公开(公告)号：CN101933159A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980104034.2

申请日：2009-02-02

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 池光善 ,  鱼英株 ,  李宪民

IPC: H01L31/042

Abstract: 本发明提供了一种通过将透明导电层形成为具有不同的氧含量和不同的光吸收系数的多个层而提高吸收到光电转换层中的太阳光的比率的太阳能电池及其制造方法。本发明的太阳能电池包括衬底、透明导电层和光电转换层，其中所述透明导电层包括具有第一光吸收系数的第一层；以及形成在所述第一层上并具有大于所述第一光吸收系数的第二光吸收系数的第二层。

公开(公告)号：CN107039542B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201710017356.X

申请日：2017-01-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李洪哲 ,  李承允 ,  池光善 ,  崔珉浩

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/054

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质；前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的前表面上；后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的后表面上；前透明导电层，该前透明导电层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度；前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述前透明导电层上；后透明导电层，该后透明导电层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度；以及后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述后透明导电层下面。所述前透明导电层的所述第一厚度和所述后透明导电层的所述第二厚度彼此不同，并且所述前透明导电层的薄膜电阻小于所述后透明导电层的薄膜电阻。

公开(公告)号：CN108074994A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710918980.7

申请日：2017-09-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  权泰寅 ,  池光善 ,  李洪哲

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的表面上；中间层，其在隧穿层上，其中，该中间层包括羟基，即OH基团；第一导电区域，其在所述中间层上，其中，该第一导电区域包括用于提取第一载流子的金属氧化物层；以及第一电极，其电连接至第一导电区域。

公开(公告)号：CN107039542A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710017356.X

申请日：2017-01-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李洪哲 ,  李承允 ,  池光善 ,  崔珉浩

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/054

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质；前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的前表面上；后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的后表面上；前透明导电层，该前透明导电层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度；前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述前透明导电层上；后透明导电层，该后透明导电层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度；以及后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述后透明导电层下面。所述前透明导电层的所述第一厚度和所述后透明导电层的所述第二厚度彼此不同，并且所述前透明导电层的薄膜电阻小于所述后透明导电层的薄膜电阻。

公开(公告)号：CN106997906A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201710024078.0

申请日：2017-01-13

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李承允 ,  池光善 ,  李洪哲 ,  黄圣贤

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/048

Abstract: 公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的晶体半导体基板；前掺杂层，所述前掺杂层在所述半导体基板的前表面上并与所述半导体基板形成异质结；后掺杂层，所述后掺杂层在所述半导体基板的后表面上并与所述半导体基板形成异质结；前透明导电层，所述前透明导电层在所述前掺杂层上；后透明导电层，所述后透明导电层在所述后掺杂层下。所述前掺杂层和所述后掺杂层中的一个具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，以与所述半导体基板形成p‑n结，而所述前掺杂层和所述后掺杂层中的另一个具有所述第一导电类型。所述前透明导电层的平面面积大于所述后透明导电层的平面面积。

公开(公告)号：CN102197495B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200980143034.3

申请日：2009-11-19

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金善虎 ,  李宪民 ,  池光善 ,  鱼英株 ,  崔正薰 ,  安世源

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03762 ,  C25D7/126 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/20 ,  H01L31/202 ,  H05K3/188 ,  H05K3/246 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0326 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：基板；位于该基板上的至少一个发射极层；电连接至所述至少一个发射极层的至少一个第一电极；以及电连接至该基板的至少一个第二电极。第一电极和第二电极中的至少一方利用镀敷法形成。

公开(公告)号：CN102074599A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010540778.3

申请日：2010-09-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 崔元硕 ,  池光善 ,  李宪民 ,  慎熩祯 ,  崔正薰 ,  梁贤真

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的第一杂质，并且由晶体半导体形成；第一场区，其位于所述基板的入射表面上，并且包含第二导电类型的第二杂质；射极区，其包含第三导电类型的第三杂质，由非晶半导体形成，并且位于所述基板的与该基板的所述入射表面相对的非入射表面上；第一电极，其电连接到所述射极区；以及第二电极，其电连接到所述基板。

公开(公告)号：CN102037568A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980118599.6

申请日：2009-10-01

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 鱼英株 ,  安世源 ,  李宪民 ,  高志勋 ,  金善虎 ,  池光善

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022466

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括n型或者p型非晶硅层、透明电极以及位于该透明电极和该非晶硅层之间的金属缓冲层。所述金属缓冲层包含铟、锡、硼、铝、镓以及锌中的至少一种。当所述透明电极包含铟锡氧化物ITO时，所述金属缓冲层包含铟和锡中的至少一种。当所述透明电极包含锌氧化物时，所述金属缓冲层包含硼、铝、镓以及锌中的至少一种。