公开(公告)号：CN104935274A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510116561.2

申请日：2015-03-17

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 蒂莫西·里奇斯 ,  路易斯·普拉姆斯玛

IPC分类号： H03F3/189

CPC分类号： H03F1/0222 ,  H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F2200/165 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/453 ,  H03F2200/456 ,  H03F2200/471

摘要： 一种用于晶体管放大器的偏置电路，所述偏置电路包括低通滤波器模块、基准晶体管、求和节点、基准电流源、以及电流差模块，其中所述低通滤波器模块被配置为感测在所述晶体管放大器的控制端子处的DC偏置电压，并向所述基准晶体管的控制端子提供所述DC偏置电压；所述基准晶体管被配置为响应于所述DC偏置电压输出偏置电流，并向所述求和节点提供所述偏置电流；所述求和节点被配置为从所述基准电流源接收基准电流，并将所述基准电流与来自所述基准晶体管的所述偏置电流组合以提供差电流；以及所述电流差模块被配置为从所述求和模块接收所述差电流，并向所述晶体管放大器的所述控制端子提供所述差电流。

公开(公告)号：CN104335485A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380028590.2

申请日：2013-05-30

申请人： 高通股份有限公司

发明人： X·王 ,  Y·左 ,  X·张 ,  M·G·迪斯克

IPC分类号： H03F3/24 ,  H03F3/45 ,  G01R21/14

CPC分类号： H04B17/0062 ,  G01R21/10 ,  G01R21/14 ,  G01R29/0871 ,  H03F3/245 ,  H03F3/45183 ,  H03F3/45188 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/453 ,  H03F2200/456 ,  H03F2200/465 ,  H03F2203/45112 ,  H03F2203/45156 ,  H03F2203/45292 ,  H03F2203/45302 ,  H03F2203/45481 ,  H03G1/04 ,  H03G3/3036 ,  H04B17/21

摘要： 公开了具有温度补偿且具有改进的随温度的准确性的功率检测器。通过改变功率检测器内的MOS晶体管的栅极电压和漏极电压两者来减小功率检测器增益随温度的变化。在示例性设计中，一种装置包括至少一个MOS晶体管(320)，该至少一个MOS晶体管接收输入信号(V输入)，基于功率检测增益来检测该输入信号(V输入)的功率，以及提供指示该输入信号(V输入)的功率的输出信号(l输出)。该至少一个MOS晶体管(320)被施加可变栅极偏置电压和可变漏极偏置电压，以减小功率检测增益随温度的变化。至少一个附加MOS晶体管(322)可以接收第二可变栅极偏置电压，并且提供用于该至少一个MOS晶体管的可变漏极偏置电压。

公开(公告)号：CN104167997A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410208417.7

申请日：2014-05-16

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 扬·范信德瑞 ,  约翰内斯·胡伯图斯·安托尼奥斯·布雷克尔曼斯

IPC分类号： H03F3/45

CPC分类号： H03F3/193 ,  H03F1/342 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/453 ,  H03F2200/456 ,  H03F2203/45288

摘要： 一种跨导放大器包括放大器级的集合。用特定比率划分最后一级的放大器，其中将一部分用于传送输出电流，将另一部分用于向输入传送反馈电流。

公开(公告)号：CN102577105B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN200980161985.3

申请日：2009-08-19

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 赫尔本·W·德琼

IPC分类号： H03F1/30

CPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/453 ,  H03F2200/456 ,  H03F2203/45101 ,  H03F2203/45138

摘要： 本发明公开了一种具有参考源(12)的电路，参考源用于供给偏置信号以将放大器(10)中的放大器晶体管的小信号跨导设定到预定值。参考源具有至少一个参考晶体管(120a-b，30)。反馈电路(128，129，38)的输入端连接至参考晶体管(120a-b，30)的主电流通道，输出端连接至参考晶体管(120a-b，30)的控制电极。反馈电路控制控制电极处的控制电压，以使流过参考晶体管(120a-b，30)的电流通道的主电流之差与偏移电流相等，所述差是采用和不采用添加至控制电压的小电压偏移获得的。在存在和不存在小电压偏移的情况下流动的主电流可以通过采用彼此匹配的第一和第二参考晶体管(122a，b)以及连接在第一和第二参考晶体管(122a，b)的控制电极之间以在其控制电极之间施加小电压偏移的偏移电压源(126)获得。

公开(公告)号：CN102017399B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200980116006.2

申请日：2009-03-09

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 阿尔温德·维贾伊·基尔蒂

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F1/32 ,  H03F3/30 ,  H03F1/30 ,  H03F3/72 ,  H03G1/00 ,  H03G3/00

CPC分类号： H03F3/3022 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/301 ,  H03F1/308 ,  H03F1/3205 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/453 ,  H03F2200/456 ,  H03F2203/30015 ,  H03F2203/30099 ,  H03F2203/30132 ,  H03F2203/7236 ,  H03G1/0088

