本发明公开了一种晶圆快速热处理机台的监控方法，对光硅片进行离子注入，形成监控片，且离子注入的杂质在不被完全激活时，进行监控片的电阻值测试；在制作监控片时，对清洗后的光硅片进行处理没有时间限制，同时不需要保存于氮气柜中，简化了监控片制作步骤及技术要求，本发明在简化监控片制作步骤及技术要求的同时，兼顾监控金属前和金属后500~1000℃的温度范围，起到有效监控的目的；防止因机台温度的波动和漂移导致晶圆加工工艺异常及晶圆报废，具有良好的市场应用价值。