公开(公告)号：CN105261813A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510398289.1

申请日：2015-07-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  畑中洁 ,  樱井俊雄 ,  户莳重光

IPC: H01P3/16

CPC classification number: H01P7/10

Abstract: 本发明提供一种传输线路和电子部件，能够高效地传播在1GHz～10GHz范围内的1个以上频率的电磁波。本发明的传输线路包括：由第一电介质和分散在该电介质中的导体填料构成、具有第一相对介电常数的线路部；和具有第二相对介电常数、由第二电介质构成的周围电介质部。周围电介质部在与线路部的电磁波传播方向正交的截面中存在于线路部的周围。线路部的相对介电常数为600以上。第二电介质的相对介电常数比线路部的相对介电常数小。由此，线路部能够高效地传播在1GHz～10GHz范围内的1个以上频率的电磁波。

公开(公告)号：CN101241799B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200810088121.0

申请日：2008-02-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  铃木和孝 ,  中野幸惠

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的电子部件是具有包含内部电极层(12)及陶瓷层(10)的元件本体(4)的电子部件。内部电极层(12)包含Re、Ru、Os及Ir的至少任意一种元素和Ni。陶瓷层(10)基本上不包含Re、Ru、Os及Ir。

公开(公告)号：CN100440392C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410086126.1

申请日：2001-02-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  渡边康夫 ,  高桥三喜夫 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/46

Abstract: 本发明涉及一种具有介电层的电子器件及其生产方法。所述介电层由如下的介电陶瓷组合物组成，其至少含有式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2的介电氧化物组合物的主要组分和含有R选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素的氧化物的第四次要组分，在主要组分表达式中：0.94＜m＜1.02，0≤x≤1.00，和0≤y≤0.20，以及基于100摩尔的主要组分，以R计，第四次要组分的摩尔比为0.02摩尔≤第四次要组分＜2摩尔。这种介电陶瓷组合物，在烧结时可以获得优异的抗还原性、在烧结后可获得优异的电容-温度特性，并改善绝缘电阻的加速寿命。

公开(公告)号：CN101241799A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810088121.0

申请日：2008-02-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  铃木和孝 ,  中野幸惠

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的电子部件是具有包含内部电极层(12)及陶瓷层(10)的元件本体(4)的电子部件。内部电极层(12)包含Re、Ru、Os及Ir的至少任意一种元素和Ni。陶瓷层(10)基本上不包含Re、Ru、Os及Ir。

公开(公告)号：CN1506987A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200410001482.9

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  渡边康夫 ,  高桥三喜夫 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49

CPC classification number: C04B35/465 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C04B35/47 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式（Sr1－xCax）O}m·（Ti1－YZry）O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中X满足0≤x≤1.00，所述组成通式中Y满足0≤Y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式（Sr1－xCax）O}m·（Ti1－YZry）O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’

公开(公告)号：CN1317458A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN01119630.0

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤阳 ,  渡边康夫 ,  福井隆史 ,  高桥三喜夫

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/22 ,  C01G23/006 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含由介电陶瓷组合物组成的介电层的电子器件的方法，所述介电陶瓷组合物含有用组成通式{(Sr1－xCax)O}m·(Ti1－yZry)O2表示的主成分，其中摩尔比m满足0.94＜m＜1.08，x满足0≤x≤1.00，y满足0≤y≤0.20；和包括R的氧化物的第四副成分(R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)；根据该方法能制备具有优异的抗还原性、优异的电容－温度特性的诸如片状电容器的电子器件。