公开(公告)号：CN101736388B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010300688.7

申请日：2010-01-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 吴晓宏 ,  秦伟 ,  卢松涛 ,  王小东 ,  解卿

IPC: C25D11/30

Abstract: AZ91D镁合金表面热控涂层的制备方法，它涉及一种合金表面制备热控涂层的方法。本发明解决了用铝合金作为基体的热控涂层质量大的问题。本发明的制备方法按以下步骤实现：镁合金表面预处理；镁合金微弧氧化电解液配置；将镁合金微弧氧化电解液加入微弧氧化电解槽中，再将经过预处理的镁合金置于镁合金微弧氧化电解液中作为阳极，采用脉冲微弧氧化电源供电，反应5min～40min，然后用蒸馏水清洗镁合金表面并干燥，即在镁合金表面得到热控涂层。本发明所用镁合金的密度小，仅为1.73g/cm3，约为铝合金密度的2/3。采用本发明方法得到的热控涂层与采用铝合金相比减重30％。

公开(公告)号：CN101748468B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010300677.9

申请日：2010-01-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 秦伟 ,  吴晓宏 ,  王小东 ,  卢松涛 ,  李庆阳

IPC: C25D11/30

Abstract: 一种镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，它涉及一种镁合金表面热控涂层的制备方法。本发明的目的是为了解决现有的微弧氧化方法不能在镁合金表面制备高太阳吸收率高发射率涂层的技术问题。本发明的方法是：一、对MB7镁合金进行除油预处理；二、配制含有主成膜剂、着色添加剂、络合剂和pH调节剂的电解液；三、采用恒电流模式，以镁合金为阳极，电解槽为阴极进行微弧氧化，即在镁合金表面得到高太阳吸收率热控涂层。本发明得到的热控涂层与镁合金基体的结合力好；热控涂层的太阳吸收率为0.88～0.95，红外发射率为0.85～0.9；其重量比铝合金减少25％～35％。可以应用于航天器。

公开(公告)号：CN101748468A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN201010300677.9

申请日：2010-01-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 秦伟 ,  吴晓宏 ,  王小东 ,  卢松涛 ,  李庆阳

IPC: C25D11/30

Abstract: 一种镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法，它涉及一种镁合金表面热控涂层的制备方法。本发明的目的是为了解决现有应用于航天器的铝合金材料重量大，不能满足航天器结构轻量化的要求的问题。本发明的方法是：一、对镁合金进行除油预处理；二、配制含有主成膜剂、着色添加剂、络合剂和pH调节剂的电解液；三、采用恒电流模式，以镁合金为阳极，电解槽为阴极进行微弧氧化，即在镁合金表面得到高太阳吸收率热控涂层。本发明得到的热控涂层与镁合金基体的结合力好；热控涂层的太阳吸收率为0.88～0.95，红外发射率为0.85～0.9；其重量比铝合金减少25％～35％。可以应用于航天器。

公开(公告)号：CN101736388A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN201010300688.7

申请日：2010-01-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 吴晓宏 ,  秦伟 ,  卢松涛 ,  王小东 ,  解卿

IPC: C25D11/30

Abstract: 镁合金表面热控涂层的制备方法，它涉及一种合金表面制备热控涂层的方法。本发明解决了用铝合金作为基体的热控涂层质量大的问题。本发明的制备方法按以下步骤实现：镁合金表面预处理；镁合金微弧氧化电解液配置；将镁合金微弧氧化电解液加入微弧氧化电解槽中，再将经过预处理的镁合金置于镁合金微弧氧化电解液中作为阳极，采用脉冲微弧氧化电源供电，反应5min～40min，然后用蒸馏水清洗镁合金表面并干燥，即在镁合金表面得到热控涂层。本发明所用镁合金的密度小，仅为1.73g/cm3，约为铝合金密度的2/3。采用本发明方法得到的热控涂层与采用铝合金相比减重30％。

公开(公告)号：CN101705511B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910310625.7

申请日：2009-11-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 吴晓宏 ,  秦伟 ,  王小东 ,  王锐

IPC: C25D11/04

Abstract: 一种可控太阳吸收率的氧化铝氧化铁陶瓷膜的制备方法，它涉及一种氧化铝氧化铁陶瓷膜的制备方法。本发明解决了现有方法使LY12铝合金表面具有特定太阳吸收率中存在空间稳定性、耐紫外辐照性和结合力均不好，且涂层的太阳吸收率不易调节的问题。方法：一、对LY12铝合金进行表面预处理，再超声处理，经蒸馏水清洗后烘干；二、将烘干后的LY12铝合金置于微弧氧化电解槽中电解，得微弧氧化后的LY12铝合金；三、将微弧氧化后的LY12铝合金置于蒸馏水中封孔，即完成。本发明所得陶瓷膜空间稳定性和结合力均好；膜层厚度可控制在5～100μm，耐紫外辐照性好；太阳吸收率可控制在0.4～0.9。

公开(公告)号：CN101705511A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200910310625.7

申请日：2009-11-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 吴晓宏 ,  秦伟 ,  王小东 ,  王锐

IPC: C25D11/04

Abstract: 一种可控太阳吸收率的氧化铝氧化铁陶瓷膜的制备方法，它涉及一种氧化铝氧化铁陶瓷膜的制备方法。本发明解决了现有方法使LY12铝合金表面具有特定太阳吸收率中存在空间稳定性、耐紫外辐照性和结合力均不好，且涂层的太阳吸收率不易调节的问题。方法：一、对LY12铝合金进行表面预处理，再超声处理，经蒸馏水清洗后烘干；二、将烘干后的LY12铝合金置于微弧氧化电解槽中电解，得微弧氧化后的LY12铝合金；三、将微弧氧化后的LY12铝合金置于蒸馏水中封孔，即完成。本发明所得陶瓷膜空间稳定性和结合力均好；膜层厚度可控制在5～100μm，耐紫外辐照性好；太阳吸收率可控制在0.4～0.9。