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公开(公告)号：CN102460691B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201080024968.8
申请日：2010-06-03
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 拉贾戈帕兰·兰加拉詹 , 钦玛雅·米什拉 , 毛林·巴加特 , 靳彰
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/64 , H03B1/02
CPC分类号： H03B21/00 , H01L23/49816 , H01L23/645 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/19015 , H01L2924/3011 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 一种宽带频率产生器具有用于不同频带的两个或两个以上振荡器，所述振荡器安置于倒装芯片封装内的同一裸片上。通过将一个电感器放置于所述裸片上且将另一电感器放置于所述封装上从而使所述电感器分隔开焊料凸块直径而减小所述两个振荡器的电感器之间的耦合。所述松弛耦合的电感器允许操纵所述振荡器中的一者的LC谐振电路以增加另一振荡器的带宽，且反之亦然。可通过使所述另一振荡器的所述LC谐振电路负载较大电容(例如所述另一振荡器的粗调组的整个电容)来实现防止所述振荡器中的一者中的不合需要的振荡模式。还可通过降低所述另一振荡器的LC谐振电路的质量因数且借此增加所述谐振电路中的损耗来实现防止所述不合需要的模式。
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公开(公告)号：CN102474229A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080032891.9
申请日：2010-07-23
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 韩怡平 , 拉贾戈帕兰·兰加拉詹
CPC分类号： H03F1/0272 , H03F1/0277 , H03F3/3022 , H03F3/72 , H03F2200/435 , H03F2200/456 , H03F2203/30015 , H03F2203/30031 , H03F2203/30099 , H03F2203/30132 , H03K5/003 , H03K5/023
摘要： 本发明揭示用于缓冲高频信号(IN)以经由集成电路进行传输的电路、技术及方法。在一个特定实施方案中，个别地偏置多个放大电路(M1、M2)以用于放大来自压控振荡器及/或数控振荡器的信号，以在装置上提供本机振荡器信号。
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公开(公告)号：CN103916081B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410184151.7
申请日：2010-06-17
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 拉贾戈帕兰·兰加拉詹 , 钦玛雅·米什拉
CPC分类号： H03B5/1228 , H03B5/1215 , H03B5/1225 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B5/1268
摘要： 本申请涉及可配置的宽调谐范围振荡器核心。一种振荡器包括谐振器、第一和第二p型晶体管，以及第一和第二n型晶体管。所述谐振器具有第一端子和第二端子。所述第一p型晶体管可切换地连接到所述第一端子，而所述第二p型晶体管可切换地连接到所述第二端子。所述第一n型晶体管的第一漏极和所述第二n型晶体管的第二漏极分别电连接到所述第一端子和所述第二端子。所述振荡器能够在仅NMOS模式下和在CMOS模式下操作。
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公开(公告)号：CN102460955A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080025959.0
申请日：2010-06-09
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 拉贾戈帕兰·兰加拉詹 , 钦玛雅·米什拉
IPC分类号： H03B5/12
CPC分类号： H03B5/1206 , H03B5/1265 , H03J2200/10
摘要： 一种电容切换元件(200)包括由晶体管(205、210)串联连接的第一电容器(240)及第二电容器(245)。所述晶体管的栅极由通过一组电阻器(220、230)的第一信号(b0/)加偏压，且源极及漏极由通过第二组电阻器(215、225、235)的第二信号(b0)加偏压。所述信号经电平移位且可为互补的。为了接通所述元件，可将所述第一信号(b0/)设定为VDD，且可将所述第二信号(b0)设定为零。为了断开所述元件，可将所述第一信号(b0/)设定为VDD/2的倍数，且可将所述第二信号(b0)设定为VDD/2的所述倍数加1倍。当所述元件用于振荡器调谐电路中时，所述晶体管上的电压应力降低，且所述晶体管可用薄氧化物制造。所述振荡器可用于蜂窝式接入终端的收发器中。
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公开(公告)号：CN104362980B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410543596.X
申请日：2010-06-03
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 拉贾戈帕兰·兰加拉詹 , 钦玛雅·米什拉 , 毛林·巴加特 , 靳彰
CPC分类号： H03B21/00 , H01L23/49816 , H01L23/645 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/19015 , H01L2924/3011 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 本发明涉及用于频率产生的设备和方法。一种宽带频率产生器具有用于不同频带的两个或两个以上振荡器，振荡器安置于倒装芯片封装内的同一裸片上。通过将一个电感器放置于裸片上且将另一电感器放置于封装上从而使电感器分隔开焊料凸块直径而减小两个振荡器的电感器之间的耦合。松弛耦合的电感器允许操纵所述振荡器中的一者的LC谐振电路以增加另一振荡器的带宽，反之亦然。可通过使另一振荡器的LC谐振电路负载较大电容(例如另一振荡器的粗调组的整个电容)来实现防止振荡器中的一者中的不合需要的振荡模式。还可通过降低另一振荡器的LC谐振电路的质量因数且借此增加谐振电路中的损耗来实现防止不合需要的模式。
