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公开(公告)号：CN111106029B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN201911401776.3
申请日：2019-12-31
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/324 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种晶圆快速热处理机台的监控方法，对光硅片进行离子注入，形成监控片，且离子注入的杂质在不被完全激活时，进行监控片的电阻值测试；在制作监控片时，对清洗后的光硅片进行处理没有时间限制，同时不需要保存于氮气柜中，简化了监控片制作步骤及技术要求，本发明在简化监控片制作步骤及技术要求的同时，兼顾监控金属前和金属后500~1000℃的温度范围，起到有效监控的目的；防止因机台温度的波动和漂移导致晶圆加工工艺异常及晶圆报废，具有良好的市场应用价值。
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公开(公告)号：CN110176401B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201910511087.1
申请日：2019-06-13
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种降低VDMOS生产成本的方法，包括以下步骤：A、初始氧化层上采用光刻胶做出环区图形和深体区图形，环区图形和深体区图形形成光刻打开区；B、对光刻打开区进行刻蚀，形成深体区及终端环；C、进行高温驱入，生长二次氧化层；D、在有源区进行VDMOS的原胞制作，二次氧化层的保留，为后续源区制作，减少1层光刻做准备；E、生长栅极氧化层，淀积多晶硅栅极；F、做多晶硅栅极的刻蚀，并刻透栅极氧化层，形成体区窗口来制作体区，之后再进行多晶硅的掺杂，同时源区也进行了制作；本发明在保证器件性能的前提下，减少一次光刻及深体区制作过程，来大幅降低成本，成本降低约20%，从而提升器件市场竞争力，具有良好的市场应用价值。
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公开(公告)号：CN111555644A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010553909.5
申请日：2020-06-17
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
发明人： 张雄
摘要： 本发明提供了一种基于MOS管的交直流变换电路，包括正半周期变换电路和负半周期变换电路。本发明通过对主开关MOS管栅极的控制和调整，实现了主开关MOS管的快速导通和关断，进而减小了交流电源电压反向过程中反向漏电流的产生，提高了能量转换效率及系统稳定性。本发明通过调节输出控制MOS管的栅源极电压，减小了相关MOS管的导通压降，有效减小了系统功耗；本发明通过将电路中电容的放电电流引入到输出端，作为输出电流分量输出，进一步提高了系统的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN111106029A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911401776.3
申请日：2019-12-31
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/324 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种晶圆快速热处理机台的监控方法，对光硅片进行离子注入，形成监控片，且离子注入的杂质在不被完全激活时，进行监控片的电阻值测试；在制作监控片时，对清洗后的光硅片进行处理没有时间限制，同时不需要保存于氮气柜中，简化了监控片制作步骤及技术要求，本发明在简化监控片制作步骤及技术要求的同时，兼顾监控金属前和金属后500~1000℃的温度范围，起到有效监控的目的；防止因机台温度的波动和漂移导致晶圆加工工艺异常及晶圆报废，具有良好的市场应用价值。
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公开(公告)号：CN110729196A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911030598.8
申请日：2019-10-28
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08
摘要： 本发明公开了一种降低沟槽型金属氧化物半导体导通电阻的方法，包括以下步骤，在硅衬底上的N型外延层上生长热生长氧化层，再淀积氧化层，进行沟槽的刻蚀；生长栅极氧化层，再淀积掺杂的栅极多晶硅；形成器件的栅极，P型杂质注入，形成P型体区；进行纵向的源区光刻，进行N型杂质注入；形成沟槽DMOS的源区；进行纵向的P型浓掺杂区光刻，P型浓掺杂质注入；淀积介质隔离层,淀积钛/氮化钛，再淀积正面金属层形成器件的源极；再生长背面金属层，形成器件的漏极，完成器件的制作；本发明通过改变器件的结构，实现了更小元胞的制作，实现了相同面积导通电阻的降低或相同导通电阻芯片面积的减小，具有良好的市场应用价值。
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公开(公告)号：CN110176395A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910511822.9
申请日：2019-06-13
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，包括以下步骤：A、提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在所述N型外延层上形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成多晶栅极；B、对多晶栅极进行刻蚀，并刻蚀部分栅极氧化层；C、掺杂离子以设置的注入角度进行体区注入，且分为4次进行，每次注入体区剂量的1/4，且每注入一次将硅晶片在水平面上顺时针旋转90度后进行下一次注入；D、做源区自对准注入；E、做体区和源区的一次性驱入扩散；F、做介质层淀积，并完成孔刻蚀；本发明缩短了器件制作周期、节省了制作程序、降低了器件的生产成本、解决了两次扩散造成器件浮动误差过大的问题，具有良好的市场应用价值。
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公开(公告)号：CN110006727A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910282793.3
申请日：2019-04-10
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
发明人： 黄泽军
摘要： 本发明公开了一种离子注入机稳定性的监控方法，包括以下步骤：S1、先取光硅片，并生长氧化层；S2、对生长氧化层的光硅片进行离子注入，且将离子注入的浓度峰值注入在硅和氧化层的交界面；S3、进行快速热处理，激活杂质，形成导电层；S4、去除氧化层；S5、对去除氧化层的导电层进行电阻值的测试，确认电阻稳定性；S6、对导电层进行多次定频监控；本发明改变现有的注入机台监控方式，对注入机能量和剂量的稳定性监控都能起到很好的作用，大大降低因机台的波动而造成批量产品的失效报废的机率，具有良好的市场应用价值。
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公开(公告)号：CN116705770B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310967508.8
申请日：2023-08-03
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置由于不需要打孔或者冲压切口，因此可以相较于现有技术快速视觉检测的金属夹片结构具有更小的电阻。该半导体装置提供的新的适用于快速视觉检测的金属夹片结构，取消了孔或切口等检视窗口，保证在测试阶段和实际封装阶段挤压锡膏的面积是一样的，因此，在测试阶段测得的锡膏厚度、贴装速度、压力等参数与封装时一致。
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公开(公告)号：CN117059658A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311297059.7
申请日：2023-10-09
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明实施例公开了屏蔽栅沟槽半导体器件的沟槽结构、制作方法及仿真方法。制作方法包括：在半导体衬底的正面制作外延层，并刻蚀形成沟槽，在沟槽中先沉积第一介质层，再在沟槽内填充满第一多晶硅；对沟槽内的第一多晶硅进行回刻；对第一介质层进行刻蚀；在刻蚀后的沟槽内部再淀积第二介质层；再对第二介质层进行回刻，回刻深度与P‑body体区底部相对高度差在0.1um以上；在沟槽内部淀积第三介质层；淀积第二多晶硅层；对第二多晶硅层进行回刻0.3um‑0.4um；对沟槽内淀积层间介质。通过实施本发明实施例的方法可实现减少屏蔽栅沟槽半导体场效应管的输出电容，降低功耗以获得功率半导体器件性能的提升。
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公开(公告)号：CN117020069A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310862131.X
申请日：2023-07-12
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： B21F15/00 , B24B27/033
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种清洁结构，包括：清洁件，所述的表面均布摩擦单元。本发明通过在焊接设备的治具上设置清洁结构，劈刀可以在清洁结构上做摩擦接触动作，清洁结构的摩擦单元将劈刀表面的铜残和脏污留带走从而达到清洁劈刀的目的；通过本发明能有效延长劈刀寿命，预防劈刀表面脏污所带来的焊线质量异常，如虚焊、脱焊、焊球不良等，从而提升成品良率，降低生产成本。
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