摘要： 本发明揭示用于使用复制品电路(220)来偏置放大器(200)的技术。在一实施例中，将具有与推挽放大器电路大体上相同的拓扑和大小设计的复制品电路(220)耦合到主推挽放大器电路(200)。可使用反馈来偏置所述复制品电路(220)中的晶体管(MP1R)以产生预定DC输出电压电平，且可将此偏置电平施加到所述主推挽放大器电路(200)中的对应晶体管(MP1)。在另一实施例中，电流偏置模块(210)中的晶体管Mn1B)可用于偏置所述主推挽放大器电路(300)和所述复制品电路(220)中的对应晶体管Mn1、MnPR)。本发明揭示用于配置所述放大器以具有非均一步长的其它技术，其中在较低功率电平处具有较精细的分辨率且在较高功率电平处具有较粗糙的分辨率，从而降低较低功率电平处的功率消耗。

公开(公告)号：CN102474229A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032891.9

申请日：2010-07-23

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 韩怡平 ,  拉贾戈帕兰·兰加拉詹

IPC分类号： H03F3/30 ,  H03F1/02 ,  H03F3/72

CPC分类号： H03F1/0272 ,  H03F1/0277 ,  H03F3/3022 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/435 ,  H03F2200/456 ,  H03F2203/30015 ,  H03F2203/30031 ,  H03F2203/30099 ,  H03F2203/30132 ,  H03K5/003 ,  H03K5/023

摘要： 本发明揭示用于缓冲高频信号(IN)以经由集成电路进行传输的电路、技术及方法。在一个特定实施方案中，个别地偏置多个放大电路(M1、M2)以用于放大来自压控振荡器及/或数控振荡器的信号，以在装置上提供本机振荡器信号。

公开(公告)号：CN102439849A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022349.5

申请日：2010-05-21

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 沙欣·梅海丁扎德·塔莱依 ,  简·保罗·范德瓦格特

IPC分类号： H03F1/56 ,  H03F3/72 ,  H03F1/22 ,  H03H11/30 ,  H04L25/02

CPC分类号： H03F1/223 ,  H03F1/56 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/453 ,  H03F2200/456 ,  H03F2200/513 ,  H03F2203/7236 ,  H03H11/30 ,  H04L25/0278 ,  H04L25/028

摘要： 本发明提供用于设计缓冲器(310)的技术，所述缓冲器(310)能够以低供应电压进行工作，且具有主动输出阻抗匹配能力以优化去往广泛范围的负载的电力传递。在示范性实施例中，在缓冲器架构中提供共源共栅晶体管(333、334)，所述缓冲器架构使用具有不等宽长比W/L的共源极晶体管(331、332)及与负载(120)具有对应固定比率的电阻(340、350)。可动态地偏置所述共源共栅晶体管中的至少一者(333)以使所述共源极晶体管(331、332)的漏极电压之间的差最小化。在另一示范性实施例中，可通过选择性地启用一组调谐晶体管来主动地调谐所述缓冲器的输出阻抗，所述调谐晶体管与所述负载并联耦合。本发明描述用于提供校准模式及操作模式的其它技术。

公开(公告)号：CN101501986B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200780029143.3

申请日：2007-07-31

申请人： 美国亚德诺半导体公司

发明人： 劳伦斯·A·辛格 ,  罗纳德·A·卡普斯塔

IPC分类号： H03F3/50 ,  H03F1/02

CPC分类号： H03F1/0283 ,  H03F3/505 ,  H03F2200/24 ,  H03F2200/421 ,  H03F2200/453 ,  H03F2200/456 ,  H03F2203/5027 ,  H03F2203/5031 ,  H03F2203/5036

摘要： 两个或更多个缓冲器可以被配置和布置成使得流过并且偏置第一缓冲器的静态电流也流过并且偏置第二缓冲器。第一和第二缓冲器可以例如是作为驱动开关电容器电路的输入的参考缓冲器来使用的源极跟随器。

公开(公告)号：CN101542897B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200680056481.1

申请日：2006-11-30

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森一富 ,  弥政和宏 ,  太田彰 ,  紫村辉之 ,  中山正敏

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F3/19

CPC分类号： H03F1/0277 ,  H03F1/565 ,  H03F3/191 ,  H03F3/211 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/366 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/456 ,  H03F2203/7233 ,  H03F2203/7236 ,  H03H7/38

摘要： 本发明提供一种高频放大器，该高频放大器对元件尺寸不同的两个放大元件进行并联连接，按照输出功率的大小对放大元件进行切换，特别设置了输出匹配电路，该输出匹配电路无论输出功率大时还是小时的任何情况下都匹配为特性阻抗(50欧姆)，并且提高从两个放大元件的输出侧的连接点看截止的放大元件的阻抗。结果是可以实现高输出、高效率的特性，另外，具有可以抑制被放大的信号转入到截止的放大元件侧的匹配电路的效果。

公开(公告)号：CN101467255A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021117.6

申请日：2007-06-05

申请人： 艾利森电话股份有限公司

发明人： T·亚伦伯

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H03F1/3205 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/088 ,  H03F3/19 ,  H03F3/211 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/456 ,  H03F2200/492 ,  H03F2203/21178

摘要： 实现晶体管电路的方法包括：将第一和第二晶体管以并联方式耦合，其中第一晶体管具有对应于由反向短沟道效应引起的晶体管电压阈值曲线中的峰值的沟道长度，而第二晶体管具有较长的沟道长度并因此具有较低的阈值电压。以这种方式利用反向短沟道效应使得能够实现呈现改善线性的“复合”晶体管电路。