-
公开(公告)号：CN108362965A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810135822.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00 , H01L21/265
Abstract: 一种基于位移损伤抑制氧化物俘获电荷形成的方法，本发明涉及空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明要解决氧化物俘获正电荷和界面态对电子器件辐射损伤性能的技术问题。方法：确定电子元器件中钝化层距表面最远距离b和最近距离c；计算预辐照入射粒子的射程t1；计算入射粒子在钝化层中电离吸收剂量Id1和位移吸收剂量Dd1；计算log[(Id+Dd)/Dd]值；进行预辐照，确定辐照注入量Φ1；计算电离辐照入射粒子入射深度t2；计算入射粒子在钝化层中的电离吸收剂量Id2和位移吸收剂量Dd2；计算log[(Id2+Dd2)/Dd2]值；进行电离辐照。本发明改变试样中的固有位移缺陷状态，抑制氧化物俘获正电荷的形成，步骤简单，易于操作。本发明应用于电子元器件空间环境效应研究与抗辐照加固技术中。
-
公开(公告)号：CN108345767A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810135790.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法，本发明涉及计算Si的缺陷移动的方法。本发明目的是为了解决现有采用密度泛函方法获得Si的缺陷移动能量的准确率低的问题。过程为：得到Si的晶格参数；得到Si能量最低点的晶格参数；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；使用密度泛函和CLNEB方法计算双空位分离过程中能量的变化，以及得出Si原子不同带电量下的原子结构，并根据这些结构采用杂化泛函方法计算双空位分离过程中能量的变化。本发明用于计算Si的缺陷移动的领域。
-
公开(公告)号：CN108345748A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810139234.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种发光二极管的在轨性能退化预测方法，属于器件在轨性能退化预测领域，解决了现有发光二极管的在轨性能退化预测方法不具备普适性的问题。所述方法包括通过对发光二极管进行地面辐照试验，获得具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线的步骤、根据预定航天器轨道和航天器设计在轨寿命，确定发光二极管的在轨位移吸收剂量的步骤和根据具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线以及发光二极管的在轨位移吸收剂量，获得发光二极管的在轨性能退化数据的步骤。本发明所述发光二极管的在轨性能退化预测方法特别适用于对发光二极管进行在轨性能退化预测。
-
公开(公告)号：CN108303629A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810128665.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应的方法，它涉及一种双极晶体管器件的辐照效应评价，尤其涉及异种辐照源等效评价试验方法。本发明的目的要解决现有方法不能精确的判断出导致双极器件电性能下降由于电离效应、位移效应或电离/位移协同效应的问题。方法：一、开帽得到开帽的双极型晶体管；二、氢气浸泡得到氢气浸泡双极型晶体管；三、辐照，并进行原位测试；四、电性能进行分析对比；判断产生辐射效应属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。优点：能够快速判定辐照源产生属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。本发明主要用于基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应。
-
公开(公告)号：CN106569055A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610911384.1
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/003
Abstract: 电子材料及器件热循环与带电粒子辐照综合环境试验方法，属于空间环境效应领域。为了解决目前的倒闸操作票托板在特殊情况下使用不便的问题。所述方法包括：步骤一：根据待模拟的综合环境，设定环境因素：真空度、热循环条件和辐照条件；步骤二：控制各环境因素的作用次序，对待测电子材料或器件产生损伤，进行综合环境试验。本发明的应用不同类型地面单因素及多因素环境，步骤简单，易于操作。本发明所提出方法能够大幅度降低试验的费用，对电子材料和器件空间环境效应地面模拟试验和研究具有重大的意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106483061A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610911410.0
