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公开(公告)号：CN103087464A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310042088.9
申请日：2013-02-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08L61/06 , C08L61/14 , C08K13/06 , C08K9/06 , C08K9/02 , C08K7/06 , C08K7/00 , C08K3/04 , C08K7/28 , B29C35/02
Abstract: 一种热防护烧蚀材料的制备方法，本发明涉及热防护材料的制备方法。本发明是要解决现有的以酚醛树脂为基体的碳化型轻质烧蚀材料的密度高的技术问题。本方法：将硼酚醛树脂制成硼酚醛树脂丙酮溶液，再将短切碳纤维清洗、氧化后用偶联剂处理，接着将混合均匀的微球填料、碳纳米管和短切碳纤维加入到硼酚醛树脂溶液中，混合均匀，静置使丙酮挥发，得到混合膏，将切割成模具内腔形状的酚醛蜂窝放进模具内，再将混合膏填入酚醛蜂窝中，得复合坯体；复合坯体固化成型后得热防护烧蚀材料。本材料密度低至0.2～0.4g/cm3，线烧蚀率为0.033～0.035mm/s，质量烧蚀率为0.0167～0.0187g/s。可用于航天器热防护材料用。
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公开(公告)号：CN102230202B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110167238.X
申请日：2011-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: MB2镁合金丝镀铜的方法，它涉及镁合金丝镀铜的方法。本发明解决现有的以浸锌法进行镁合金丝镀铜工艺复杂，镀层易鼓包起毛刺的技术问题。本方法：将MB2镁合金丝用砂纸打磨并超声波清洗后，再经除油、酸洗后，放入浸锌液中，在温度为70℃～90℃的条件下处理20min～30min，得到镀锌的MB2镁合金丝；然后再放在电镀液中，在温度为35℃～45℃、电流密度为1A/dm2～2A/dm2的条件下电镀30min～40min，得到镀铜的MB2镁合金丝。本发明简化了预镀锌的程序，镀层均匀致密，可用于电子、电器、车辆、航空航天以及民用产品领域。
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公开(公告)号：CN102351431A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110169590.7
申请日：2011-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C17/23
Abstract: 空气-水界面氧化钒纳米薄膜的自组装方法，它涉及氧化钒纳米薄膜的制备方法。本发明解决了现有的VO2薄膜的制备方法中高频磁控溅射法设备昂贵、反应蒸发法和真空蒸发法不容易获得结晶结构的薄膜、溶胶-凝胶法薄膜易有裂痕，表面不光滑的技术问题。本方法：先配制备萘磺酸钠水溶液，得到模板剂；再用四氯化钒、盐酸和去离子水配制成前驱体溶液，将前驱体溶液加入到洁净的玻璃培养皿中，再将模板剂溶液加入，搅拌后放在恒温气候箱中静置，得到湿膜，最后将湿膜干燥、焙烧，得到氧化钒纳米薄膜。本发明薄膜为自组装的有序结构，表面光滑、均匀，结晶程度高，可用于激光防护领域。
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公开(公告)号：CN101736388B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010300688.7
申请日：2010-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/30
Abstract: AZ91D镁合金表面热控涂层的制备方法，它涉及一种合金表面制备热控涂层的方法。本发明解决了用铝合金作为基体的热控涂层质量大的问题。本发明的制备方法按以下步骤实现：镁合金表面预处理；镁合金微弧氧化电解液配置；将镁合金微弧氧化电解液加入微弧氧化电解槽中，再将经过预处理的镁合金置于镁合金微弧氧化电解液中作为阳极，采用脉冲微弧氧化电源供电，反应5min～40min，然后用蒸馏水清洗镁合金表面并干燥，即在镁合金表面得到热控涂层。本发明所用镁合金的密度小，仅为1.73g/cm3，约为铝合金密度的2/3。采用本发明方法得到的热控涂层与采用铝合金相比减重30％。
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公开(公告)号：CN102230202A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110167238.X
申请日：2011-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: MB2镁合金丝镀铜的方法，它涉及镁合金丝镀铜的方法。本发明解决现有的以浸锌法进行镁合金丝镀铜工艺复杂，镀层易鼓包起毛刺的技术问题。本方法：将MB2镁合金丝用砂纸打磨并超声波清洗后，再经除油、酸洗后，放入浸锌液中，在温度为70℃～90℃的条件下处理20min～30min，得到镀锌的MB2镁合金丝；然后再放在电镀液中，在温度为35℃～45℃、电流密度为1A/dm2～2A/dm2的条件下电镀30min～40min，得到镀铜的MB2镁合金丝。本发明简化了预镀锌的程序，镀层均匀致密，可用于电子、电器、车辆、航空航天以及民用产品领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101748468B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010300677.9
