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公开(公告)号：CN109599450A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811406592.1
申请日：2014-04-02
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；整个形成在所述半导体基板的表面上的第一隧穿层；设置在所述半导体基板的所述表面上的第一导电类型区域；以及包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极的电极。
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公开(公告)号：CN104167454B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410354042.5
申请日：2014-05-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论的太阳能电池包括：具有基区和掺杂区的半导体衬底；形成在半导体衬底上的掺杂层，掺杂层具有不同于掺杂区的导电类型；介于掺杂层和半导体衬底之间的隧道层；连接到掺杂区的第一电极；和连接到掺杂层的第二电极。
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公开(公告)号：CN104167454A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410354042.5
申请日：2014-05-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/068
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论的太阳能电池包括：具有基区和掺杂区的半导体衬底；形成在半导体衬底上的掺杂层，掺杂层具有不同于掺杂区的导电类型；介于掺杂层和半导体衬底之间的隧道层；连接到掺杂区的第一电极；和连接到掺杂层的第二电极。
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公开(公告)号：CN101563785B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200780043093.4
申请日：2007-06-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/072 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池包括：p-n结构，其具有第一导电半导体衬底、在第一导电半导体衬底上形成并具有与第一导电半导体衬底相反的导电性的第二导电半导体层、以及在第一导电半导体衬底与第二导电半导体层之间的界面处形成的p-n结；第一抗反射膜，其在第二导电半导体层上形成并由厚度为40～100nm的SiNx:H薄膜构成；第二抗反射膜，其在第一抗反射膜上形成并由氧氮化硅构成；前电极，其以预定的图案在第二抗反射膜上形成并通过第一和第二抗反射膜而连接到第二导电半导体层；以及后电极，其在与前电极相对的一侧形成，其中第一导电半导体衬底插在它们之间，以将该后电极连接到第一导电半导体衬底。
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公开(公告)号：CN101305472B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200680041503.7
申请日：2006-10-30
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 朴铉定
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种高效太阳能电池。更具体地，提供了一种包括第一导电型半导体基板、在第一导电型半导体基板上形成且具有与该基板导电型相反导电型的第二导电型半导体层、在其间界面上的p-n结、与第一导电型半导体基板的至少一部分接触的后电极、与第二导电型半导体层的至少一部分接触的前电极及在第一导电型半导体基板的后表面和/或第二导电型半导体层的前表面上顺序形成的氮氧化硅钝化层和氮化硅减反射层的太阳能电池及其制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101563785A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780043093.4
申请日：2007-06-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/072 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池包括：p－n结构，其具有第一导电半导体衬底、在第一导电半导体衬底上形成并具有与第一导电半导体衬底相反的导电性的第二导电半导体层、以及在第一导电半导体衬底与第二导电半导体层之间的界面处形成的p－n结；第一抗反射膜，其在第二导电半导体层上形成并由厚度为40～100nm的SiNx:H薄膜构成；第二抗反射膜，其在第一抗反射膜上形成并由氧氮化硅构成；前电极，其以预定的图案在第二抗反射膜上形成并通过第一和第二抗反射膜而连接到第二导电半导体层；以及后电极，其在与前电极相对的一侧形成，其中第一导电半导体衬底插在它们之间，以将该后电极连接到第一导电半导体衬底。
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公开(公告)号：CN108847425B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201810629656.8
申请日：2016-10-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/068 , H01L31/0745
Abstract: 一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：多个太阳能电池，各个太阳能电池包括半导体基板以及在半导体基板的后表面上延伸的第一电极和第二电极；第一导电线，所述第一导电线通过第一导电粘合层在所述第一电极与所述第一导电线之间的交叉处连接到所述第一电极；第二导电线，所述第二导电线通过第一导电粘合层在所述第二电极与所述第二导电线之间的交叉处连接到所述第二电极；以及电池间连接器，所述电池间连接器在彼此相邻的第一太阳能电池和第二太阳能电池之间延伸。连接到第一太阳能电池的第一导电线以及连接到第二太阳能电池的第二导电线共同连接到电池间连接器。
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公开(公告)号：CN106784100B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610882951.5
申请日：2016-10-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/0745 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：多个太阳能电池，各个太阳能电池包括半导体基板以及在半导体基板的后表面上延伸的第一电极和第二电极；第一导电线，所述第一导电线通过第一导电粘合层在所述第一电极与所述第一导电线之间的交叉处连接到所述第一电极；第二导电线，所述第二导电线通过第一导电粘合层在所述第二电极与所述第二导电线之间的交叉处连接到所述第二电极；以及电池间连接器，所述电池间连接器在彼此相邻的第一太阳能电池和第二太阳能电池之间延伸。连接到第一太阳能电池的第一导电线以及连接到第二太阳能电池的第二导电线共同连接到电池间连接器。
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公开(公告)号：CN106784100A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610882951.5
申请日：2016-10-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/05
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：多个太阳能电池，各个太阳能电池包括半导体基板以及在半导体基板的后表面上延伸的第一电极和第二电极；第一导电线，所述第一导电线通过第一导电粘合层在所述第一电极与所述第一导电线之间的交叉处连接到所述第一电极；第二导电线，所述第二导电线通过第一导电粘合层在所述第二电极与所述第二导电线之间的交叉处连接到所述第二电极；以及电池间连接器，所述电池间连接器在彼此相邻的第一太阳能电池和第二太阳能电池之间延伸。连接到第一太阳能电池的第一导电线以及连接到第二太阳能电池的第二导电线共同连接到电池间连接器。
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公开(公告)号：CN104681648B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410709226.9
申请日：2014-11-28
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/266 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种太阳能电池。根据一种实施方式的太阳能电池包括半导体基板以及设置在该半导体基板的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域，其中，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域中的至少一方包括主区域和设置在该主区域的周边部分的边界区域，并且所述边界区域具有变化的掺杂浓度和变化的掺杂深度中的至少一方。
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