离以及尺寸排阻分离，因此能够在精细化工领域中使用。
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公开(公告)号：CN106497569A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610796482.5
申请日：2016-08-31
IPC: C09K13/06 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开一种蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法。根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物可以包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119325525A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380045577.1
申请日：2023-06-07
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/18 , C23C16/40 , C07F11/00 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及一种使用薄膜前驱体化合物的薄膜形成方法、由此制备的半导体基板及半导体器件，根据本发明，提供一种薄膜前驱体化合物、使用其的薄膜形成方法及由此制备的半导体基板，其使用由规定的化学式2表示的薄膜前驱体化合物，具有以下的效果：沉积速度非常快，在注入至薄膜沉积腔室时易于处理，尤其，由于具有显著的热稳定性而纯度非常高且台阶覆盖性优异，进而，抑制副反应，从而降低薄膜生长率，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性，并提高薄膜的密度，从而大幅提高薄膜的电特性。
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公开(公告)号：CN119137308A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380026985.2
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及一种薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，上述薄膜改性组合物将遮蔽物质和扩散改善物质并用，以改善反应速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且减少杂质，从而具有改善膜质的效果。
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公开(公告)号：CN118871613A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380026983.3
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及一种薄膜改性组合物、使用其形成薄膜的方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，通过将阶梯覆盖率改善剂和胺类化合物并用，以改善反应速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且减少杂质，从而具有改善膜质的效果。
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公开(公告)号：CN118221653A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410234536.3
申请日：2020-10-30
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C07D403/10 , H10K85/60 , H10K50/16
Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置，具体涉及包含由化学式1表示的化合物，从而能够提高发光效率、热稳定性以及寿命特性的有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置。
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公开(公告)号：CN117941031A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061565.3
申请日：2022-09-13
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: H01L21/285 , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及膜质改良剂，利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，在薄膜沉积工艺中，利用规定结构的膜质改良剂，抑制副反应，并适当控制薄膜生长速率，去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能大幅提高阶梯覆盖率以及薄膜的厚度均匀性，减少腐蚀或劣化，并通过提高薄膜的结晶性，改善薄膜的电特性等。
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