公开(公告)号：CN218488805U

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202222598136.X

申请日：2022-09-29

申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司

发明人： 王黎明 ,  蒋文平 ,  陈珂

IPC分类号： B28D7/04 ,  B28D5/04

摘要： 本实用新型公开了一种多线切割机工件夹装工装，包括用于夹装堆叠的片状工件的工装本体，所述工装本体包括支撑托板、与所述支撑托板围合形成多边形外框的外框板、间隔开设于所述外框板上的切割槽以及布设于切割槽两侧用于固定片状工件的锁止件；所述支撑托板和所述外框板围合形成两端开口的夹装腔；所述锁止件垂直于所述支撑托板设置，且可调节与所述支撑托板之间的锁止尺寸；夹装腔内的片状工件数量可以调整，应用灵活，固定效果好，不需要使用粘接剂，能省去后处理工序，节约岩板、粘接剂、后处理所用的化学药剂的物料成本，以及后处理工序的时间成本，由于不使用粘接剂和化学药剂，产品的性能稳定，且不会对环境造成污染。

公开(公告)号：CN205414361U

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201620246843.4

申请日：2016-03-29

申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司

发明人： 王黎明

IPC分类号： B22D17/20 ,  B22D19/00 ,  H01L23/373

摘要： 本实用新型公开了一种铝碳化硅底板及近净成型压铸模具、碳化硅预制件，近净成型压铸模具的表面开设有用于容纳碳化硅预制件的基板腔，基板腔包括设置于基板腔底部边缘的出模孔和多个设置于基板腔底部用于压铸时外加铝液渗入形成铝柱的柱孔，柱孔为盲孔。出模孔为通孔，且其中设有沿出模孔轴向活动设置的顶出件，顶出件包括凸出于出模孔上用于与碳化硅预制件上的预制孔配合的凸出部。压铸完成后，在近净成型压铸模具背面推动顶出件出模，并将顶出件从出模方向顶出，安装孔形成。上述铝碳化硅底板的近净成型压铸模具，结构简单，可快速制备得到散热效果好的铝碳化硅底板，加工效率高，工序简单操作便捷，安装孔一致性好，适合批量生产。

公开(公告)号：CN205464280U

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201620284201.3

申请日：2016-04-07

申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司

发明人： 陈迎龙

IPC分类号： B22D23/04 ,  B22D17/20 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 本实用新型公开了一种用于压铸曲面散热基板的组件及曲面散热基板，该组件包括模具、铝板、碳化硅预制件和铝箔，模具开设有用于容纳铝板的基板槽，基板槽的底部为与曲面散热基板的曲面适配的曲面形。铝板朝向基板槽开口的表面设有至少一个预制件槽，任一预制件槽中设有碳化硅预制件和至少一块铺设在碳化硅预制件上的铝箔，基板槽的开口、预制件槽的开口和铝箔的顶面平齐，以限制压铸过程中铝板在基板槽内上下活动。压铸时，多个组件叠置在一起，在上层模具的重力下，铝板被压紧在模具内，无法在基板槽内上下活动。因此在铝液浸渗碳化硅预制件时，铝板位置固定，不会发生偏移，因而制得的曲面散热基板的曲面偏心度相对较小，弧度一致性相对较好。

公开(公告)号：CN204303795U

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201420800114.X

申请日：2014-12-16

申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司

发明人： 杨盛良 ,  陈迎龙 ,  王黎明 ,  蒋文评

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

摘要： 本实用新型提供了一种铝碳化硅底板及具有该底板的电子器件，铝碳化硅底板，包括铝碳化硅板和铝柱，铝碳化硅板中包括两相对面，其中一面为散热面，铝柱均布于铝碳化硅板的散热面上；铝柱与铝碳化硅板为一体压铸成型形成。本实用新型提供铝碳化硅底板由铝碳化硅制成，由于铝碳化硅的热膨胀系数与陶瓷基板及半导体芯片的热膨胀匹配良好，在组装过程中，即使底板和陶瓷基板和芯片均受热，三者膨胀变形后的差异液较小，因而能提高了所得电子器件的可靠性和安全性。

公开(公告)号：CN220295827U

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202321666863.3

申请日：2023-06-28

申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司 ,  湖南工业职业技术学院

发明人： 肖静 ,  熊德赣 ,  彭宏业 ,  朱志名 ,  陈柯 ,  杨盛良 ,  陈迎龙 ,  蒋文评 ,  袁惠程

IPC分类号： B22D23/04

摘要： 本实用新型涉及一种制备高导热金属基复合材料的分体式双温区压力浸渗装置，包括可快拆快装的感应加热炉上腔室、真空气压浸渗炉下腔室、真空系统、充气系统和电气控制系统；所述感应加热炉上腔室为中频感应炉，包括中频感应炉炉壳、金属熔化坩埚和感应线圈；感应加热炉上腔室通过电缆与中频电源连接，其中电缆为快拆快接结构；所述真空气压浸渗炉下腔室，包括充气接口、真空接口、石墨发热体、浸渗复合模具和钟罩式保温筒等。1台感应加热炉上腔室能够与2‑5台气压浸渗炉下腔室组合，进行步进生产。通过该装置可以进行高效低成本生产高导热金属基复合材料，设备成本和使用成本低。

