-
公开(公告)号：CN102682947A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210062089.5
申请日：2012-03-09
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/10 , C04B35/2633 , C04B35/2641 , C04B35/2683 , C04B35/62685 , C04B38/00 , C04B2111/00844 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/767 , C04B2235/786 , H01Q1/243 , H01Q1/364 , H01Q5/00 , H01Q9/42 , C04B35/26
Abstract: 本发明提供一种可以实现在高频率下可宽频带且高效率地使用且在生产性和经济性方面表现优良的小型天线等的天线用磁性材料、以及使用其的天线和无线通信器械。天线用磁性材料包含用通式(1)：MA·Fe12-X·MBX·O19(式中，MA是选自Sr和Ba中的至少一种，MB是MC或MD，MC是选自Al、Cr、Sc和In中的至少一种，MD是选自Ti、Sn和Zr中的至少一种与选自Ni、Zn、Mn、Mg、Cu和Co中的至少一种的等量混合物，X是1以上5以下的数)表示的M型六方晶铁氧体作为主相，并且，平均结晶粒径为5μm以上。
-
公开(公告)号：CN118318310A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202280079132.0
申请日：2022-08-12
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明的目的在于，在使用了氧化镓的结势垒肖特基二极管中，既确保足够的反向耐压又降低导通电阻。结势垒肖特基二极管(1)包括由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)和与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有埋入有导电类型与阳极电极(40)和漂移层(30)相反的半导体材料(80)的中心沟槽(61)。中心沟槽(61)的底面(32)不与阳极电极(40)相接而与半导体材料(80)相接，中心沟槽(61)的侧面(33)的至少一部分与阳极电极(40)肖特基接触。由此，能够不提高漂移层的杂质浓度而降低导通电阻。
-
-
公开(公告)号：CN113195800A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980080253.5
申请日：2019-12-03
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明是收纳单晶生长用原料熔融液(8)并使其固化的单晶生长用坩埚(5A)，其具备：围绕原料熔融液(8)的侧壁部(5s)、及连续于侧壁部(5s)并支撑原料熔融液(8)的底部(5b)，侧壁部(5s)在横截面图中，在内侧具有周长冗余性。侧壁部(5s)在横截面图中，在任一部位上在内侧具有周长冗余的部位，如果在单晶生长后的冷却步骤中单晶生长用坩埚(5A)被冷却，则在横截面图中，在内侧周长冗余的部位向单晶生长用坩埚(5A)的外侧扩展。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111095570A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880058896.5
申请日：2018-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管，其难以产生因电场集中而引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；以及与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时设置于包围阳极电极(40)的位置的外周沟道(10)。如此，当在漂移层(30)设置外周沟道(10)时，电场因外周沟道(10)的存在而被分散。由此，由于缓和了阳极电极(40)的角部中的电场集中，因此难以产生绝缘破坏。
-
公开(公告)号：CN106661761B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580042829.0
申请日：2015-08-06
Applicant: TDK株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/12 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及氧化铝基板。本发明的目的在于提供一种在将AlN结晶等制作于氧化铝基板上时能够制作出更高质量的结晶的氧化铝基板。本发明的另外一个目的在于提供一种AlN层的翘曲被减小的氧化铝基板。本发明的再有一个目的在于提供一种基板材料，在作为种基板进行使用的情况下，当被过度施加由不可避免发生的晶格不匹配引起的应力时，能够促进自然剥离主导的基板独立化。通过将AlN层形成于氧化铝基板的表面上并且将稀土含有层以及/或者稀土含有区域形成于AlN层的内部或者AlN层与所述氧化铝基板的界面上从而缓和对AlN层的应力，能够减小翘曲。另外，如果使用这样的基板来培养AlN结晶则能够通过自然剥离令培养了的结晶独立化。
-
-
公开(公告)号：CN107532330A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680011843.9
申请日：2016-03-02
Applicant: TDK株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明提供一种形成有AlN层且降低了翘曲的氧化铝基板。本发明提供一种基板材料，在本基板上生长AlN晶体等的情况下，具有能够耐受通常的操作的程度的强度，并且在生长中或者冷却中施加了过度的应力的情况下防止在生长晶体中引入裂纹或碎裂。制成：在表面形成有AlN层的氧化铝基板中，在AlN层的内部或者AlN层与氧化铝基板界面形成有含稀土区域以及空隙的基板。通过含稀土区域集中晶格失配应力，另外空隙释放应力，从而能够降低AlN层的翘曲。另外，由于含稀土区域集中应力，空隙降低机械强度，因此能够诱发裂纹或者碎裂的起源和传播，结果能够防止在本基板上生长的晶体中混入裂纹或碎裂。进一步含稀土区域能够确保操作程度的机械强度。
-
公开(公告)号：CN106661761A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042829.0
申请日：2015-08-06
Applicant: TDK株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/12 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及氧化铝基板。本发明的目的在于提供一种在将AlN结晶等制作于氧化铝基板上时能够制作出更高质量的结晶的氧化铝基板。本发明的另外一个目的在于提供一种AlN层的翘曲被减小的氧化铝基板。本发明的再有一个目的在于提供一种基板材料，在作为种基板进行使用的情况下，当被过度施加由不可避免发生的晶格不匹配引起的应力时，能够促进自然剥离主导的基板独立化。通过将AlN层形成于氧化铝基板的表面上并且将稀土含有层以及/或者稀土含有区域形成于AlN层的内部或者AlN层与所述氧化铝基板的界面上从而缓和对AlN层的应力，能够减小翘曲。另外，如果使用这样的基板来培养AlN结晶则能够通过自然剥离令培养了的结晶独立化。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.021 seconds)
