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公开(公告)号：CN1212452A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98119572.5
申请日：1998-09-24
申请人： 张国飙
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L27/112
摘要： 本发明提供一个将存储元布置在三维空间中的只读存储器。这些存储元分布在多个存储层上。这些存储层相互重叠,一层叠在另一层上。在每个存储层上有多个选址线和存储元。这些存储元可以是掩模编程的或场编程的。由于存储元布置在三维空间中,存储密度和存储容量可极大提高。三维只读存储器的存取时间短,并且可用标准半导体生产流程制造。本发明可以广泛地应用在很多领域。
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公开(公告)号：CN109684653B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201710996864.7
申请日：2017-10-19
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： G06F30/398
摘要： 本发明提出一种可编程门阵列封装，它含有至少一可编程计算芯片和一可编程逻辑芯片。可编程计算芯片含有多个可编程计算单元，每个可编程计算单元含有一可写存储阵列，该可写存储阵列存储一基本函数的查找表（LUT）。可编程计算芯片和可编程逻辑芯片垂直堆叠，并通过芯片间连接电耦合。
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公开(公告)号：CN110071136A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810056756.6
申请日：2018-01-21
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
摘要： 本发明提出一种三维纵向电编程存储器（3D-EPMV）。它含有多层堆叠的水平地址线，多个穿透水平地址线的存储井，一层覆盖存储井边墙、厚度小于100nm的薄存储膜（包括编程膜和二极管膜），多条形成在存储井中的竖直地址线。由于薄存储膜具有较大反向漏电流，为了避免读错误或高能耗，存储阵列中存储元所受的最大反向偏置电压远小于读电压。
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公开(公告)号：CN109687864A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201710980620.X
申请日：2017-10-19
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： H03K19/177
CPC分类号： H03K19/17708 , H03K19/17728
摘要： 含有可编程计算单元的可编程门阵列，本发明提出一种可编程门阵列，它含有多个可编程计算单元、多个可编程逻辑单元和多个可编程连接。每个可编程计算单元含有至少一个可写存储阵列，该可写存储阵阵列存储一函数的查找表（LUT）。
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公开(公告)号：CN108511443A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201710105760.2
申请日：2017-02-27
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L27/112 , H01L27/105 , H01L21/8246 , H01L21/8239
摘要： 本发明提出一种紧凑型三维存储器（3D-MC）。其存储阵列和高于衬底解码级形成在同一存储层中。在存储阵列中的存储器件中，x地址线的重叠部分和非重叠部分均为良导体。在解码级的解码器件中，x地址线的非重叠部分仍为良导体，而重叠部分为半导体。
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公开(公告)号：CN108511438A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201710109699.9
申请日：2017-02-28
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L27/102 , G11C13/00 , G11C17/12
摘要： 紧凑型三维存储器（3D-MC）的高于衬底解码级可以是层内解码级、层间解码级、或及其组合。对于层内解码级，同一存储层中的地址线可以共享同一接触通道孔；对于层间解码级，不同存储层中的地址线可以共享同一接触通道孔。
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公开(公告)号：CN105989739A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510068164.2
申请日：2015-02-10
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
摘要： 本发明提出一种混合型停车位监测算法，它结合了背景比较算法和边缘探测算法各自的优势。其存储器存有一背景图像数据库，该背景图像数据库存有多个日期/时段和光照/地表条件下的背景图像。这个数据库可以尽量减少阴影、光照和地表条件对背景比较的干扰。在数据库存有停车位的合适背景图像时，采用背景比较算法来监测停车位状态，否则采用边缘探测算法。
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公开(公告)号：CN103632699B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310080018.2
申请日：2013-03-13
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： G11C5/02 , G11C29/42 , H01L25/065
CPC分类号： H01L24/06 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出一种含有地址/数据转换器芯片的三维存储器，它含有至少一单独的三维阵列芯片(30)和一单独的地址/数据转换器芯片(40*)。三维阵列芯片(30)含有多个三维存储阵列(22aa…)，地址/数据转换器芯片(40*)将主机的地址/数据(54)与三维阵列芯片(30)的地址/数据(58)相互转换。该三维存储器支持多个三维阵列芯片(30a,30b…)。
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公开(公告)号：CN103633092B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310080698.8
申请日：2013-03-13
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
CPC分类号： H01L24/06 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出一种存储、模拟和数字功能分离的三维存储器，它含有至少一单独的三维阵列芯片(30)、一单独的读/写电压产生器芯片(40)和一单独的地址/数据转换器芯片(40*)。读/写电压产生器芯片(40)为三维阵列芯片(30)提供读/写电压，地址/数据转换器芯片(40*)将主机的地址/数据(54)与三维阵列芯片(30)的地址/数据(58)相互转换。该三维存储器支持多个三维阵列芯片(30a,30b…)。
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