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
CPC classification number: G01N17/00
Abstract: 一种基于带电粒子辐照产生级联及点缺陷的方法，涉及空间环境效应领域，为了满足对位移损伤效应的研究需求。该方法为：选取带电粒子；计算带电粒子所产生的单位时间位移损伤吸收剂量D；根据 计算D'(E)，D'(E)为一个能量为E的带电粒子所产生的位移损伤吸收剂量，为注量率；选取D'(E)大于位移缺陷产生阈值的有效带电粒子；在有效带电粒子中选取D小于点缺陷阈值的带电粒子作为辐照源，用于产生点缺陷；在有效带电粒子中选取D大于级联缺陷阈值的带电粒子作为辐照源，用于产生点缺陷和级联缺陷。本发明适用于产生级联及点缺陷。
-
公开(公告)号：CN103872106B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410135845.1
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 抗辐照双极器件及该器件的制备方法，涉及双极器件的抗辐照技术。它为了解决现有双极器件抗辐照能力差的问题。本发明在双极器件基区表面设置有以发射区为中心的高掺杂浓度区。抗辐照双极器件的制备方法为：在完成基区扩散或离子注入后，进行发射区扩散或离子注入前，进行抗辐照加固方法，抗辐照加固方法首先在基区掩膜版的基础上制备基区表面掺杂掩膜版，基于该掩膜版向基区表面注入与基区体内相同的杂质离子，注入浓度为体区浓度的10～10000倍，最后进行退火处理。本发明通过改变基区表面结构及掺杂浓度，使器件失效阈值高了1.4～3.7倍。本发明适用于NPN器件、PNP器件、数字双极电路、模拟双极电路及数模/模数电路。
-
公开(公告)号：CN106442295A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610911407.9
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01N17/00 , G01N23/02 , G01N2033/0003 , G01N2223/102 , G01N2223/104 , G01N2223/107 , G01N2223/3106
Abstract: 一种用于航天器的聚合材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，涉及空间环境效应领域。本发明是为了解决现有缺少采用地面模拟方式对单因素和多因素影响空间航天器的聚合物及其复合材料进行全面研究的问题。本发明通过选择控制真空度、控制热循环温度，并且将电子能量及通量、质子能量及通量、重离子能量及通量同时加入密封腔体内或者按照顺序依次加入电子能量及通量、质子能量及通量、重离子能量及通量，来达到聚合物及其复合材料空间综合环境效应地面模拟的目的。它用于地面模拟聚合物材料受空间综合环境的损伤程度。
-
公开(公告)号：CN106404651A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610911382.2
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
CPC classification number: G01N17/00
Abstract: 宇航用脂肪族聚合物绝缘材料的空间辐照效应等效性评价方法，涉及粒子辐射环境用脂肪族聚合物绝缘材料不同辐照源位移辐照效应的等效性评价方法。解决了现有的宇航用脂肪族聚合物空间辐照效应评价方法，评价误差大的问题。计算各辐射源在待测材料样品中的LET值、电离吸收剂量及射程；根据各辐射源在待测材料样品中的射程，确定待测材料样品的厚度，使每种辐射源对应一块待测材料样品进行辐照试验，使各辐射源的辐照粒子完全穿透所对应的待测材料样品的厚度；辐照后，制定各辐射源在辐照条件下微观结构分析获得的各物理量与电离吸收剂量关系曲线，及性能测试获得的各物理量与电离吸收剂量的关系曲线。本方法用于对脂肪族聚合物绝缘材料进行评价。
-
公开(公告)号：CN106353344A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610911408.3
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/00
Abstract: 双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法，属于双极型器件辐射损伤缺陷辨别技术领域。所述方法包括：利用深能级瞬态谱仪对双极型器件的敏感区进行测试，在测试过程中，通过单一改变反偏电压、填充电压、测试周期或脉冲宽度，获取温度扫描测试曲线，根据温度扫描测试曲线中的信号峰，确定该双极型器件为位移缺陷或电离缺陷。在电离辐射损伤条件下，针对器件的各个敏感区进行深能级瞬态谱仪DLTS测试，利用本发明的方法在DLTS测试过程中可准确辨别位移缺陷及电离缺陷，并能定量分析测试氧化物电荷和界面态，大大减少测量双极晶体管氧化物俘获正电荷与界面态的难度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
320
records
(took 0.032 seconds)
