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公开(公告)号：CN115327703B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210884902.0
申请日：2022-07-26
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于相变材料的非易失多级可调光子神经突触器件，属于光计算领域。包括衬底、平板层波导、周期性槽脊波导、相变薄膜。平板层波导覆盖整个衬底区域，周期性槽脊波导周期分布在平板层波导上侧，相变薄膜覆盖在平板层波导以及周期性槽脊波导表面；周期性槽脊波导包括沿光束传播方向周期分布的波导单元，每个波导单元包括两个相同的脊型波导以及两者之间的狭缝结构。平板层波导以及周期性槽脊波导的几何结构将影响波导内传输模式的有效模式折射率，通过优化周期性槽脊波导的周期以及占空比以实现不同的输出强度输出。通过改变相变薄膜的相态(晶态，非晶态)，实现光子神经突触在相变薄膜为不同相态的情况下具有较大的输出强度差。
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公开(公告)号：CN117677889A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280043061.9
申请日：2022-06-16
申请人： 洛克利光子有限公司
摘要： 一种光子芯片。在一些实施例中，光子芯片包括：波导；以及包括波导的一部分的光学活性装置。波导可具有：处于光子芯片的第一边缘的第一端；以及第二端，并且波导在第一端与第二端之间的各处可具有曲率的变化率，曲率的变化率具有不超过2000/mm2的大小。
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公开(公告)号：CN117518675A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311581826.7
申请日：2023-11-24
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种基于法布里‑珀罗腔的谐振型硅电光调制器。调制器包括布拉格光栅及模式复用器，输入波导，输出波导，中间有源区波导与电极。两侧的布拉格光栅采用非对称多模条波导光栅结构并引入渐变光栅结构，通过双层锥形波导实现两侧条波导与中间有源区脊波导的转换，有源区采用耗尽型PN掺杂结构并引入交叉掺杂结构，两侧掺杂区域通过通孔与集总电极相连。本发明通过实现对由两个布拉格光栅构成的法布里‑珀罗腔的谐振波长的调谐，从而完成高速电光的调制，具有低损耗，尺寸紧凑，波长稳定，工艺不敏感的优势，可以应用在高速光通信等领域。
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公开(公告)号：CN113552735B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110638960.0
申请日：2021-06-08
申请人： 山东大学
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 本发明涉及一种基于双层传输线结构的硅基电光调制器行波电极及其制备方法。所述行波电极包括从下至上依次设置的衬底、二氧化硅层、掺杂硅层、第一覆盖层、第一金属层、第二覆盖层和第二金属层。所述行波电极两侧还设置有贯穿衬底、二氧化硅层、掺杂硅层、第一覆盖层、第一金属层、第二覆盖层和第二金属层的窗口结构。本发明提供的基于双层传输线结构的硅基电光调制器行波电极通过形成通孔对衬底进行了挖空，有效地增大了光信号与微波信号等效折射率匹配程度，降低了基座带来的损耗，进一步提高了带宽。并且通过优化有源区来降低损耗，可以将降低金属损耗与介质损耗相结合来进一步优化调制器性能。
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公开(公告)号：CN111758065B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201980014478.0
申请日：2019-02-08
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 本发明使得在使用由基于InP的半导体构成的芯的光调制器中能够更容易地提高调制效率。根据本发明的光调制器设置有：下包层(102)，形成在衬底(101)上；芯(103)，形成在下包层(102)上；以及上包层(104)，形成在芯(103)上。芯(103)由带隙与期望波长相对应的基于InP的半导体构成。下包层(102)和上包层(104)被配置为折射率等于或小于InP的折射率。
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公开(公告)号：CN110989211B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911241879.8
申请日：2019-12-06
