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公开(公告)号：CN115917191A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180048450.6
申请日：2021-07-06
Applicant: 株式会社华尔卡 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: F16J15/10
Abstract: 在本公开的技术中，在与被限制在凸缘(16‑1、16‑2)之间的约束部(2‑1)相邻的非约束部(2‑2)具有外切口(4‑1、4‑2、4‑3、4‑4)，所述外切口的形状因由所述约束部承受的载荷而发生变化。测量承受所述载荷而发生了变化的所述外切口的形状，根据所述形状来管理所述衬垫的紧固。由此，能够直接观测在凸缘间承受载荷的衬垫的形状变化，从而能够在衬垫的紧固的管理中使用观测结果来提高衬垫及其管理技术。
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公开(公告)号：CN111918837B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201980022322.7
申请日：2019-04-04
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C01G25/00 , C01G35/00 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01M4/86 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M8/12 , H01M8/1253
Abstract: 本发明提供一种具有比现有材料高的离子传导性、并且化学稳定性高的固体电解质材料。本实施方式涉及的复合氧化物的特征在于，化学组成由AmBxCyDzO7(式中，A为1价阳离子，B为3价阳离子，C为4价阳离子，D为5价阳离子，m+3x+4y+5z＝14，0≤m≤2)表示，A、B、C、D元素之中至少包含价数不同的3种以上，所述复合氧化物为萤石相关型结构。
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公开(公告)号：CN115698192A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180039971.5
申请日：2021-03-19
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C09D1/00 , A61L31/08 , C09D5/00 , A61L31/12 , A61L31/14 , A61L31/16 , C09D7/61 , C09D7/63 , B32B3/26 , A01N25/34
Abstract: 本发明的涂膜包括：具有疏水基团或亲油基团及亲水基团的表面活性剂；以及在表面具有能够承载表面活性剂的空孔的膜。表面活性剂的亲油基团的碳原子数为5以上，在室温下无挥发性。膜为多孔膜。多孔膜的孔隙率为5％以上且60％以下。表面活性剂是枞酸类化合物。或者，表面活性剂是洗必泰。孔的孔径大于病毒大小的10倍。
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公开(公告)号：CN115336006A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024306.9
申请日：2021-04-12
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金泽大学
Abstract: 本发明的课题在于提供一种不具有漂移层的适于高耐压的新的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于具有：第1导电型的第1半导体层，形成为p型及n型中的任一导电型；源极部，以与所述第1半导体层相接的方式配置，且形成为所述导电型与所述第1导电型不同的第2导电型的半导体部；源极电极，与所述源极部欧姆接触而配置；栅极电极，介隔栅极绝缘膜而配置在所述第1半导体层的任一个面上，且利用施加电场能够在所述第1半导体层中与所述栅极绝缘膜的接触面附近的区域形成反转层；所述第1导电型的第2半导体层，以与所述反转层相接的方式配置；以及漏极电极，与所述反转层分开并且与所述第2半导体层肖特基接触而配置。
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公开(公告)号：CN115215659A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110983848.0
申请日：2021-08-25
Applicant: 国立大学法人筑波大学 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社大兴制作所
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , G21F1/06
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够有效地屏蔽主要是低能量水平的中子、即热中子及其以下的低速中子，具有弯曲强度、维氏硬度等物理特性优异的、确保了高机械加工强度的用于放射线屏蔽材料的烧结体；提供含有LiF在99wt％～5wt％范围内，含有从MgF2、CaF2、AlF3、KF、NaF以及/或者YF3中选出的一种以上的氟化物在1wt％～95wt％的范围内的、具有相对密度在92％以上、弯曲强度在50MPa以上、维氏硬度在100以上的物理特性的用于放射线屏蔽材料的烧结体。
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公开(公告)号：CN108886865B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201780003303.0
申请日：2017-01-26
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 日本斯频德制造株式会社
Abstract: 本发明提供一种在低湿度空间中能够使用静电消除装置有效地消除静电的低湿度空间中的静电消除结构，其中，低湿度空间(4)构成为，通过形成有通气细孔的吹出面材(22b)从低湿度空间的一侧朝向低湿度空间内供给除湿后的空气，并且从与吹出面材(22b)对置的低湿度空间(4)的另一侧排出气体，并且，在吹出面材(22b)的下游侧配设有静电消除装置(10)。
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公开(公告)号：CN115004391A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180010963.8
申请日：2021-01-26
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Inventor： 舟桥良次
IPC: H01L35/08 , H01L35/22 , H01L35/34 , H02N11/00 , B22F3/14 , B22F9/04 , C01G51/00 , C22C1/04 , C22C13/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , H01L35/18
Abstract: 本发明提供一种热电转换组件，其特征在于，其是通过导电性构件将n型热电转换元件的一端与p型热电转换元件的一端电连接而成的，所述n型热电转换元件具有负的塞贝克系数且具有半赫斯勒结构，所述p型热电转换元件包含在25℃以上的温度下具有正的塞贝克系数的氧化物。导电性构件介由含有包含银的导电性金属的连接层而与n型热电转换元件和p型热电转换元件连接，该连接层还包含氧化物，以降低其与n型热电转换元件和/或p型热电转换元件之间的结电阻。
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公开(公告)号：CN111542550B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201880084194.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够对各种大面积基材表面赋予优异的表面功能的表面处理技术，将含有有机硅烷和金属醇盐的前体液涂布在基材上，使用溶胶凝胶法形成聚合引发层时，作为该有机硅烷，使用X‑R1‑(Ph)k‑(R2)m‑Si‑R3nR43‑n(式中，X表示卤原子，R1表示碳数1～3的亚烷基，Ph表示亚苯基，R2表示可间隔有氧原子的碳数1～10的亚烷基，R3表示碳数1～3的烷氧基或氯基，R4表示碳数1～6的烷基，k为0或1，m为0或1，n为1、2或3。)所表示的含有聚合引发基的有机硅烷。
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公开(公告)号：CN114556514A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201980101094.2
申请日：2019-10-10
Applicant: 株式会社日立高新技术 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: H01J37/20
Abstract: 本发明可靠地利用试样支架对液体状或凝胶状的试样进行保持，提高利用带电粒子束装置进行观察的合格率。试样支架(101)具有：第一部件(102)，其具有盖部件(111)和具备形成有包括第一绝缘性薄膜(104)在内的层叠膜的第一窗口(123)的第一芯片(105)；以及第二部件(103)，其具有形成有第一底部密封面(203)及第二底部密封面(200)的母材(127)、配置于母材的电极(108)以及第二芯片(107)，该第二芯片(107)具备形成有第二绝缘性薄膜(106)的第二窗口(124)，且以使第二窗口与电极对置的方式经由第二密封件(119)保持在第二底部密封面上，第一部件与第二部件组合，第一密封件在第一底部密封面以及盖部件的上部密封面之间被压扁，由此比第一密封件靠内部的区域相对于第一密封件的外部的区域保持为气密。
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