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公开(公告)号：CN106229493B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610854413.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种层间嵌入Co1‑xS的石墨烯基复合材料的制备方法，它涉及石墨烯基复合材料的制备方法。它是要解决现有Co1‑xS和石墨烯复合材料的储氢性能差、高密度放电电流下的性能低和循环稳定性差的技术问题。本发明的复合材料是由Co1‑xS和石墨烯复合的三明治层状结构，Co1‑xS嵌入在石墨烯的片层中间，其中石墨烯与Co1‑XS的摩尔比为1:(0.9～1.5)。制法：先将石墨烯与硫粉混合、球磨，然后再加入钴粉进行混合、球磨，得到层间嵌入Co1‑xS的石墨烯基复合材料。该材料制成储氢合金电极其最大储氢容量达到3.73wt％，制成的电池，在循环50次后的储氢能力仍保持在88％以上，可用于储氢领域。
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公开(公告)号：CN106207139B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610854414.X
申请日：2016-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种Co9S8嵌入C60晶体型复合储氢材料及其制备方法和应用，本发明涉及复合储氢材料及其制备方法和应用。本发明是要解决纯C60、有机化合物或金属修饰的C60不能有效存储氢的技术问题。本复合储氢材料是Co9S8颗粒离散嵌入C60晶体片中，其中C60与Co9S8的摩尔比为1：(2～3)。制备方法：先将C60粉与硫粉混合，高能球磨得到硫/C60复合粉末；再将其与钴粉混合后高能球磨，得到Co9S8嵌入C60晶体型复合储氢材料，其最大储氢容量可达3.11wt％，利用其制备的电池，在循环20次后储氢能力仍保持在80％以上。在1000mA/g的放电电流密度下，其放电能力仍保持在75％以上，可用于储氢领域。
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公开(公告)号：CN104229731B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410471800.1
申请日：2014-09-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种Co9S8/石墨烯复合储氢材料及其制备方法，本发明涉及钴系储氢材料及其制备方法。本发明是为了解决现有的钴系储氢材料储氢性能不高、高密度放电电流下的性能较低和循环稳定性较差的技术问题。Co9S8/石墨烯复合储氢材料是层状结构，Co9S8附着在石墨烯片层表面。制法：钴粉与硫粉高能球磨后得到Co9S8粉末，再将石墨烯与Co9S8高能球磨，得到Co9S8/石墨烯复合储氢材料。该储氢材料最大储氢容量可达3.73wt％，将Co9S8/石墨烯复合储氢材料制备成电池，在循环20次后，储氢能力仍保持在88％以上，在1000mA/g的放电电流密度条件下，其放电能力仍保持在80％以上，可用于储氢领域。
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公开(公告)号：CN104148054A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410427470.6
申请日：2014-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钒酸铋纳米棒束的制备方法，本发明涉及钒酸铋的制备方法。本发明是要解决现有的BiVO4颗粒比表面积较小，光催化效率低的技术问题。本方法：将Bi(NO3)3·5H2O溶于硝酸中，得到铋溶液，将NH4VO3溶于氢氧化钠溶液中，得到钒溶液；在搅拌条件下将铋溶液滴入钒溶液中，加入葡萄糖，并调节pH值、超声分散后，得到前驱液，将前驱液装入水热反应釜中水热处理，得到产物经洗涤、离心、干燥后，得到钒酸铋纳米棒束。该钒酸铋纳米棒束表面积为12.0～13.0m2/g，催化活性高，制备方法简单，反应周期短，能耗低，反应在液相中一次完成，不需要后期处理。本发明的钒酸铋纳米棒束可用于光催化领域。
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公开(公告)号：CN101515506B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910071739.0
申请日：2009-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，它涉及一种量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法。本发明解决了现有技术在制备Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的过程中使用H2S气体，对人体有毒害且容易爆炸的问题。方法如下：制备多孔TiO2薄膜电极；浸入琉基乙酸的乙醇溶液；在Bi(NO3)3溶液和Na2S溶液中交替浸泡，即得Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极。本发明方法制得的Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极表面复合的Bi2S3量子点多且分布均匀，光电转化率达1.10％～1.22％。本发明方法在制备过程中未使用H2S气体，对人体无毒害且不易爆炸从而保证了环境友好，本发明方法操作简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106229493A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610854413.