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公开(公告)号：CN102474229B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201080032891.9
申请日：2010-07-23
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 韩怡平 , 拉贾戈帕兰·兰加拉詹
CPC分类号： H03F1/0272 , H03F1/0277 , H03F3/3022 , H03F3/72 , H03F2200/435 , H03F2200/456 , H03F2203/30015 , H03F2203/30031 , H03F2203/30099 , H03F2203/30132 , H03K5/003 , H03K5/023
摘要： 本发明揭示用于缓冲高频信号(IN)以经由集成电路进行传输的电路、技术及方法。在一个特定实施方案中，个别地偏置多个放大电路(M1、M2)以用于放大来自压控振荡器及/或数控振荡器的信号，以在装置上提供本机振荡器信号。
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公开(公告)号：CN103916081A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410184151.7
申请日：2010-06-17
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 拉贾戈帕兰·兰加拉詹 , 钦玛雅·米什拉
CPC分类号： H03B5/1228 , H03B5/1215 , H03B5/1225 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B5/1268
摘要： 本申请涉及可配置的宽调谐范围振荡器核心。一种振荡器包括谐振器、第一和第二p型晶体管，以及第一和第二n型晶体管。所述谐振器具有第一端子和第二端子。所述第一p型晶体管可切换地连接到所述第一端子，而所述第二p型晶体管可切换地连接到所述第二端子。所述第一n型晶体管的第一漏极和所述第二n型晶体管的第二漏极分别电连接到所述第一端子和所述第二端子。所述振荡器能够在仅NMOS模式下和在CMOS模式下操作。
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公开(公告)号：CN102804594B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080026846.2
申请日：2010-06-17
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 拉贾戈帕兰·兰加拉詹 , 钦玛雅·米什拉
IPC分类号： H03B5/12
CPC分类号： H03B5/1228 , H03B5/1215 , H03B5/1225 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B5/1268
摘要： 一种振荡器包括谐振器、第一和第二p型晶体管，以及第一和第二n型晶体管。所述谐振器具有第一端子和第二端子。所述第一p型晶体管可切换地连接到所述第一端子，而所述第二p型晶体管可切换地连接到所述第二端子。所述第一n型晶体管的第一漏极和所述第二n型晶体管的第二漏极分别电连接到所述第一端子和所述第二端子。所述振荡器能够在仅NMOS模式下和在CMOS模式下操作。
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公开(公告)号：CN102460955B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080025959.0
申请日：2010-06-09
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 拉贾戈帕兰·兰加拉詹 , 钦玛雅·米什拉
IPC分类号： H03B5/12
CPC分类号： H03B5/1206 , H03B5/1265 , H03J2200/10
摘要： 一种电容切换元件(200)包括由晶体管(205、210)串联连接的第一电容器(240)及第二电容器(245)。所述晶体管的栅极由通过一组电阻器(220、230)的第一信号(b0/)加偏压，且源极及漏极由通过第二组电阻器(215、225、235)的第二信号(b0)加偏压。所述信号经电平移位且可为互补的。为了接通所述元件，可将所述第一信号(b0/)设定为VDD，且可将所述第二信号(b0)设定为零。为了断开所述元件，可将所述第一信号(b0/)设定为VDD/2的倍数，且可将所述第二信号(b0)设定为VDD/2的所述倍数加1倍。当所述元件用于振荡器调谐电路中时，所述晶体管上的电压应力降低，且所述晶体管可用薄氧化物制造。所述振荡器可用于蜂窝式接入终端的收发器中。
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公开(公告)号：CN102474259B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080029299.3
申请日：2010-06-30
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 钦玛雅·米什拉 , 拉贾戈帕兰·兰加拉詹 , 严宏延
摘要： 本发明描述一种用于电压控制振荡器VCO缓冲器的电路。所述电路包括第一电容器，所述第一电容器连接到所述VCO缓冲器的输入端，所述输入端连接到VCO核心。所述电路还包括第二电容器，所述第二电容器连接到所述VCO缓冲器的所述输入端和p型金属氧化物半导体场效应PMOS晶体管的栅极。所述电路进一步包括第一开关，所述第一开关连接到所述第一电容器和所述PMOS晶体管的所述栅极。所述电路还包括第三电容器，所述第三电容器连接到所述VCO缓冲器的所述输入端。所述电路进一步包括第四电容器，所述第四电容器连接到所述VCO缓冲器的所述输入端和n型金属氧化物半导体场效应NMOS晶体管的栅极。所述电路还包括第二开关，所述第二开关连接到所述第三电容器和所述NMOS晶体管的所述栅极。
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