公开(公告)号：CN205414362U

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201620246844.9

申请日：2016-03-29

申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司

发明人： 王黎明

IPC分类号： B22D17/20 ,  B22D19/00 ,  H01L23/373

摘要： 本实用新型公开了一种用于压铸铝碳化硅底板的模具，模具的顶面开设有从上至下依次连通的用于容纳碳化硅预制件的基板腔、用于容纳铝板的铝板槽和用于压铸时铝液渗入形成铝柱的柱孔，柱孔为盲孔。上述用于压铸铝碳化硅底板的模具，模具内开设有基板腔、铝板槽和柱孔，基板腔内容纳碳化硅预制件，铝板槽容纳铝板。压铸时，外加铝液从碳化硅预制件中渗入与碳化硅预制件形成铝碳化硅基板，同时渗入柱孔形成铝柱，并且铝板处于熔融状态，冷却后铝板、铝碳化硅基板和铝柱结为一体。铝柱直接固定在铝板上，铝板与碳化硅基板结合相比铝柱与碳化硅基板结合面积增大，上述模具，结构简单，可用于制备得到散热效果好、铝柱连接牢固的铝碳化硅底板。

公开(公告)号：CN205393491U

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201620248276.6

申请日：2016-03-29

申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司

发明人： 王黎明

IPC分类号： B22D17/20 ,  B22D19/00 ,  H01L23/373

摘要： 本实用新型公开了一种铝碳化硅底板及用于压铸铝碳化硅底板的组件，组件包括模具和碳化硅预制件，模具的表面开设有用于容纳碳化硅预制件的基板腔，基板腔的底部设有多个用于压铸时外加铝液渗入形成铝柱的柱孔，柱孔为盲孔。碳化硅预制件上朝向基板腔底部的一面开设有用于镶嵌铝板的容纳槽。压铸时，外加铝液从碳化硅预制件中渗入与碳化硅预制件形成铝碳化硅基板，同时渗入柱孔形成铝柱，并且铝板处于熔融状态，冷却后铝板、铝碳化硅基板和铝柱结为一体。铝板与碳化硅基板结合相对之前铝柱与碳化硅基板结合面积增大，因而铝柱不易从铝碳化硅基板掉落，铝柱的强度增大。上述用于压铸铝碳化硅底板的组件，结构简单，可用于制备得到铝柱连接牢固的铝碳化硅底板。

公开(公告)号：CN204303816U

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201520002405.9

申请日：2015-01-05

申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司

发明人： 王黎明 ,  陈迎龙 ,  蒋文评 ,  杨盛良

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型提供了一种曲面铝碳化硅基板及具有该基板的IGBT模块，该曲面铝碳化硅基板，基板为铝碳化硅基板，基板包括：第一面和第二面，第一面和第二面为两相对面；第一面为分散应力面，第二面为装配面；第一面的纵向截面为弧线，第一面的中心区域向外突出；基板周缘设有多个安装用U形卡槽。本实用新型提供的基板面积较大的两相对面中的一面为截面具有弧度的曲面，使得装配后的基板所受应力分布均匀。同时曲面还能降低基板上中心点附近区域的变形量，从而使得采用该基板组装得到的IGBT模块更稳定的物理面，整体可靠性得到加强。

公开(公告)号：CN218827071U

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202222588427.0

申请日：2022-09-29

申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司

发明人： 王黎明 ,  陈珂

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  B22D17/22

摘要： 本实用新型公开了一种用于芯片封装的散热结构、模具及芯片封装装置，散热结构包括：散热基座，散热基座呈板状且散热基座用于与芯片的封装结构相匹配；散热基体，散热基体与基座为一体成型构造，散热基体于基座上对应各芯片的封装位置排布，散热基体用于与对应的芯片进行膨胀匹配进而保持不同温度状态下的贴合。本散热结构中散热基座与芯片封装结构相匹配，仅需在散热基座上加工与封装结构相适配的安装结构，无需在铝基陶瓷的表面覆铝层进行加工或对铝基陶瓷材料进行加工，大幅降低加工成本；本散热结构相比现有电子封装的散热结构对于复杂结构具有更强的适用性，且材料、制备、加工等各项成本均大幅降低，可更为广泛的应用。

公开(公告)号：CN205752140U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620111049.9

申请日：2016-02-03

申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司

发明人： 陈迎龙

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/13

摘要： 本实用新型公开了一种渗铝碳化硅基板，一种渗铝碳化硅基板，包括碳化硅预制件，碳化硅预制件的上端面为平面、下端面为曲面，碳化硅预制件的上端面、下端面还有渗铝层，上端面的渗铝层的厚度为0.05mm～0.15mm。上端面的平面度为‑0.15mm～0.1mm。本实用新型渗铝碳化硅基板提供足够的打磨量，保证渗铝层的均匀性和一致性，同时在保证焊接效果的情况下，减小焊接热对渗铝碳化硅基板变形的影响，提高产品的质量和性能、以及生产效率。