申请人： 希烽光电科技(南京)有限公司
摘要： 本发明公开了单片电光(E‑O)调制器的各种实施例，其可以被制造在绝缘体上硅衬底上。单片电光调制器包括允许光信号在其中传播的光波导。单片电光调制器还包括梳状传输线，用于传导对光信号进行调制的电调制信号。梳状传输线包括与光波导平行延伸的电导体。导体中的至少一个包括将导体形成为具有像梳子一样的多个齿的形状的凹部或狭槽。可以设计梳状传输线以实现沿光波导的光信号的传播速度与沿梳状传输线的电调制信号的群速度之间的紧密匹配，有助于实现单片电光调制器的高工作速度。
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公开(公告)号：CN114114722B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111429663.1
申请日：2021-11-29
申请人： 烽火通信科技股份有限公司 , 武汉飞思灵微电子技术有限公司
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 本发明涉及光通信领域，提供了一种高速硅光调制器相移臂及其制备方法，高速硅光调制器相移臂包括：脊型波导；P型掺杂区和N型掺杂区分别位于所述脊型波导的两侧；P型掺杂区包括P型重掺区和P型轻掺区；所述P型重掺区位于所述脊型波导的边界区域，所述P型轻掺区位于所述脊型波导的核心区域；N型掺杂区包括N型重掺区和N型轻掺区；所述N型重掺区位于所述脊型波导的边界区域，所述N型轻掺区位于所述脊型波导的核心区域；本发明通过在脊型波导内光场相对较弱的边界区域进行较高浓度的离子掺杂，在脊型波导内光场相对较强的核心区域进行较低浓度的离子掺杂，使得在提高硅光调制器带宽的同时，不会引起光学损耗较大幅度的增加。
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公开(公告)号：CN110109268B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910477482.2
申请日：2019-06-03
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种基于水平三波导耦合器的硅基模式选择开关，包括衬底层，下包层和上覆盖层；在下包层上铺有左侧掺杂平板波导层和右侧掺杂平板波导层，左侧掺杂平板波导层上设有左侧电极和输入波导；右侧掺杂平板波导层上设有右侧电极和主干波导；采用基于ENZ‑ITO的水平MOS电容器，通过调整外加电压，调节ITO层的双载流子积聚层的浓度，达到快速相变来实现模式复用的状态转换，实现了高速开关转换，提高了光与物质互作用，为片上模式复用技术打下良好基础，进一步实现应用于模分复用网络的灵活模式路由，为实现光通信、光子系统中高性能光信号处理芯片或器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN110291450B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201780074837.2
申请日：2017-12-01
申请人： 洛克利光子有限公司
摘要： 一种波导装置和掺杂波导装置的方法，所述波导装置包括肋形波导区，所述肋形波导区具有：基底，以及从所述基底延伸的脊状物，其中：所述基底包括在所述脊状物的第一侧处的第一平板区，和在所述脊状物的第二侧处的第二平板区；第一掺杂平板区沿着所述第一平板区延伸；第二掺杂平板区沿着所述第二平板区延伸；第一掺杂侧壁区沿着所述脊状物的第一侧壁并且沿着所述第一平板的一部分延伸，所述第一掺杂侧壁区在第一平板界面处与所述第一掺杂平板区接触；并且第二掺杂侧壁区沿着所述脊状物的第二侧壁并且沿着所述第二平板的一部分延伸，所述第二掺杂侧壁区在第二平板界面处与所述第二掺杂平板区接触；并且其中所述脊状物的所述第一侧壁与所述第一平板界面之间的间隔不多于10μm；并且其中所述脊状物的所述第二侧壁与所述第二平板界面之间的间隔不多于10μm。
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公开(公告)号：CN115903280A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210929780.2
申请日：2022-08-04
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 本发明提供一种光调制器。光调制器具备：衬底，其具有包含第一区、第二区以及第三区的主面；第一导电型的第一III‑V族化合物半导体层，其设置于第一区上；第一导电型或第二导电型的第二III‑V族化合物半导体层，其设置于第二区上；芯，其设置于第三区上，且包含III‑V族化合物半导体；以及电极，其与第一III‑V族化合物半导体层连接。第一III‑V族化合物半导体层包含：第一部分，其在与主面正交的第二方向上具有比芯的厚度小的厚度；以及第二部分，其在第二方向上具有比第一部分的厚度大的厚度。第二部分配置于第一部分和芯之间。
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