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种层间嵌入Co1-xS的石墨烯基复合材料及其制备方法，它涉及石墨烯基复合材料及其制备方法。它是要解决现有Co1-xS和石墨烯复合材料的储氢性能差、高密度放电电流下的性能低和循环稳定性差的技术问题。本发明的复合材料是由Co1-xS和石墨烯复合的三明治层状结构，Co1-xS嵌入在石墨烯的片层中间，其中石墨烯与Co1-XS的摩尔比为1:(0.9～1.5)。制法：先将石墨烯与硫粉混合、球磨，然后再加入钴粉进行混合、球磨，得到层间嵌入Co1-xS的石墨烯基复合材料。该材料制成储氢合金电极其最大储氢容量达到3.73wt％，制成的电池，在循环50次后的储氢能力仍保持在88％以上，可用于储氢领域。
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公开(公告)号：CN101561240B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910072143.2
申请日：2009-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01B7/012
Abstract: 基于球形电容极板的超精密非接触式三维瞄准与测量传感器属于精密仪器与测量技术领域，其测头由球形测端、测杆、信号导线、等位驱动管、绝缘部件、测杆装卡机构和测头主体构成，信号导线、等位驱动管和测杆同轴装配，三者通过绝缘部件相互绝缘定位，在绝缘部件端部安装球形测端，球形测端的外表面设有球形电容极板，并通过信号导线输出传感信号；传感器采用电容信号转换与处理电路，并采用等位驱动与屏蔽消除寄生电容和空间电磁干扰的影响；本发明最大可测深径比可达到100∶1以上，分辨力可达纳米量级，且在空间三维任意方向都具有一致的传感特性，为具有大深径比与深宽比的深孔、狭槽及内腔体零件的高精度测量提供了一种有效的传感器。
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公开(公告)号：CN101561240A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910072143.2
申请日：2009-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01B7/012
Abstract: 基于球形电容极板的超精密非接触式三维瞄准与测量传感器属于精密仪器与测量技术领域，其测头由球形测端、测杆、信号导线、等位驱动管、绝缘部件、测杆装卡机构和测头主体构成，信号导线、等位驱动管和测杆同轴装配，三者通过绝缘部件相互绝缘定位，在绝缘部件端部安装球形测端，球形测端的外表面设有球形电容极板，并通过信号导线输出传感信号；传感器采用电容信号转换与处理电路，并采用等位驱动与屏蔽消除寄生电容和空间电磁干扰的影响；本发明最大可测深径比可达到100∶1以上，分辨力可达纳米量级，且在空间三维任意方向都具有一致的传感特性，为具有大深径比与深宽比的深孔、狭槽及内腔体零件的高精度测量提供了一种有效的传感器。
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公开(公告)号：CN104229731A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410471800.1
申请日：2014-09-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种Co9S8/石墨烯复合储氢材料及其制备方法，本发明涉及钴系储氢材料及其制备方法。本发明是为了解决现有的钴系储氢材料储氢性能不高、高密度放电电流下的性能较低和循环稳定性较差的技术问题。Co9S8/石墨烯复合储氢材料是层状结构，Co9S8附着在石墨烯片层表面。制法：钴粉与硫粉高能球磨后得到Co9S8粉末，再将石墨烯与Co9S8高能球磨，得到Co9S8/石墨烯复合储氢材料。该储氢材料最大储氢容量可达3.73wt％，将Co9S8/石墨烯复合储氢材料制备成电池，在循环20次后，储氢能力仍保持在88％以上，在1000mA/g的放电电流密度条件下，其放电能力仍保持在80％以上，可用于储氢领域。
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公开(公告)号：CN101515506A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910071739.0
申请日：2009-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法，它涉及一种量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法。本发明解决了现有技术在制备Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的过程中使用H2S气体，对人体有毒害且容易爆炸的问题。方法如下：制备多孔TiO2薄膜电极；浸入琉基乙酸的乙醇溶液；在Bi(NO3)3溶液和Na2S溶液中交替浸泡，即得Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极。本发明方法制得的Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极表面复合的Bi2S3量子点多且分布均匀，光电转化率达1.10％～1.22％。本发明方法在制备过程中未使用H2S气体，对人体无毒害且不易爆炸从而保证了环境友好，本发明方法操作简单。
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