申请日：2010-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/30
Abstract: 一种镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，它涉及一种镁合金表面热控涂层的制备方法。本发明的目的是为了解决现有的微弧氧化方法不能在镁合金表面制备高太阳吸收率高发射率涂层的技术问题。本发明的方法是：一、对MB7镁合金进行除油预处理；二、配制含有主成膜剂、着色添加剂、络合剂和pH调节剂的电解液；三、采用恒电流模式，以镁合金为阳极，电解槽为阴极进行微弧氧化，即在镁合金表面得到高太阳吸收率热控涂层。本发明得到的热控涂层与镁合金基体的结合力好；热控涂层的太阳吸收率为0.88～0.95，红外发射率为0.85～0.9；其重量比铝合金减少25％～35％。可以应用于航天器。
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公开(公告)号：CN101701350B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200910310621.9
申请日：2009-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/30
Abstract: MB15镁合金表面强化的处理方法，它涉及一种镁合金表面强化的处理方法。本发明解决了传统的微等离子体氧化法无法在MB15镁合金上成膜的问题。方法：将MB15镁合金除油处理后放入电解液中进行反应即实现了MB15镁合金表面的强化处理。本发明的方法可以在MB15镁合金上形成均匀的陶瓷膜，且膜层与基体结合强度高，耐蚀性和耐磨性强，可以显著地提高MB15镁合金的表面强度。
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公开(公告)号：CN101515506B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910071739.0
申请日：2009-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，它涉及一种量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法。本发明解决了现有技术在制备Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的过程中使用H2S气体，对人体有毒害且容易爆炸的问题。方法如下：制备多孔TiO2薄膜电极；浸入琉基乙酸的乙醇溶液；在Bi(NO3)3溶液和Na2S溶液中交替浸泡，即得Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极。本发明方法制得的Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极表面复合的Bi2S3量子点多且分布均匀，光电转化率达1.10％～1.22％。本发明方法在制备过程中未使用H2S气体，对人体无毒害且不易爆炸从而保证了环境友好，本发明方法操作简单。
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公开(公告)号：CN101748469A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010300689.1
申请日：2010-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/30
Abstract: 镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，它涉及热控涂层的制备方法。本发明解决了现有的应用于航天器的铝合金材料重量大，不能满足航天器结构轻量化的要求。本发明的步骤为：一、镁合金表面预处理；二、将主成膜剂、辅助成膜剂、着色添加剂、络合剂、pH调节剂配制成电解液；三、采用脉冲微弧氧化电源供电，在恒定电流模式下反应，即得到镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层。涂层的太阳吸收率为0.80～0.95、红外发射率为0.80～0.90，其重量比铝合金减少28％～33％。可以应用于航天器。
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公开(公告)号：CN1931841A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610150875.5
申请日：2006-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07D213/22 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J23/755 , B01J21/18
Abstract: 一种4，4′－二甲基－2，2′－联吡啶的合成方法，涉及一种合成方法。它解决了目前4，4′－二甲基－2，2′－联吡啶的合成纯度低、收率低、成本高和不利于实现工业化生产的问题。本发明合成方法为：以4－甲基吡啶为原料，加入原料重量0.5～20％的偶联催化剂，加热回流20～90小时，将反应液过滤，旋转蒸发将滤液进行浓缩，析出白色固体产品，用乙酸乙酯对产品进行重结晶，即得到4，4′－二甲基－2，2′－联吡啶晶体。本发明具有降低了生产成本，提高了产品的纯度和产率，有利于实现工业化生产的优点。
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